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1. 发明专利

JP2020043124A 蓄電デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2020043124A
公开(公告)日：2020-03-19
申请号：JP2018167104
申请日：2018-09-06
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 国立大学法人東京大学
发明人：加藤祐樹 , 廣井善二
IPC分类号： H01G11/56 , H01G4/10 , C04B35/547 , H01G4/12
摘要：【課題】安価な誘電体材料を有する蓄電デバイスにおいて静電容量を向上させることを課題とする。【解決手段】二つの電極の間に誘電体を配した蓄電デバイスであって、誘電体はLi 4−x M 1−x P x S 4−y O y (0

2/nmc(137)に属する対称性を有し、二つの電極の電極面は前記誘電体の[001]結晶格子面の垂直方向に電圧を印加可能な位置にそれぞれ配置される。
【選択図】図1

2. 发明专利

JP6668341B2 エネルギー蓄積デバイスおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6668341B2
公开(公告)日：2020-03-18
申请号：JP2017519933
申请日：2015-11-03
申请人：キャパシタサイエンシスインコーポレイテッド
发明人：ラザレフ,パヴェル,イワン
IPC分类号： H01G4/32 , H01G4/20 , H01G4/10 , H01G4/30 , H01G4/33

3. 发明专利

JP2019091888A 金属酸窒化物薄膜および金属酸窒化物薄膜の製造方法、並びに、容量素子审中-公开
公开(公告)号：JP2019091888A
公开(公告)日：2019-06-13
申请号：JP2018196779
申请日：2018-10-18
申请人： TDK CORP
发明人： YAMAZAKI KUMIKO , NAGAMINE YUKI , SHIBAHARA TAKESHI , UMEDA YUJI , YAMAZAKI JUNICHI
IPC分类号： H01G4/33 , C01G23/00 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01G41/00 , C23C14/06 , H01B3/00 , H01G4/10 , H01L41/187 , H01L41/316
摘要：【課題】誘電特性が良好でありながら絶縁抵抗率が高い金属酸窒化物薄膜およびその製造方法並びに当該金属酸窒化物薄膜を備える容量素子を提供すること。【解決手段】ペロブスカイト構造を有する金属酸窒化物薄膜であって、金属酸窒化物薄膜が、組成式A1+αBOx+αNyで表される組成を有し、αが0より大きく0.300以下、x+αが2.450より大きく、yが0.300以上0.700以下であり、ペロブスカイト構造のc軸に垂直な面に平行な層状構造であって、一般式AOで表される組成を有するAO構造を有し、AO構造は、ペロブスカイト構造中に、ペロブスカイト構造と結合して組み込まれていることを特徴とする金属酸窒化物薄膜である。【選択図】図5

4. 发明专利

JP6519112B2 薄膜キャパシタ有权
公开(公告)号：JP6519112B2
公开(公告)日：2019-05-29
申请号：JP2014150772
申请日：2014-07-24
申请人： TDK株式会社
发明人：倉知克行 , 浪川達男 , 青谷淳司 , 油川祐基 , 田中成明
IPC分类号： H01G4/10 , H01G4/33

5. 发明专利

JP6425334B2 強誘電体キャパシタおよび電子デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP6425334B2
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：JP2014183184
申请日：2014-09-09
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：長田貴弘 , 北村健二
IPC分类号： H01G4/10 , H01L41/257 , H01L41/113 , H01L41/187 , H01L41/29 , H01L41/047 , H01L37/02 , C01G33/00 , C01G35/00 , H01G4/33

6. 发明专利

JP2018108926A 誘電体組成物および電子部品审中-公开
公开(公告)号：JP2018108926A
公开(公告)日：2018-07-12
申请号：JP2017254537
申请日：2017-12-28
申请人： TDK株式会社 , 厦門ティーディーケイ有限公司
发明人：葛桂賓 , 張瑞倫 , 張帆 , 黄錦涛 , 武藤和也 , 大津大輔 , 渡邊翔
IPC分类号： H01B3/12 , H01G4/12 , H01G4/10 , H01G4/30 , C04B35/468
CPC分类号： C01G23/006 , C01G29/006 , C01P2002/34 , C04B35/465 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B35/475 , C04B35/62685 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3277 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/442 , C04B2235/768 , H01B3/12 , H01G4/1227 , H01G4/33
摘要：【課題】実質的に鉛を使用しないにもかかわらず、比誘電率および交流破壊電圧が良好であり常温での誘電損失が小さい誘電体組成物等を提供する。【解決手段】チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、酸化チタンおよび酸化ビスマスを含有する誘電体組成物である。チタン酸バリウムの含有量をBaTiO 3 換算でaモル%、チタン酸ストロンチウムの含有量をSrTiO 3 換算でbモル%、酸化チタンおよび酸化ビスマスの含有量をBi 2 Ti 3 O 9 換算でcモル%とし、a+b+c=100とする。a,bおよびcが三元系相図上にて下記点A,点B,点Cおよび点Dの4点に囲まれる範囲内の値であることを特徴とする。点A:(a,b,c)=(52.1,40.0,7.9)点B:(a,b,c)=(86.5,5.6,7.9)点C:(a,b,c)=(91.0,5.6,3.4)点D:(a,b,c)=(56.6,40.0,3.4) 【選択図】図1

