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1. 发明专利

JP2018527472A 真空処理装置及び基板を処理するための方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018527472A
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：JP2018530961
申请日：2016-09-05
申请人：エヴァテック・アーゲー
发明人：シルヴィア・シュヴィン−テニー , ロメオ・グッド , ミヒャエル・シェゾー , マルコ・パドルン
IPC分类号： C23C14/34 , H01L21/316 , C23C14/35
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/505 , H01J37/32715 , H01J37/32779 , H01J37/3408 , H01J37/3423 , H01J37/3452
摘要：本発明は、少なくとも1つの密封可能とされる円状の開口部(13)を真空処理受容器(12)の内側(i)と外側(e)との間に備えている真空処理受容器(12)であって、真空処理受容器(12)が、ターンテーブル(1)を収容しており、ターンテーブル(1)が、平面(P)をターンテーブル(1)のテーブル表面に沿って規定しており、平面(P)に対して垂直とされる中心軸線(B)を中心として回転駆動可能とされ、及び、複数の円状の基板サポート(2〜9)を呈している、真空処理受容器(12)と、ターンテーブル(1)の回転の際に基板サポート(2〜9)それぞれの領域と開口部(13)それぞれの領域とが完全に位置合わせされ且つ完全に対面するように、位置合わせされている少なくとも1つの開口部(13)と、少なくとも1つの開口部(13)に取り付けられているPVD蒸着源(14)であって、PVD蒸着源(14)が、少なくとも円状のターゲット材(15)及び定置式磁石システム(11)を呈しており、磁石システム(11)が、平面(P)に対して平行とされる平面(M)に配置されており、及び、磁石システム(11)を貫通して中心に延在している中心軸線(C)に関して回転対称とされず、平面(M)に対して垂直とされる、PVD蒸着源(14)と、を備えていることを特徴とする真空処理装置に関する。

2. 发明专利

JP6307984B2 基板処理装置有权
公开(公告)号：JP6307984B2
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：JP2014073737
申请日：2014-03-31
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：福島講平 , 尾崎徹志
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/50 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/458 , C23C16/345 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , C23C16/455 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32779 , H01J37/32862

3. 发明专利

JP6285620B2 静電チャック及び半導体・液晶製造装置有权
公开(公告)号：JP6285620B2
公开(公告)日：2018-02-28
申请号：JP2011184285
申请日：2011-08-26
申请人：新光電気工業株式会社
发明人：白岩則雄
IPC分类号： H02N13/00 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6831 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32779 , H01J37/32788 , H01L21/67109 , H01L21/68771 , H01L21/68785

4. 发明专利

JP2017510716A 複数のプラズマにおいてプロセスガスの循環によりプラズマ処理を行うための装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017510716A
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：JP2016572896
申请日：2015-03-03
申请人：マイヤー・ブルガー・(ジャーマニー)・アクチエンゲゼルシャフト
发明人：シュレム・ヘルマン , ケーア・ミルコ , アンゾルゲ・エーリク , デッカー・ダーニエール
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/50 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/4412 , C23C16/45512 , C23C16/45561 , C23C16/45593 , C23C16/50 , C23C16/545 , H01J37/3244 , H01J37/32779 , H01J37/32834 , H01J37/32871 , H01J2237/3321 , H01J2237/334
摘要：プラズマ処理を行うための装置は処理室を備えており、この処理室が、プロセスガスにより貫流される少なくとも二つのプラズマ処理領域と、ガス入口であって、このガス入口が、プロセスガスを少なくとも二つのプラズマ処理領域に案内するのに適しているガス入口と、ガス出口であって、このガス出口が、排ガスを処理室から放出するのに適しているガス出口と、循環ラインと循環ポンプを有する循環ユニットを備えており、循環ユニットが、排ガスの少なくとも一部をガス入口内に供給するのに適しており、ガス入口内に供給される排ガスが、少なくとも二つのプラズマ処理領域から流出するガスの混合物である。少なくとも二つのプラズマ処理領域からの排ガスを混合し、それを新たにガス入口に供給することにより、少なくとも二つのプラズマ処理領域からのすでに変えられたプロセスガスの成分が混合されるが、まだ変えられていない成分も混合され、これにより少なくとも二つのプラズマ処理領域に案内されるプロセスガスの均質性が達せられる。これは個々の基体間のプラズマ処理の不均質性を低減し、この不均質性は異なるプラズマ処理領域におけるプラズマ処理の差から生じる。

