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1. 发明专利

JP2017005242A 半導体処理システムにおける外部基板回転审中-公开
标题翻译：在半导体处理系统的外部基板旋转
公开(公告)号：JP2017005242A
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2016084118
申请日：2016-04-20
申请人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド , APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
发明人：グエン, トゥンアイン , バンサル, アミットクマール , ロチャ−アルバレス, フアンカルロス
IPC分类号： B65G49/07 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67184 , H01L21/0226 , H01L21/68742 , H01L21/68792 , H01L22/12
摘要：【課題】半導体処理における膜均一性を増すための方法と装置を提供する【解決手段】半導体処理用の処理システム100は、2つの移送チャンバ104a、104b、処理チャンバ108、及び回転モジュール106を含む。処理チャンバ108は、移送チャンバ104a、104bに連結される。回転モジュール106が、移送チャンバ104a、104b間に配置される。回転モジュール106は、基板を回転させるように構成される。移送チャンバ104a、104bは、処理チャンバ108と移送チャンバ104a、104bの間で基板を移送するように構成される。【選択図】図1
摘要翻译：一种用于提高膜的均匀性在半导体处理中的处理系统100用于半导体处理的方法，包括二传输室104A，104B，该处理腔室108的方法和设备，旋转模块106 。处理腔室108中，传送室104A，被耦合到104b中。旋转模块106，传送室104A，被布置104b之间。旋转模块106被配置为旋转所述基片。搬送室104A，104B，该处理腔室108和传送室104A，配置为104b之间传送基板。点域1

2. 发明专利

JP2013206989A Formation method of boron-containing acid silicon carbonitride film and formation method of acid silicon carbonitride film 有权
标题翻译：含硼酸性碳化硅薄膜的形成方法和酸性碳化硅薄膜的形成方法
公开(公告)号：JP2013206989A
公开(公告)日：2013-10-07
申请号：JP2012072419
申请日：2012-03-27
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： KADONAGA KENTARO , SUZUKI KEISUKE
IPC分类号： H01L21/314 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/0226 , C23C16/28 , C23C16/308 , C23C16/342 , C23C16/36 , C23C16/45525 , H01L21/02126 , H01L21/02129 , H01L21/02211 , H01L21/0228
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a formation method of a boron-containing acid silicon carbonitride film which can shorten the process time, and can contribute to enhancement of throughput.SOLUTION: In the formation method of a boron-containing acid silicon carbonitride film for forming a boron-containing acid silicon carbonitride film on a base, a boron-containing film is formed on a base (step 1), and then a boron-containing acid silicon carbonitride film is formed by laminating a silicon carbonitride film and an acid silicon nitride film on the boron-containing film (step 2, and step 3).
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以缩短处理时间的含硼酸性碳氮化硅膜的形成方法，并且可以有助于提高生产量。解决方案：在含硼酸性碳氮化硅膜的形成方法中，在基材上形成含硼酸性碳氮化硅膜，在基材上形成含硼膜（工序1），然后通过层叠碳氮化硅膜和酸性硅来形成含硼酸性碳氮化硅膜含氮膜上的氮化物膜（步骤2和步骤3）。

4. 发明专利

JP6125997B2 電子切替デバイスの生産有权
公开(公告)号：JP6125997B2
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：JP2013512941
申请日：2011-06-03
申请人：フレックスエネーブルリミティッド
发明人：パトリックトゥ , マイケルバナック
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L21/312 , H01L51/40
CPC分类号： H01L21/02617 , H01L21/0226 , H01L51/0004 , H01L2251/566 , H01L51/0541 , H01L51/0545

5. 发明专利

JP2016534580A 薄膜トランジスタ配列基板の製造方法有权
标题翻译：一种制造薄膜晶体管阵列基板的方法
公开(公告)号：JP2016534580A
公开(公告)日：2016-11-04
申请号：JP2016543288
申请日：2013-10-17
申请人：深▲セン▼市華星光電技術有限公司 , 深▲せん▼市華星光電技術有限公司
发明人：王俊
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/02164 , H01L21/0226 , H01L21/02565 , H01L21/441 , H01L21/47573 , H01L21/477 , H01L27/1225 , H01L27/1262 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/7869
摘要：【課題】本発明は、効果的な生産コスト削減・生産効率の向上・生産能力の増加が可能な、薄膜トランジスタ配列基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明において、薄膜トランジスタ配列基板はトップゲート型であり、薄膜トランジスタ配列基板の製造方法は、3回のマスクを通してTFT配列基板を製造する。このうち、IGZO(イグゾー)によって薄膜トランジスタ配列基板中の薄膜トランジスタを製造することで、薄膜トランジスタの画素電極に対する充電レートの大幅な向上と、画素の応答速度向上を可能にして、より速いリフレッシュレートを実現する。また同時に、より速い応答によって画素のラインスキャンレートを大幅に向上させることにより、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイにおける超高解像度を実現可能にする。加えて、前記製造方法は、僅か3回のマスク処理を用いることで、製造工程を格段に減少させて製作時間を短縮する。【選択図】図1
摘要翻译：公开的是在改进的增加，并且生产量有效地降低生产成本和生产效率，能够提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法。在本发明中，薄膜晶体管阵列基板为顶栅型，制造该薄膜晶体管阵列基板通过三个掩模以产生的TFT阵列基板的方法。其中，通过产生在由IGZO（EXOR）衬底上的薄膜晶体管TFT阵列，并且显著改善充电率的TFT的像素电极，从而使响应速度改善的像素，以实现更快的刷新率。与此同时，通过极大地更快的响应提高像素的行扫描速率，允许在薄膜晶体管液晶显示器的超高分辨率。此外，该制造方法中，通过仅使用三个掩蔽，以缩短制造时间显着地减少制造工序。点域1

