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1. 发明专利

JP2018093029A 成膜処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018093029A
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：JP2016234286
申请日：2016-12-01
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：門永健太郎 , 佐藤敬信 , 鈴木啓介
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/42 , H01L21/318
摘要：【課題】チャージトラップに適した窒化ケイ素膜を成膜することが可能な成膜処理方法を提供する。【解決手段】反応容器1内に配置された基板Wの表面に成膜を行うにあたり、準備工程では反応容器1内を真空排気すると共に、基板を640℃以上、850℃以下の範囲内の反応温度に加熱する。原料ガス供給工程では、反応容器1内が67Pa以上、266Pa以下の範囲内の圧力となるようにケイ素化合物を含む原料ガスを供給して、加熱された基板の表面に原料ガスを吸着させる。反応ガス供給工程では、原料ガス供給工程における圧力よりも高くなるように、反応容器1内に窒素化合物を含む反応ガスを供給して、基板の表面に吸着している原料ガスと反応させ、窒化ケイ素膜を形成する。【選択図】図3

2. 发明专利

JP6024484B2 成膜方法及び成膜装置有权
公开(公告)号：JP6024484B2
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：JP2013013825
申请日：2013-01-29
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：村上博紀 , 佐々木幸二 , 鈴木啓介 , 両角友一朗
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/42 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45544 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02219

3. 发明专利

JP2015195350A 縦型熱処理装置の運転方法、記憶媒体及び縦型熱処理装置有权
标题翻译：垂直加热处理装置的操作方法，记录介质和垂直加热处理装置
公开(公告)号：JP2015195350A
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：JP2015012539
申请日：2015-01-26
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：本山豊 , 福島講平 , 鈴木啓介 , 高橋博美
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44 , H01L21/02 , H01L21/318
CPC分类号： C23C16/4411 , C23C16/4401 , C23C16/45546 , C23C16/46
摘要：【課題】縦型の反応管内にて複数枚の基板に一括して成膜処理を行うにあたり、基板へのパーティクルの付着を抑制すること。【解決手段】ウエハボート11に積載された複数枚のウエハWに対して反応管12にて一括して窒化シリコン膜の成膜処理を行うにあたり、当該ウエハボート11とは別の冷却用の治具3を設ける。そして、成膜処理が終了した後、ウエハボート11に代えて冷却用の治具3を反応管12内に搬入して、冷却用の治具3と反応管12との温度差に基づいて、当該反応管12の内壁面に付着した付着物200を剥離させる。また、前記内壁面から剥離してパーティクル10として反応管12内を浮遊する付着物200については、熱泳動によって冷却用の治具3に付着させる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：当在垂直反应管内共同进行成膜处理时，抑制颗粒对多个基板的粘附。解决方案：当将安装在晶片舟11上的多个晶片W集体地反应管12中的氮化硅膜形成工艺，与晶片舟皿11分开设置的冷却夹具3.在成膜处理完成之后，冷却夹具3被运送到反应管12中而不是晶片舟11 并且基于冷却夹具3和反应管12之间的温度差而剥离附着在反应管12的内壁表面的沉积物200.此外，沉积物200从内壁表面剥离并浮动使反应管12内的微粒10通过热泳法附着在冷却夹具3上。

4. 发明专利

JP5758829B2 ボロン含有シリコン酸炭窒化膜の形成方法およびシリコン酸炭窒化膜の形成方法有权
标题翻译：对于含硼碳氮氧化硅膜的形成和碳氮氧化硅膜的方法
公开(公告)号：JP5758829B2
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：JP2012072419
申请日：2012-03-27
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：門永健太郎 , 鈴木啓介
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/314
CPC分类号： H01L21/0226 , C23C16/28 , C23C16/308 , C23C16/342 , C23C16/36 , C23C16/45525 , H01L21/02126 , H01L21/02129 , H01L21/02211 , H01L21/0228

5. 发明专利

JP6952595B2 縦型熱処理装置有权
公开(公告)号：JP6952595B2
公开(公告)日：2021-10-20
申请号：JP2017244120
申请日：2017-12-20
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：木鎌英司 , 島裕巳 , 高京碩 , 菱屋晋吾 , 鈴木啓介 , 城俊彦 , 板橋賢 , 小川悟
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/316 , C23C16/455 , C23C16/42 , H01L21/31

6. 发明专利

JP6213487B2 縦型熱処理装置の運転方法、記憶媒体及び縦型熱処理装置有权
公开(公告)号：JP6213487B2
公开(公告)日：2017-10-18
申请号：JP2015012539
申请日：2015-01-26
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：本山豊 , 福島講平 , 鈴木啓介 , 高橋博美
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44 , H01L21/02 , H01L21/318
CPC分类号： C23C16/4411 , C23C16/4401 , C23C16/45546 , C23C16/46

7. 发明专利

JP5920242B2 成膜方法及び成膜装置有权
公开(公告)号：JP5920242B2
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：JP2013035472
申请日：2013-02-26
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：鈴木啓介 , 門永健太郎 , ヴォルカー・ヘメル , ベルンハルド・ゾベル
IPC分类号： H01L21/318 , C23C16/455 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/02271 , C23C16/345 , C23C16/45512 , C23C16/45525 , C23C16/45561 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228

8. 发明专利

JP5887962B2 成膜装置有权
公开(公告)号：JP5887962B2
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：JP2012017528
申请日：2012-01-31
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：戸根川大和 , 鈴木啓介 , 尾崎徹志 , 両角友一朗 , 張徳清
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/31

9. 发明专利

JP5806612B2 シリコン酸炭窒化膜の形成方法有权
标题翻译：形成碳氮氧化硅膜的方法
公开(公告)号：JP5806612B2
公开(公告)日：2015-11-10
申请号：JP2011286342
申请日：2011-12-27
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：鈴木啓介 , 李丙勳 , 李殷祚 , 孫成▲ドク▼ , 張宰赫 , 門永健太郎 , 朴度▲ヒョン▼
IPC分类号： H01L21/318
CPC分类号： H01L21/31 , C23C16/24 , C23C16/56 , C23C28/04 , C23C28/42 , C23C8/34 , H01L21/02126 , H01L21/022

10. 发明专利

JP5723243B2 成膜方法、これを含む半導体装置の製造方法、成膜装置、及び半導体装置有权
标题翻译：膜的形成方法，制造包括相同的膜形成装置中的半导体器件的方法，和半导体器件
公开(公告)号：JP5723243B2
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：JP2011176138
申请日：2011-08-11
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：鈴木啓介 , 門永健太郎 , 両角友一朗
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/768 , H01L21/318 , H01L21/31
CPC分类号： H01L28/91 , C23C16/345 , C23C16/45531 , C23C16/45542 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L27/10852 , C23C16/45578

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