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1. 发明专利

JP2016134318A プラズマ処理装置のチューナプリセット方法およびプラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：用于等离子体处理装置和等离子体处理装置的调谐器预置方法
公开(公告)号：JP2016134318A
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：JP2015008937
申请日：2015-01-20
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：美山遼
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/3065 , H05H1/00 , C23C16/511 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32266 , H01J37/32256 , H01J37/32972 , H01J37/3299
摘要：【課題】プラズマ処理装置において、プラズマの着火性を向上させるためのチューナの最適なプリセット位置を効率よく決定する。【解決手段】被処理体にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置1において、プラズマ発光に要する電力を整合するチューナ101をプリセットする方法であって、プラズマを発光させて、電力投入からの時間経過と、プラズマの発光強度およびチューナ101のセッティング位置との関係を取得し、発光強度を時間で微分して、発光強度の増加の割合が最大になる時間を求め、発光強度の増加の割合が最大になる時間から、前記チューナのセッティングから発光強度に反映されるまでに要する時間を引いた時間における、チューナ101のセッティング位置を、プリセット位置として設定する。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：为了有效地确定用于提高等离子体处理装置中的等离子体的点火性的调谐器的最佳预设位置。解决方案：一种预设调谐器101的方法，用于匹配等离子体处理装置1中用于等离子体处理装置1中所需的等离子体发射的功率，以执行对处理对象进行等离子体处理，诱导等离子体发射，以实现从上电，等离子体发射强度和调谐器101的设定位置的时间流逝的关系，将发光强度与时间进行微分，计算出增加时间发光强度的最大值为最大值，并将调谐器101的设定位置设定为从调谐器的设定所需的时间，直到发光强度从发射强度增加率最大。选择图：图4

2. 发明专利

JP5826185B2 可変マイクロ波回路および可調プラズマアッシング装置有权
标题翻译：可变微波电路和可调节等离子体灰化装置
公开(公告)号：JP5826185B2
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：JP2012539867
申请日：2010-11-12
申请人：ラムリサーチコーポレーション , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：シュリヴァスタヴァ,アシーム , クィーラード,ロバート
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/511 , H01P5/02 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32256

3. 发明专利

JP5376816B2 Microwave introduction mechanism, microwave plasma source and a microwave plasma processing apparatus 有权
公开(公告)号：JP5376816B2
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：JP2008066277
申请日：2008-03-14
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：太郎池田
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/511 , H01L21/205 , H05H1/46
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32256
摘要： A microwave introducing mechanism 43 includes a cylindrical container 50; an inner conductor 52, coaxially provided in the container 50, a microwave transmission path being defined between the container 50 and the inner conductor 52; a tuner 44 for adjusting an impedance of the microwave transmission path 53; and an antenna section 45 including an antenna 51 for radiating to the chamber a microwave transmitted through the microwave transmission path 53. The tuner 44 includes a pair of slugs 58 made of a dielectric material and movable along the inner conductor 52; an actuator 59 for moving the slugs 58; and a controller 60. The controller 60 controls both the slugs 58 to move together in a range of a ½ wavelength of the microwave and one of the slugs 58 to move in a range of a ¼ wavelength of the microwave with regard to the other slug.

4. 发明专利

JP2010074154A Microwave guiding arrangement, microwave plasma source, and microwave plasma processor 审中-公开
标题翻译：微波导向装置，微波等离子体源和微波等离子体处理器
公开(公告)号：JP2010074154A
公开(公告)日：2010-04-02
申请号：JP2009192095
申请日：2009-08-21
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： IKEDA TARO
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205 , H05H1/46
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32229 , H01J37/32256
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a microwave guiding arrangement with high power-transfer efficiency to an antenna and a load (plasma) and high uniformity in power supply, even when using a large-diameter antenna. SOLUTION: The microwave guiding arrangement 43 includes an antenna unit 45 having a planar antenna 54 to irradiate microwaves into a chamber 1, a coaxial tube 50 connected to the planar antenna 54 to guide the microwaves into the planar antenna 54, and a tuner 44 mounted at the coaxial tube 50 for performing an impedance matching. The planar antenna 54 includes a plurality of arcuate slots 54a uniformly formed with two sets or more each at equal length, on a plurality of virtual circles concentrically drawn at intervals of integral multiple of λg/4+δ. The slots 54a are arranged as overlapped at the same opening angle B. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：即使使用大直径天线，也能够提供对天线和负载（等离子体）具有高功率传递效率的微波引导装置和高功率电源均匀性。解决方案：微波引导装置43包括具有用于将微波照射到室1中的平面天线54的天线单元45，连接到平面天线54以将微波引导到平面天线54中的同轴管50，以及调谐器44安装在同轴管50上，用于执行阻抗匹配。平面天线54包括在以λg/ 4 +δ的整数倍的间隔同心地绘制的多个虚拟圆上均匀地形成有两个或更多个相等长度的多个弧形槽54a。槽54a以相同的开启角度B重叠布置。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JPWO2008013112A1 マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置有权
公开(公告)号：JPWO2008013112A1
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：JP2008526744
申请日：2007-07-20
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：河西　繁 , 河西　　繁
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32256
摘要：マイクロ波プラズマ源2は、マイクロ波を複数に分配した状態で出力するマイクロ波出力部30と、複数に分配されたマイクロ波を前記チャンバ内に導く複数のアンテナモジュール41とを具備し、各アンテナモジュール41は、マイクロ波を増幅するアンプ47を有するアンプ部42と、増幅されたマイクロ波をチャンバ内に放射するアンテナ51を有するアンテナ部44と、マイクロ波の伝送路におけるインピーダンス調整を行うチューナ43とを具備し、チューナ43は、アンテナ部44と一体的に設けられ、アンプ47に近接して設けられている。

