专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP6804277B2 処理方法および処理装置有权
公开(公告)号：JP6804277B2
公开(公告)日：2020-12-23
申请号：JP2016232642
申请日：2016-11-30
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：阪根亮太 , 北澤貴 , 長畑寿 , 小林秀行 , 山岸幸司
IPC分类号： C23C16/52 , H05H1/46 , H01L21/316 , H01L21/31

2. 发明专利

JP6312451B2 給電部カバー構造及び半導体製造装置有权
公开(公告)号：JP6312451B2
公开(公告)日：2018-04-18
申请号：JP2014014607
申请日：2014-01-29
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：阪根亮太 , 喜多川大
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/683
CPC分类号： H01R13/631 , C23C16/4586 , C23C16/509 , C23C16/5096 , H01J37/32577 , H01R13/53 , H01R2103/00

3. 发明专利

JP2019158111A シール構造およびシール方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019158111A
公开(公告)日：2019-09-19
申请号：JP2018049647
申请日：2018-03-16
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：阪根亮太
IPC分类号： F16J15/06
摘要：【課題】部品同士摺動、近接が生じるような境目を横断するガスの流路において、破損等の異常をきたさずにガスの漏洩を十分に抑制する。【解決手段】一実施形態に係るシール構造はガスの流路を封止し流路を画定する第1の部品および第2の部品と当該部品同士の境目にある弾性体部、キャップ部とを備える。第1の部品の第1の貫通孔と第2の部品の第2の貫通孔とで流路が画定され、弾性体部は第1の部品の第1の表面上から見て第1の貫通孔の第1の開口が弾性体部の輪形状の第2の開口に重なり、キャップ部は第1の表面上から見て第1の開口、第2の開口、キャップ部の第3の開口が重なるように弾性体部を覆い第1の表面の溝に嵌め込まれ第2の表面に密接する。キャップ部と第2の部品とは摺動性を有するように密接する。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2015142042A 給電部カバー構造及び半導体製造装置有权
标题翻译：进料部分盖结构和半导体制造装置
公开(公告)号：JP2015142042A
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：JP2014014607
申请日：2014-01-29
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：阪根亮太 , 喜多川大
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/4586 , C23C16/5096 , H01J37/32577 , H01R13/53 , H01R13/631 , C23C16/509 , H01L21/302 , H01R2103/00
摘要：【課題】給電部の結露を防止することが可能な給電部カバー構造及び半導体製造装置を提供する。【解決手段】ソケットとプラグとが嵌合された給電部と、前記給電部を覆い、該給電部を密閉するカバー構造と、前記カバー構造内にドライエアー又は不活性ガスを供給する供給機構と、を有し、前記ドライエアー又は不活性ガスは、前記給電部と前記カバー構造との間の隙間を通って前記カバー構造の内部に供給される給電部カバー構造が提供される。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够防止馈电部分中的冷凝的馈电部分覆盖结构和半导体制造装置。解决方案：提供一种馈电部分覆盖结构，包括：馈电部分，其中插座和插头装在一起覆盖所述供给部并密封所述供给部的盖结构; 以及用于将干燥空气或惰性气体进料到盖结构中的进料机构。干燥空气或惰性气体通过馈送部分和盖结构之间的间隙被馈送到盖结构的内部。

5. 发明专利

JP6804280B2 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法有权
公开(公告)号：JP6804280B2
公开(公告)日：2020-12-23
申请号：JP2016237635
申请日：2016-12-07
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：阪根亮太 , 小林秀行 , 長畑寿 , ナジョンウ
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065

