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1. 发明专利

KR20210032143A KR20210032143A - Method and apparatus for treating a substrate 审中-公开
公开(公告)号：KR20210032143A
公开(公告)日：2021-03-24
申请号：KR1020190113534A
申请日：2019-09-16
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 김희환 , 이지영 , 홍용훈 , 김도연
IPC分类号： G03F7/30 , G03F7/20 , G03F7/42 , H01L21/02
CPC分类号： G03F7/30 , G03F7/422 , G03F7/70608 , H01L21/02052 , H01L21/02307 , H01L21/02343
摘要： 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 처리 공간 내에서 기판을 제1처리액으로 처리하는 제1 처리 단계와; 제1 처리 단계 이후에, 처리 공간에 전위 조절액을 공급하여 처리 공간 내 구조물의 전위를 조절하는 전위 조절 단계와; 전위 조절 단계 이후에, 처리 공간 내에서 기판을 제2처리액으로 처리하는 제2처리 단계를 포함할 수 있다.

2. 发明专利

JP2017123402A 洗浄装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017123402A
公开(公告)日：2017-07-13
申请号：JP2016001751
申请日：2016-01-07
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：小澤卓 , 横山俊夫 , 戸川哲二
IPC分类号： B08B3/08 , H01L21/027 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/024 , B08B3/08 , B08B3/10 , B08B7/0071 , G03F7/422 , H01L21/67098 , H01L21/67109 , B08B2230/01
摘要：【課題】高温の洗浄液により洗浄効果を向上させることのできる洗浄装置を提供する。【解決手段】洗浄装置1は、基板Wの洗浄面を加熱する加熱ユニット5と、基板Wの洗浄面にオゾン水を供給して洗浄面を洗浄する洗浄ユニット6と、基板Wの洗浄面を加熱した後に洗浄面を洗浄するように、洗浄面の加熱と洗浄液の供給を制御する制御ユニット7を備えている。【選択図】図1

3. 发明专利

JP5646882B2 洗浄組成物、洗浄方法、及び半導体装置の製造方法有权
标题翻译：清洁组合物，清洁方法，和半导体器件的制造方法
公开(公告)号：JP5646882B2
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：JP2010116623
申请日：2010-05-20
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：智威高橋 , 智威高橋 , 和敬高橋 , 和敬高橋 , 篤史水谷 , 篤史水谷 , 関　裕之 , 裕之関 , 英生伏見 , 英生伏見 , 知夫加藤 , 知夫加藤
IPC分类号： C11D7/10 , C11D1/10 , C11D3/04 , C11D3/20 , C11D3/30 , C11D7/26 , C11D7/32 , H01L21/027 , H01L21/304 , H01L21/3065
CPC分类号： G03F7/425 , C09K13/00 , C09K13/06 , C11D7/08 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3245 , C11D7/34 , C11D7/5013 , C11D11/0047 , G03F7/422 , G03F7/423 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L21/02068 , H01L21/02071 , H01L21/31133 , H01L21/32134 , H01L21/32136 , H01L21/32138 , H01L21/32139

4. 发明专利

JP2014239195A 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体有权
标题翻译：基板加工方法，基板加工设备和储存介质
公开(公告)号：JP2014239195A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：JP2013122058
申请日：2013-06-10
申请人：東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Electron Ltd
发明人： MIYATA YUICHIRO , TANAKA KEIICHI , UEDA KENICHI , SHIOZAWA TAKAHIRO
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/40
CPC分类号： H01L21/0273 , G03F7/422 , H01L21/02065 , H01L21/31133 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L21/7684 , H01L2224/11916
摘要：【課題】パターンマスク表面の荒れを改善するために処理を行う方法において、パターンマスクの崩壊を防ぎながらパターンマスク表面を平坦化する技術を提供すること。【解決手段】露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対し、第1の溶剤によりパターンマスク表面を溶解させたのち乾燥させる工程に引き続いて、第2の溶剤によりパターンマスク表面を溶解させたのち乾燥させる工程を行う。これらの工程の際、第2の溶剤に比して第1の溶剤がパターンマスク表面へと浸透しやすいよう各溶剤の種類,基板温度及び溶剤濃度等の条件をコントロールする。この方法により、第1の溶剤による処理でパターン表面の荒れを改善し、第2の溶剤による処理で微細なパターン表面の荒れを除去することで、パターンマスクの崩壊を防ぐとともにパターンマスク表面の荒れを効率的に平坦化する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于在防止图案掩模塌陷的同时平坦化图案掩模表面的技术，用于改善图案掩模表面的粗糙度的处理方法。解决方案：对于具有通过曝光和显影形成的图案掩模的基板在用第一溶剂溶解图案掩模表面然后干燥的步骤之后，进行用第二溶剂溶解图案掩模表面然后干燥的步骤。在这些步骤中，控制诸如各种溶剂的类型，基板温度和溶剂浓度的条件，使得第一溶剂与第二溶剂相比容易渗透到图案掩模表面。通过利用第一溶剂的处理改善图案表面的粗糙度，并且通过用第二溶剂的处理去除图案表面的细微粗糙度，可以有效地平面化图案掩模表面的粗糙度，同时防止图案掩模塌陷。

