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    • 2. 发明专利
    • 積層セラミックコンデンサ
    • 多层陶瓷电容器
    • JP2015053526A
    • 2015-03-19
    • JP2014246070
    • 2014-12-04
    • 株式会社村田製作所Murata Mfg Co Ltd
    • IKEDA MITSURU
    • H01G4/232H01G4/12H01G4/30
    • H01G4/012H01G2/12H01G4/12H01G4/232H01G4/30
    • 【課題】水分の浸入や、内層部と外層部との間での剥離などを抑制、防止することが可能で、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】セラミック素体10が、内部電極2(2a,2b)が誘電体セラミック層1を介して積層されている領域である内層部12の外側に、厚みが15μm以上、25μm以下の外層部13(13a,13b)を有し、内層部は、積層方向の最も外側に位置する内部電極と誘電体セラミック層を介して対向する内層カバー電極22(22a,22b)を備え、外層部は内層カバー電極と誘電体セラミック層を介して対向する外層カバー電極23(23a,23b)を備え、内層カバー電極の被覆率が75%以上、100%以下であり、外層カバー電極の被覆率が50%以上、70%以下であり、外層カバー電極と、その外側に位置する誘電体セラミック層との境界には、MgとMnとを含有する境界層が形成されている構成とする。【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种高可靠性的多层陶瓷电容器,其可以抑制和防止水的侵入,内层部分和外层部分之间的剥离。多层陶瓷电容器被构造成:陶瓷元件体 10包括外层部分13(13a,13b),其内层电极2(2a,2b)层叠的内层部分12的外侧具有不小于15μm且不超过25μm的厚度 通过电介质陶瓷层1; 内层部分包括经由电介质陶瓷层在层叠方向上位于最外侧的内电极的内层覆盖电极22(22a,22b); 外层部分包括通过电介质陶瓷层面对内层覆盖电极的外层覆盖电极23(23a,23b); 内层覆盖电极的覆盖率不小于75%且不大于100%,外层覆盖电极的覆盖率不小于50%且不大于70%; 并且在外层覆盖电极和位于外层覆盖电极外侧的电介质陶瓷层之间的边界上形成包含Mg和Mn的边界层。
    • 7. 发明专利
    • Semiconductive chip element having insulating coating layer and method of manufacturing same
    • 具有绝缘涂层的半导体芯片元件及其制造方法
    • JP2006229178A
    • 2006-08-31
    • JP2005136709
    • 2005-05-09
    • Samsung Electro-Mechanics Co Ltdサムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド.
    • KO KYUNG HEESHIN JI HWANCHOI CHANG HAK
    • H01C7/10
    • H01L23/291H01C1/028H01C7/001H01C7/18H01C17/02H01G2/12H01G4/232H01G4/255H01G4/30H01L2924/0002H01L2924/09701H01L2924/3011H01L2924/00
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductive chip element having an insulating coating layer and a method of manufacturing the element.
      SOLUTION: A method of manufacturing a semiconductive chip element having an insulating coating layer includes a step of providing a semiconductive chip element and a polycrystal semiconductive chip having a surface requiring an insulating characteristic, then etching them, the element including the polycrystal semiconductive chip, outer electrodes formed at both ends of the semiconductive chip, and an insulating coating layer that is formed on a surface of the semiconductive chip and made by fusing glass powder to a silane coupling agent; a step of dipping an etched semiconductive chip into a silane coupling solution, then removing water in the solution adhered on a surface of the chip; a step of adhering glass powder to the surface of the semiconductor chip from which the water has been removed, then performing primary heat treatment to the chip; and a step of forming outer electrodes on the semiconductor chip subjected to the primary heat treatment, then performing secondary heat treatment to the chip, thereby forming an insulating coating layer on the surface of the chip.
      COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
    • 要解决的问题:提供一种具有绝缘涂层的半导体芯片元件和该元件的制造方法。 解决方案:制造具有绝缘涂层的半导体芯片元件的方法包括提供半导体芯片元件和具有需要绝缘特性的表面的多晶半导体芯片的步骤,然后对其进行蚀刻,所述元件包括多晶半导体 芯片,形成在半导体芯片的两端的外部电极,以及形成在半导体芯片的表面上并通过将玻璃粉末融合到硅烷偶联剂而制成的绝缘涂层; 将蚀刻的半导体芯片浸入硅烷偶联溶液中,然后除去附着在芯片表面上的溶液中的水; 将玻璃粉末粘附到已经从其去除水的半导体芯片的表面上,然后对芯片进行一次热处理的步骤; 以及在经受一次热处理的半导体芯片上形成外部电极的步骤,然后对芯片进行二次热处理,从而在芯片的表面上形成绝缘涂层。 版权所有(C)2006,JPO&NCIPI