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1. 发明专利

JP6478872B2 成膜装置有权
公开(公告)号：JP6478872B2
公开(公告)日：2019-03-06
申请号：JP2015163512
申请日：2015-08-21
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：米澤雅人 , 三浦繁博 , 赤間裕之 , 吉井弘治
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/318 , C23C16/46 , C23C16/52 , C23C14/52 , C23C14/54 , H01L21/31

2. 发明专利

JP6388552B2 基板処理装置及び基板処理方法有权
公开(公告)号：JP6388552B2
公开(公告)日：2018-09-12
申请号：JP2015041499
申请日：2015-03-03
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：三浦繁博
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/316 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/045 , C23C16/45527 , C23C16/45551 , C23C16/45557 , C23C16/4584 , C23C16/50 , H01L21/02164 , H01L21/0228 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/76802

3. 发明专利

JP6362488B2 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP6362488B2
公开(公告)日：2018-07-25
申请号：JP2014183609
申请日：2014-09-09
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：三浦繁博 , 佐藤潤
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/0234 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01J37/32366 , H01J37/32458 , H01J37/32513 , H01J37/32715 , H01J37/32752 , H01J37/32899 , H01L21/02164 , H01L21/0228 , H01L21/31116 , H01L21/68764 , H01L21/68771

4. 发明专利

JP2017212246A 成膜装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017212246A
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：JP2016102231
申请日：2016-05-23
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：三浦繁博
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/318 , C23C16/455 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/4584 , C23C16/24 , C23C16/402 , C23C16/45519 , C23C16/45544 , C23C16/45548 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/52 , C23C16/56
摘要：【課題】基板に成膜される膜の膜厚の面内均一性を制御することができる成膜装置を提供する。【解決手段】処理室内に、基板Wを載置可能な回転テーブルの上面に第1の反応ガスを供給可能な第1の反応ガス供給部31が配置された第1の処理領域P1と、第1の反応ガス供給部と回転テーブルの周方向において離間して設けられ、第1の反応ガスと反応する第2の反応ガスを回転テーブルの上面に供給可能な第2の処理領域P2と、回転テーブルの周方向において第1の反応ガス供給部と第2の反応ガス供給部32との間に設けられ、回転テーブルの半径方向に沿って所定の間隔で配置された、第1の反応ガスと第2の反応ガスとを分離するガスを供給可能な複数の分離ガス供給部42と、を設ける。分離ガス供給部は、分離ガスに添加され、第1の反応ガスの吸着性を制御可能な添加ガス又は第1の反応ガスに含まれる原料成分の一部をエッチング可能な添加ガスを供給する。【選択図】図3

5. 发明专利

JP2017212244A 成膜方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017212244A
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：JP2016102224
申请日：2016-05-23
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：三浦繁博
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , C23C16/42 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/402 , C23C16/4408 , C23C16/45534 , C23C16/4554 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/45574 , C23C16/4584 , C23C16/56 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/68764 , H01L21/76224
摘要：【課題】基板に成膜される膜の膜厚の面内均一性を制御することができる成膜方法を提供すること。【解決手段】本実施形態の成膜方法は、水酸基に吸着し得る第1の反応ガスと、前記第1の反応ガスと反応する第2の反応ガスとの反応生成物による膜を成膜する成膜方法であって、基板の表面に前記第1の反応ガスを供給して、前記基板の表面に前記第1の反応ガスを吸着させる工程と、前記第1の反応ガスが吸着した前記基板に前記第2の反応ガスを供給することにより、前記第1の反応ガスと前記第2の反応ガスとを反応させて前記反応生成物を生成する工程と、前記基板に第3の反応ガスを活性化させて供給することにより、前記反応生成物の表面を改質する工程と、前記基板に水素含有ガスを含む第4の反応ガスを供給することにより、表面が改質された前記反応生成物の表面の少なくとも一部の領域に水酸基を形成する工程と、を含む。【選択図】図4

6. 发明专利

JP6135455B2 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法有权
公开(公告)号：JP6135455B2
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：JP2013222202
申请日：2013-10-25
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：加藤寿 , 三浦繁博
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/316 , C23C16/509 , H05H1/46 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/45563 , C23C16/4584 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32651 , H01J37/32669 , H01J37/32715 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H05H1/46 , H05H2001/4667