7. 发明专利

JP2017130583A 蓄電装置及びその製造方法、センサ装置、情報処理システム审中-公开
公开(公告)号：JP2017130583A
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：JP2016009935
申请日：2016-01-21
申请人：富士通株式会社
发明人：北田秀樹
IPC分类号： H01G4/33 , H01G4/08 , H01G4/10 , H01G4/00
摘要：【課題】ビアホールを用いたキャパシタを容易に製造できるようにする。【解決手段】蓄電装置を、基板8の一方の表面側に設けられた第1表面電極1と、基板の他方の表面側に設けられた第2表面電極2と、基板の一方の表面側から設けられた第1ビアホール3と、基板の他方の表面側から設けられた第2ビアホール4と、第1ビアホールの内部に設けられ、第1表面電極から突出する第1金属ビア電極5と、第1ビアホールの内部に設けられ、第1金属ビア電極の表面を覆う絶縁膜6と、第2ビアホールの内部に設けられ、第2表面電極から突出する第2金属ビア電極7とを備え、第1金属ビア電極と第2金属ビア電極の間に絶縁膜の少なくとも一部分が挟まれてキャパシタ9を構成しているものとする。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2015519471A 原子層堆積法审中-公开
标题翻译：原子层沉积
公开(公告)号：JP2015519471A
公开(公告)日：2015-07-09
申请号：JP2015503940
申请日：2013-04-03
申请人：ダイソンテクノロジーリミテッド , ダイソンテクノロジーリミテッド
发明人：アマートゥンガ，ゲハン・アンジール・ジョセフ , チョイ，ヨンジン , シバレッディ，サイ・ギリドハール , ブラウン，ネイサン・チャールズ , コリス，チャールズ・アンソニー・ニールド
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40 , H01G4/10 , H01L21/316
CPC分类号： H01L28/40 , C23C16/06 , C23C16/405 , C23C16/455 , C23C16/45527 , C23C16/52 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/0228
摘要：原子層堆積プロセスを使用して、基材上に材料を堆積する方法であって、前記堆積プロセスが、第1の堆積ステップと、前記第1の堆積ステップに後続する第2の堆積ステップと、前記第1の堆積ステップおよび前記第2の堆積ステップ間の少なくとも1分の遅延とを含む、方法。各堆積ステップは、複数の堆積サイクルを含む。選択した1回の堆積サイクルの終わりで、基材を収容する処理チャンバーにパージガスを供給する時間を延長することによって、遅延を堆積プロセスに導入する。
摘要翻译：使用原子层沉积工艺中，材料沉积到基底上的方法，所述沉积过程中，下面的第一沉积步骤的第二沉积步骤，第一沉积步骤中，和所述第一沉积步骤和第二沉积步骤中，所述方法之间至少1周分钟的延迟。每个沉积步骤包括多个沉积循环。在所选择的一个沉积循环结束时，通过延长时间用于供应吹扫气体到含有基板的处理室中，引入一个延迟，以在沉积工艺。

9. 发明专利

JP2015126157A 薄膜キャパシタ有权
标题翻译：薄膜电容器
公开(公告)号：JP2015126157A
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：JP2013270789
申请日：2013-12-27
申请人： TDK株式会社
发明人：青谷淳司 , 矢野義彦 , 及川泰伸
IPC分类号： H01G4/18 , H01G4/10 , H01G4/12 , H01G4/33
摘要：【課題】耐圧性能を長期にわたって維持できる薄膜キャパシタを提供する。【解決手段】下部電極2と、下部電極上に設けられ欠陥を包含する誘電体層3と、誘電体層上に形成された上部電極とを備える。誘電体層の欠陥5領域と上部電極との界面には樹脂材料による絶縁体構造物6が形成されている。この絶縁体構造物は上部電極と接するように形成されており、かつ、誘電体層の欠陥上に空隙7を形成する構造を有する。絶縁体構造物と空隙とにより、欠陥と上部電極とを確実に離間させ、薄膜キャパシタ1の長期的な耐圧特性を向上させる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够长期保持击穿电压性能的薄膜电容器。解决方案：薄膜电容器1包括下电极2，设置在下电极上的电介质层3，包括：缺陷和形成在电介质层上的上电极。在电介质层的缺陷5区域和上部电极的界面上，由树脂材料形成绝缘体结构体6。绝缘体结构形成为与上电极接触，并且具有在电介质层的缺陷上形成腔7的结构。缺陷和上电极通过绝缘体结构和空腔可靠地隔开，薄膜电容器1的长期击穿电压特性得到提高。

10. 发明专利

JP5383042B2 Composite oxide film and a method of manufacturing the same, dielectric material comprising a composite oxide film, a piezoelectric material, capacitors, piezoelectric element and electronic equipment 有权
公开(公告)号：JP5383042B2
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：JP2007526914
申请日：2006-07-28
申请人：昭和電工株式会社
发明人：彰彦白川
IPC分类号： C01G23/00 , C23C28/04 , C25D11/26 , H01G4/005 , H01G4/10 , H01L41/22 , H01L41/317 , H01L41/43
CPC分类号： C01G23/003 , C01G1/02 , C01G23/006 , C01P2002/34 , C01P2006/40 , C25D11/26 , H01G4/10 , H01G4/1209 , H01G4/33 , H01G9/0032 , H01G9/0036 , H01L41/1871 , H01L41/317 , H01L41/43 , Y10T428/256 , Y10T428/266
摘要： The invention relates to a method for a complex oxide film having a high relative dielectric constant and a thickness which can be arbitrarily controlled, which is obtained, without using any large-scale equipment, by forming a metal oxide layer containing a first metal element on substrate surface and then allowing the layer to react with a solution containing a second metal ion to thereby form a complex oxide film containing the first and second metal elements, and a production method thereof. Further, the invention relates to a dielectric material and a piezoelectric material containing the complex oxide film, a capacitor and a piezoelectric element including the material, and an electronic device comprising the element.

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