6. 发明专利

JP2018093139A プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018093139A
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：JP2016237635
申请日：2016-12-07
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：阪根亮太 , 小林秀行 , 長畑寿 , ナジョンウ
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32082 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , C23C16/505 , H01J37/32449 , H01J37/32651 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0332 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31144 , H01L21/67069 , H01L21/6831 , H01L21/6833
摘要：【課題】ポストミックス構造を有するプラズマ処理装置において、良好なエッチング形状を得ることができるプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】処理容器と、前記処理容器内に設けられ、基板を保持する載置台と、前記載置台と対向する位置から第1のガスを供給可能な第1のガス供給部と、前記第1のガスをプラズマ化する高周波電源と、前記載置台の周囲を囲むように設けられ、プラズマ化された前記第1のガスを遮蔽する遮蔽部と、前記遮蔽部を介して前記処理容器内を排気する排気部と、前記遮蔽部と前記排気部との間の空間に第2のガスを供給可能な第2のガス供給部と、を有することを特徴とするプラズマ処理装置により上記課題を解決する。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2016001647A プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：JP2016001647A
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：JP2014120528
申请日：2014-06-11
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：砂金優 , 阪根亮太 , 奥西直彦
IPC分类号： C23C16/509 , H05H1/46 , H01L21/3065
摘要：【課題】複数のフィルタユニットの冷却が可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】一実施形態のプラズマ処理装置では、複数のヒータが載置台に設けられている。複数のヒータは複数のフィルタユニットのフィルタ回路をそれぞれ介してヒータ電源に接続されている。複数のフィルタユニットは、周方向に配列されている。複数のフィルタユニットによって囲まれた領域には、送風機に接続された配管が延びており、当該配管から複数のフィルタユニット内に送風される。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够冷却多个过滤器单元的等离子体处理装置。解决方案：根据实施例的等离子体处理装置，在放置基座上设置多个加热器。多个加热器分别通过多个过滤器单元的过滤器电路与加热器电源相连。多个过滤器单元沿圆周方向布置。与鼓风机连接的管道延伸到由多个过滤器单元包围的区域中，空气从管道吹入多个过滤器单元。

8. 发明专利

JP2018129224A プラズマ処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018129224A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：JP2017022341
申请日：2017-02-09
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：阪根亮太
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/02252 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32183 , H01J37/32348 , H01J37/3244 , H01J37/32568 , H05H1/46
摘要：【課題】プラズマ処理装置内に生成されるプラズマの均一性を向上させる。【解決手段】プラズマ処理装置10は、高周波電力が印加される第1の電極と、第1の電極に対して対向電極として機能する第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間に生成されるプラズマと第2の電極との間に配置された複数の誘電体ユニットと、それぞれの誘電体ユニットの位置または誘電率を独立に制御することにより、それぞれの誘電体ユニットを介するプラズマと第2の電極との間のインピーダンスを制御する制御部60とを備える。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2018092973A 処理方法および処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018092973A
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：JP2016232642
申请日：2016-11-30
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：阪根亮太 , 北澤貴 , 長畑寿 , 小林秀行 , 山岸幸司
IPC分类号： C23C16/52 , H05H1/46 , H01L21/316 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/45557 , C23C16/401 , C23C16/45504 , C23C16/45536 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/505
摘要：【課題】被処理基板に対する処理の精度の低下を抑制する。【解決手段】処理方法は、チャンバ内の処理空間に対して第1のセンサを曝露すると共に、チャンバ内の処理空間に対して第2のセンサを遮蔽する第1のステップと、チャンバ内に前駆体ガスを含む第1の処理ガスを供給する第2のステップと、第1のセンサの測定値に基づいてチャンバ内の状態を制御する第3のステップと、チャンバ内の処理空間に対して第1のセンサを遮蔽すると共に、チャンバ内の処理空間に対して第2のセンサを曝露する第4のステップと、チャンバ内に反応ガスを含む第2の処理ガスを供給する第5のステップと、第2のセンサの測定値に基づいてチャンバ内の状態を制御する第6のステップとを含み、第1のステップから第6のステップまでの処理が複数回繰り返し実行される。【選択図】図6

10. 发明专利

JP2017134950A プラズマ処理装置および制御方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017134950A
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：JP2016012720
申请日：2016-01-26
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：阪根亮太
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3299 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32183 , H01J37/32568 , H01J37/32642 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01J2237/3343
摘要：【課題】プラズマ処理装置内に生成されるプラズマの均一性を向上させる。【解決手段】プラズマ処理装置10は、高周波電力が印加される第1の電極と、第1の電極に対して対向電極として機能する第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間に生成されたプラズマの分布を制御する制御部60とを備える。第1の電極は、例えば上部電極16である。第2の電極は、下部電極2aと、下部電極2aの周囲に配置された周辺部とを有する。周辺部は、周方向に分割された複数の分割電極を含む。制御部60は、複数の分割電極のそれぞれについて、該分割電極を介するプラズマと接地との間のインピーダンスを制御する。【選択図】図1

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式