5. 发明专利

JP2017508892A 方向依存性の走査速度又は走査電力を用いるスパッタリングシステムおよびスパッタリング方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017508892A
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：JP2016570910
申请日：2015-02-18
申请人：インテヴァックインコーポレイテッド , インテヴァックインコーポレイテッド
发明人：シャー，ヴィネイ , リポサン，アレキサンドル , ブラック，テリー , クドリャフツェフ，ウラジミール
IPC分类号： C23C14/56 , C23C14/35 , H01L21/285
CPC分类号： H01J37/3455 , C23C14/352 , C23C14/568 , H01J37/32779 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3435 , H01J37/345
摘要：スパッタリングシステムは、入口ポートおよび出口ポートを備えた処理チャンバと、処理チャンバの壁に配置されたスパッタリングターゲットとを有する。可動式磁石装置がスパッタリングターゲットの後方に配置され、ターゲットの後方で往復して摺動する。コンベアは、スパッタリングターゲットを通過して基板を一定速度で連続的に搬送し、任意の時間に、いくつかの基板が先端と末端の間のターゲットに対向するようする。幾つかの実施形態において、可動式磁石装置は、コンベアの一定速度よりも少なくとも数倍速い速度で摺動する。転向帯域は、ターゲットの先端および末端の後方に画定され、磁石装置が転向帯域に進入すると減速し、転向帯域内で摺動方向を反転すると加速する。幾つかの実施形態において、磁石電力及び/又は磁石速度は磁石進行方向に応じて変化される。【選択図】図6

7. 发明专利

JP2015199998A 基板処理装置および基板処理方法有权
标题翻译：基板处理装置和基板处理方法
公开(公告)号：JP2015199998A
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：JP2014080532
申请日：2014-04-09
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：辛川孝行
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/318 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/511 , C23C16/4404 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01J37/32449 , H01J37/32779
摘要：【課題】低いコストで、基板にプラズマによる改質効果を与える。【解決手段】開示する基板処理装置10は、基板Wが載置される基板載置領域14aを有し、基板載置領域14aが軸線Xを中心に回転可能に設けられた載置台14と、第1の領域R1および第2の領域R2を含む処理室Cを画成する処理容器12と、第1の領域R1に前駆体ガスを供給する前駆体ガス供給部16と、第2の領域R2に第1または第2のガスを供給するプロセスガス供給部22bと、第2の領域R2において第1または第2ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部22と、第1のガスを第2の領域R2に第1の時間供給する第1の動作と、第2のガスを第2の領域R2へ第2の時間供給する第2の動作とを繰り返す反復制御を行う制御部と、を備える。【選択図】図7
摘要翻译：要解决的问题：以低成本为基板提供等离子体的改性效果。解决方案：基板处理装置10包括：平台14，其具有放置基板W的基板放置区域14a，基板放置区域14a围绕轴线X可旋转地设置; 处理容器12，其限定包括第一区域R1和第二区域R2的处理室C. 将前体气体供给到第一区域R1的前体气体供给单元16; 向第二区域R2供给第一气体或第二气体的处理气体供给单元22b; 等离子体产生单元22，其在第二区域R2中产生第一或第二气体等离子体; 以及控制单元，其反复进行第一操作以将第一气体供应到第二区域R2第一时间段，以及第二操作以将第二气体供应到第二区域R2持续第二时间段。

