基本信息:
- 专利标题： 半導体装置の製造方法、プログラム及び基板処理装置
- 专利标题（英）：Method and program of manufacturing semiconductor device, and substrate processing device
- 申请号：JP2015189708 申请日：2015-09-28
- 公开(公告)号：JP2017069254A 公开(公告)日：2017-04-06
- 发明人： 中山 雅則 , 井川 博登
- 申请人： 株式会社日立国際電気
- 申请人地址： 東京都港区西新橋二丁目15番12号
- 专利权人： 株式会社日立国際電気
- 当前专利权人： 株式会社日立国際電気
- 当前专利权人地址： 東京都港区西新橋二丁目15番12号
- 主分类号： H01L21/31
- IPC分类号： H01L21/31 ; H01L21/318 ; C23C16/40 ; C23C16/02 ; H01L21/8242 ; H01L27/108 ; H01L21/316
摘要：
【課題】金属膜の酸化工程において、厚さや比抵抗率(シート抵抗値)を任意にコントロールした酸化層を均一性良く形成し、その後の工程である容量膜等の形成時に金属膜表面の酸化を抑制する技術を提供する。 【解決手段】 表面に金属膜が形成された基板を準備する工程と、酸素含有ガスと水素含有ガスの混合ガスのプラズマにより基板表面に形成された金属膜の表面を酸化し酸化層を形成する工程と、少なくとも酸化性ガスを基板に供給して酸化層上に薄膜を形成する工程と、を有する。 【選択図】図5
公开/授权文献:
- JP6436886B2 半導体装置の製造方法及びプログラム 公开/授权日：2018-12-12
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/31 | .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择 |