7. 发明专利

JP2017022210A 基板処理装置审中-公开
标题翻译：的基板处理装置
公开(公告)号：JP2017022210A
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：JP2015137105
申请日：2015-07-08
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：三浦繁博
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/318 , C23C16/455 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C16/401 , C23C16/45551 , C23C16/4584
摘要：【課題】回転テーブルの下方に隙間が生じるプロセスであっても、第1及び第2の排気口で各々独立した排気を行うことができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板Wを載置可能であるとともに昇降可能な回転テーブル2と、該回転テーブルの周方向に沿って設けられ、第1の処理ガスを前記基板に供給可能な第1の処理ガス供給領域P1と、前記回転テーブルの周方向に沿って前記第1の処理ガス供給領域と離間して設けられ、第2の処理ガスを前記基板に供給可能な第2の処理ガス供給領域P2と、該第1及び第2の処理ガス供給領域に各々対応して前記回転テーブルよりも下方に設けられる第1及び第の2排気口610、620と、前記回転テーブルの上昇により生じた前記第1の排気口と前記第2の排気口が連通する連通空間Sを通じて、前記第2の処理ガスが前記第1の排気口に流れる経路の前記第1の排気口付近のコンダクタンスを低下させるコンダクタンス低下手段90と、を有する。【選択図】図8
摘要翻译： A为处理间隙形成在旋转工作台的下方，提供一种能够在第一和第二排气口执行每个单独排气的基板处理装置。并与基板W的旋转台2升降的可放置，沿旋转台的圆周方向上，能够供应第一处理气体至该基板的该第一工艺气体提供供给区域P1，沿所述转台的圆周方向上从所述第一处理气体供给区域间隔开，并且能够供应第二处理气体至基片的第二处理气体供给区域P2的中，第一和第二处理气体供给区域到每一个对应于旋转台2的排气口的第一和第二设置在610和620，第一引起旋转台的下面增加通过排气口和第二排气口连通，其中该第二工艺气体电导降低装置，用于通过第一出口减小第一出口通路的附近的电导的通信空间S 它有一个90，一个。点域8

8. 发明专利

JP2016162931A 基板処理装置及び基板処理方法有权
标题翻译：基板处理装置和基板处理方法
公开(公告)号：JP2016162931A
公开(公告)日：2016-09-05
申请号：JP2015041500
申请日：2015-03-03
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：三浦繁博
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/316 , C23C16/455 , H01L21/31
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32009 , H01J37/32513 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J37/32899 , H01L21/30655 , H01J2237/334
摘要：【課題】基板面内でのエッチング量分布を制御することが可能な基板処理装置を提供すること。【解決手段】真空容器内に回転可能に設けられ、基板を載置可能な回転テーブルと、回転テーブルの表面に第1の反応ガスを供給可能な第1の反応ガス供給部と、第1の反応ガス供給部から回転テーブルの周方向に離間して設けられ、回転テーブルの表面に第1の反応ガスと反応する第2の反応ガスを供給可能な第2の反応ガス供給部と、第1の反応ガス供給部及び第2の反応ガス供給部から回転テーブルの周方向に離間して設けられ、回転テーブルの表面に活性化されたエッチングガスを供給可能な活性化ガス供給部と、活性化ガス供給部と接近して回転テーブルの周方向に設けられ、回転テーブルの表面にパージガスを供給可能な複数のパージガス供給部とを備え、複数のパージガス供給部の各々から供給されるパージガスの流量が独立して制御可能である、基板処理装置が提供される。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够控制基板表面内的蚀刻量分布的基板处理装置。解决方案：基板处理装置包括：旋转台，其可旋转地设置在真空容器中，并且可以在其上放置基板 ; 第一反应气体供给单元，其能够向旋转台的表面供给第一反应气体; 第二反应气体供给单元，其在所述旋转台的圆周方向上与所述第一反应气体供给单元分离设置，并且能够向所述旋转台的表面供给与所述第一反应气体反应的第二反应气体; 活性气体供给单元，其在所述旋转台的圆周方向上与所述第一反应气体供给单元和所述第二反应气体供给单元分离设置，并且能够将活化的蚀刻气体供给到所述旋转台的表面; 以及在旋转台的圆周方向上靠近活性气体供给单元设置的多个吹扫气体供给单元，能够将吹扫气体供给到旋转台的表面。从每个吹扫气体供应单元供应的吹扫气体的流量可以被独立地控制。选择的图：图6

9. 发明专利

JP2016136601A 基板処理装置有权
标题翻译：基板加工设备
公开(公告)号：JP2016136601A
公开(公告)日：2016-07-28
申请号：JP2015011722
申请日：2015-01-23
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：長谷部一秀 , 三浦繁博
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/48 , H01L21/31
摘要：【課題】本発明は、触媒を用いて処理ガスの活性化が可能であるとともに、触媒の劣化が少なく量産化が可能である基板処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】処理室1と、該処理室内に設けられ、上面に基板を載置可能なサセプタ2と、該サセプタの該上面に対向して設けられ、該サセプタの該上面との対向面が触媒材料で構成された触媒プレート90と、該触媒体と前記基板Wとの間に処理ガスを供給可能な処理ガス供給手段32と、を有する。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够通过使用催化剂使工艺气体活化的基板处理装置，并且能够实现催化剂的小的劣化，从而能够进行批量生产。解决方案：基板处理装置包括：处理室1; 设置在所述处理室中并且包括可以放置基板的上表面的基座2; 提供面向基座的上表面的催化剂板90，并且包括面向基座的上表面并由催化剂材料形成的表面; 以及能够将工艺气体供给到催化剂体和衬底W之间的空间的工艺气体供给装置32.选择的图示：图4

10. 发明专利

JP6587514B2 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置有权
公开(公告)号：JP6587514B2
公开(公告)日：2019-10-09
申请号：JP2015221012
申请日：2015-11-11
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：三浦繁博
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/56 , C23C16/455 , H05H1/46 , H01L21/316

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