6. 发明专利

JP6290421B2 基板処理装置、基板搬送方法及び半導体装置の製造方法並びにプログラム有权
公开(公告)号：JP6290421B2
公开(公告)日：2018-03-07
申请号：JP2016538394
申请日：2015-07-29
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：川崎潤一 , 安彦一
IPC分类号： C23C16/44 , C23C14/50 , H01L21/31 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67288 , G01N21/9501 , G01N2201/13 , H01L21/0226 , H01L21/31 , H01L21/67265 , H01L21/67703

7. 发明专利

JP6261747B2 薄膜トランジスタ配列基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6261747B2
公开(公告)日：2018-01-17
申请号：JP2016543288
申请日：2013-10-17
申请人：深▲せん▼市華星光電技術有限公司
发明人：王俊
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/02164 , H01L21/0226 , H01L21/02565 , H01L21/441 , H01L21/47573 , H01L21/477 , H01L27/1225 , H01L27/1262 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/7869

8. 发明专利

JPWO2016017685A1 基板処理装置、基板搬送方法及び半導体装置の製造方法並びに記録媒体有权
公开(公告)号：JPWO2016017685A1
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2016538394
申请日：2015-07-29
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：潤一川崎 , 潤一川崎 , 一安彦 , 一安彦
IPC分类号： H01L21/677 , C23C14/50 , C23C16/44
CPC分类号： H01L21/67288 , G01N21/9501 , G01N2201/13 , H01L21/0226 , H01L21/31 , H01L21/67265 , H01L21/67703
摘要：基板を保持した基板保持具と、前記基板保持具に保持された前記基板の載置状態を検知する検知部と、前記検知部により取得された前記基板の検知データと予め取得していた基準となるマスターデータとを比較して前記基板の検知データが第一許容値以内かを判定する第一判定部と、前記基板の種別を確認する確認部と、前記基板の検知データと前記マスターデータとを比較して前記検知データが第二許容値以内かを判定する第二判定部と、前記第一判定部の判定した結果、前記第一許容値から外れていると判定された場合に、前記確認部により前記基板が所定種別であれば、前記第二判定部の判定結果に応じて前記基板保持具を制御する搬送制御部と、を具備する構成が提供される。

9. 发明专利

JP5857942B2 蒸着用フッ素系表面処理剤及び該表面処理剤で蒸着処理された物品有权
标题翻译：沉积处理的制品通过基于氟的沉积表面处理剂和表面处理剂
公开(公告)号：JP5857942B2
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：JP2012249137
申请日：2012-11-13
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：山根祐治 , 小池則之
IPC分类号： C08L71/02 , C23C14/24
CPC分类号： C09D183/16 , C09D183/12 , B32B17/10715 , B32B2255/26 , B32B2307/73 , B32B2315/08 , B32B2371/00 , B32B2383/00 , B32B2457/208 , B32B27/285 , C03C17/23 , C03C17/30 , C03C17/32 , C03C17/42 , C08G2650/48 , C08G65/007 , C08G65/33303 , C08G65/3332 , C08G71/00 , C08G71/02 , C08G77/24 , C08G77/46 , C08G83/00 , C08L83/00 , C08L83/06 , C09D171/00 , C09D171/02 , C09D183/00 , C09D183/06 , C09D5/16 , C23C16/00 , G02B1/10 , G02B1/18 , H01L21/0226 , H01L21/461 , H01L21/47 , Y10T428/315 , Y10T428/3154

10. 发明专利

JP5758829B2 ボロン含有シリコン酸炭窒化膜の形成方法およびシリコン酸炭窒化膜の形成方法有权
标题翻译：对于含硼碳氮氧化硅膜的形成和碳氮氧化硅膜的方法
公开(公告)号：JP5758829B2
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：JP2012072419
申请日：2012-03-27
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：門永健太郎 , 鈴木啓介
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/314
CPC分类号： H01L21/0226 , C23C16/28 , C23C16/308 , C23C16/342 , C23C16/36 , C23C16/45525 , H01L21/02126 , H01L21/02129 , H01L21/02211 , H01L21/0228

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