6. 发明专利

JP2006339547A Plasma treatment apparatus 有权
标题翻译：等离子体处理装置
公开(公告)号：JP2006339547A
公开(公告)日：2006-12-14
申请号：JP2005164947
申请日：2005-06-06
申请人： Hitachi High-Technologies Corp , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人： KAZUMI HIDEYUKI , SANO AKIHIRO , MAKINO AKITAKA , TAMURA HITOSHI , SAKAGUCHI MASAMICHI
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/511 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32256 , H01J37/32302
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma treatment apparatus generating a plasma having high homogeneity and stability. SOLUTION: This apparatus generating a plasma uses a μ wave for rotating the μ wave in terms of time, by using a plurality (from 2 to 4) of waveguides and by arranging the waveguides. Two waveguides are declined to give phase difference in an electric field, and a circularly polarized wave is introduced into a treatment chamber. At this time, an arranging method of waveguides and a means thereof, a merging chamber in which μ waves are merged, and a controlling means of a reflected wave using a reflection controlling chamber are provided. Thus, in a method for generating a plasma using a μ wave by providing a means for rotating a μ wave in a wide parameter region, a plasma treatment apparatus can be provided which can obtain a plasma having a high density and a high homogeneity in a wide process parameter region. As a result, a homogeneous processing of a wafer can be obtained having a large aperture with a high processing rate. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种产生具有高均匀性和稳定性的等离子体的等离子体处理装置。产生等离子体的装置通过使用多个（2〜4个）波导和布置波导，使用μ波在时间上旋转μ波。两个波导在电场中下降以产生相位差，并且将圆偏振波引入处理室。此时，设置了波导及其装置的布置方法，合并微波的合流室和使用反射控制室的反射波的控制装置。因此，在通过提供用于在宽参数区域中旋转μ波的装置来使用μ波产生等离子体的方法中，可以提供等离子体处理装置，其可以获得具有高密度和高均匀性的等离子体宽工艺参数区域。结果，可以获得具有高加工速率的大孔径的晶片的均匀处理。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP6218650B2 プラズマ処理装置有权
公开(公告)号：JP6218650B2
公开(公告)日：2017-10-25
申请号：JP2014047963
申请日：2014-03-11
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：奥西直彦 , 永島望
IPC分类号： H03H7/01 , H01L21/205 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32284 , H01J37/32082 , H01J37/32155 , H01J37/32174 , H01J37/32192 , H01J37/32256 , H01L21/67069 , H01L21/67248 , H01L21/6831

8. 发明专利

JP5890204B2 スラグチューナ、それを用いたマイクロ波プラズマ源、およびマイクロ波プラズマ処理装置有权
标题翻译：弹头调谐器，微波等离子体源，和微波等离子体处理装置使用相同的
公开(公告)号：JP5890204B2
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：JP2012048401
申请日：2012-03-05
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：河西繁 , 池田太郎 , 小松智仁
IPC分类号： H01L21/3065 , H01P5/103 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3222 , H01J37/32256 , H01P1/045 , H01P3/06 , H01P5/026 , H05H1/46 , H05H2001/463

9. 发明专利

JP2013108179A Apparatus for performing plasma chemical vapor deposition 有权
标题翻译：用于执行等离子体化学气相沉积的装置
公开(公告)号：JP2013108179A
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：JP2012253248
申请日：2012-11-19
申请人： Draka Comteq Bv , ドラカコムテクビー.ブイ.
发明人： VAN STRALEN MATTHEUS JACOBUS NICOLAAS , MILICEVIC IGOR , HARTSUIKER JOHANNES ANTOON
IPC分类号： C23C16/511 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/511 , C03B37/0183 , H01J37/32229 , H01J37/32256
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus which follows a preamble, wherein load matching is improved while the sensitivity to arcing is not increased.SOLUTION: An apparatus for performing a plasma chemical vapor deposition process includes a mainly cylindrical resonator 2. The resonator includes an outer cylindrical wall 4 enclosing a resonant cavity 5 having a substantially rotation symmetric shape with respect to a cylindrical axis C, and further includes a plurality of sidewall portions bounding the resonant cavity in opposite cylindrical axis directions. The apparatus further includes a microwave guide 3 having an end extending through the outer cylindrical wall into the resonant cavity. The length of the resonant cavity in the cylindrical direction varies as a function of a distance in the radial direction to the cylindrical axis.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种跟随前置码的装置，其中改善了负载匹配，同时不增加对电弧的灵敏度。解决方案：用于执行等离子体化学气相沉积工艺的装置包括主要为圆柱形的谐振器2.谐振器包括外圆柱形壁4，其包围相对于圆柱形轴线C具有大致旋转对称形状的谐振腔5，以及还包括在相对的圆柱轴线方向上限定谐振腔的多个侧壁部分。该装置还包括微波引导件3，其具有延伸穿过外圆筒壁进入谐振腔的端部。谐振腔在圆柱方向上的长度随径向相对于圆柱轴线的距离而变化。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP4837854B2 Matching device and plasma processing apparatus 有权
公开(公告)号：JP4837854B2
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：JP2001300406
申请日：2001-09-28
申请人：日本高周波株式会社 , 東京エレクトロン株式会社
发明人：信雄石井 , 己拔篠原
IPC分类号： H01P5/04 , H05H1/46 , H01J37/32 , H01L21/205 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC分类号： H01J37/32256 , H01J37/32192 , H01P5/04

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