9. 发明专利

JP2010186904A Wafer processing apparatus 有权
标题翻译： WAFER加工设备
公开(公告)号：JP2010186904A
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：JP2009030705
申请日：2009-02-13
申请人： Kokusai Electric Semiconductor Service Inc , 株式会社国際電気セミコンダクターサービス
发明人： ISHIZU HIDEO , SUZUKI MASAYUKI
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/22 , H01L21/31 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67313 , C23C16/4409 , H01J37/32779 , H01L21/67126 , H01L21/67754
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus capable of uniformly processing even a substrate having a relatively large diameter when the substrate is processed. SOLUTION: The substrate processing apparatus 101 includes: a substrate holder 217, configured to hold a plurality of substrates (wafers) 200, in a substantially vertical attitude in an array in a lateral direction (in a substantially horizontal direction); a processing tube (process tube) 205 for housing the substrate holder 217, a throat-side sealing section (throat-side mechanical flange section) 2190 for sealing an opening of the processing tube 205; and a rotating section 255, provided to the throat-side sealing section 2190 and rotating the substrate holder 217 in a peripheral direction of the substrates, based on the array direction of the plurality of the plurality of substrates 200 (a direction in which the substrates 200 are held). The substrate holder 217 has a fixing section (movable holding section 217c) and a fixed holding section 217a for fixing the substrates 200 in a substantially vertical attitude. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在基板被加工时甚至能够均匀地加工具有相对较大直径的基板的基板处理装置。基板处理装置101包括：基板保持部217，被配置为沿大致垂直的方向（大致水平方向）排列地保持多个基板（晶片）200; 用于容纳衬底保持器217的处理管（处理管）205，用于密封处理管205的开口的喉侧密封部（喉侧机械凸缘部）2190; 以及旋转部255，其设置在咽喉侧密封部2190上，并且基于多个基板200的排列方向（基板的方向）使基板保持部217沿基板的周向旋转 200人）。基板保持器217具有固定部（活动保持部217c）和固定保持部217a，用于将基板200以基本垂直的姿势固定。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2018130544A 複数のバルーンカテーテルの遠位端をスパッタリングするための遊星ギヤアセンブリ审中-公开
公开(公告)号：JP2018130544A
公开(公告)日：2018-08-23
申请号：JP2018023800
申请日：2018-02-14
申请人：バイオセンス・ウエブスター・(イスラエル)・リミテッド , Biosense Webster (Israel), Ltd.
发明人：アサフ・ゴバリ , イェフダ・アルガウィ , イリヤ・シットニツキー
IPC分类号： A61M25/10
CPC分类号： A61M25/1029 , A61B5/0422 , A61B5/065 , A61B5/6852 , A61B18/1492 , A61B34/20 , A61B2017/00053 , A61B2017/00526 , A61B2018/0022 , A61B2018/00351 , A61B2018/00577 , A61B2034/2051 , A61L31/00 , A61M25/00 , A61M25/1036 , A61M2025/1031 , A61M2207/10 , C23C14/042 , C23C14/205 , C23C14/46 , C23C14/505 , H01J37/20 , H01J37/32715 , H01J37/32779 , H01J2237/201 , H01J2237/20214 , H01J2237/20285 , H01J2237/332
摘要：【課題】バルーンカテーテルを製造するための方法及びシステムを提供すること。【解決手段】装置は、アセンブリと中空鋳型とを含む。アセンブリには、複数のヒンジが取り付けられている。アセンブリは第1の軸を中心として回転するように構成されており、ヒンジのそれぞれは、それぞれの第2の軸を中心として回転するように更に構成されている。中空鋳型はそれぞれのヒンジに装着され、医療器具のバルーン状の遠位端を収容するようにそれぞれが構成されており、各鋳型はパターン化された開口部を有し、この開口部を通じて1又は2以上の電極が遠位端上に成膜される。【選択図】図1

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