5. 发明专利

JP5306755B2 Substrate treatment solution and resist substrate processing method using the same 有权
公开(公告)号：JP5306755B2
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：JP2008236575
申请日：2008-09-16
申请人： AzエレクトロニックマテリアルズIp株式会社
发明人：暁偉王 , 浦裕里子松 , 池徹小 , 山朋英片 , 文兵康
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/40
CPC分类号： G03F7/422
摘要： The present invention provides a resist substrate treating solution and a method employing the solution for treating a resist substrate. This treating solution enables to remove efficiently resist residues remaining on a surface of the resist substrate after development, and further to miniaturize a resist pattern. The solution is used for treating a resist substrate having a developed photoresist pattern, and comprises a solvent incapable of dissolving the photoresist pattern and a polymer soluble in the solvent. The developed resist substrate is brought into contact with the treating solution, and then washed with a rinse solution such as water to remove efficiently resist residues remaining on the resist substrate surface. The solvent and the polymer are preferably water and a water-soluble polymer, respectively.

6. 发明专利

JP2013130726A Positive lithographic printing original plate and manufacturing method of lithographic printing plate 审中-公开
标题翻译：立体印刷原版和平版印刷板的制造方法
公开(公告)号：JP2013130726A
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：JP2011280339
申请日：2011-12-21
申请人： Eastman Kodak Co , イーストマンコダックカンパニー
发明人： TSUSHIMA MOTOHIRO , ASAWA YASUHIRO
IPC分类号： G03F7/035 , C08G18/61 , G03F7/00 , G03F7/004 , G03F7/075 , G03F7/095 , G03F7/32
CPC分类号： G03F7/0758 , B41C1/1008 , B41C1/1016 , B41C2201/04 , B41C2210/02 , B41C2210/06 , B41C2210/14 , B41C2210/22 , B41C2210/24 , B41C2210/266 , G03F7/422
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lithographic printing original plate that has high print resistance, excellent scratch resistance, excellent developing characteristics, and improved ink receptivity.SOLUTION: A positive lithographic printing original plate includes an image forming layer that comprises (1) a substrate, and (2) a resin and a photothermal conversion material that are water insoluble and soluble or dispersible in an alkaline aqueous solution. The resin includes one or both of polyurethane and polyurethane urea that include a unit having a substituent having acidic hydrogen atoms and a unit having a polysiloxane region on a main chain or a side chain.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高耐印刷性，优异的耐刮擦性，优异的显影特性和改善的墨接受性的平版印刷原版。解决方案：正版平版印刷原版包括图像形成层，其包括（1）基材，和（2）水不溶性且可溶于或分散在碱性水溶液中的树脂和光热转换材料。树脂包括聚氨酯和聚氨酯脲中的一种或两种，其包括具有酸性氢原子的取代基的单元和在主链或侧链具有聚硅氧烷区的单元。

7. 发明专利

JP5165131B2 Substrate processing apparatus 有权
公开(公告)号：JP5165131B2
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：JP2012121793
申请日：2012-05-29
申请人：株式会社ジェイ・イー・ティ
发明人：倫正舟橋 , 賢二乙訓 , 裕樹江戸 , 秀明鈴木
IPC分类号： H01L21/027 , G02F1/13 , H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/67051 , G03F7/422

8. 发明专利

JP2012058273A Photoresist residue and polymer residue removing liquid composition 审中-公开
标题翻译：光催化剂残留物和聚合物残留物去除液体组合物
公开(公告)号：JP2012058273A
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：JP2010198302
申请日：2010-09-03
申请人： Kanto Chem Co Inc , 関東化学株式会社
发明人： OWADA HIROHISA
IPC分类号： G03F7/42 , C11D7/26 , C11D7/50 , H01L21/027 , H01L21/304
CPC分类号： G03F7/422 , C11D7/261 , C11D7/263 , C11D7/265 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , G03F7/426 , H01L21/02063 , H01L21/31133
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a removing liquid composition for removing a photoresist residue and a polymer residue generated in a process for manufacturing a semiconductor circuit element having a metal wiring, and a method for removing residues using the same, in particular, a photoresist residue and polymer residue removing liquid composition which does not contain a nitrogen-containing organic hydroxy compound, ammonia and a fluorine compound, contains as a residue removing component an aliphatic polycarboxylic acid having excellent metal oxide-based residue removing properties and a melting point of 25°C or higher, and can inhibit recrystallization of the aliphatic polycarboxylic acid by evaporation of water after the solution adheres to a liquid ejection nozzle of a cleaning device, a cleaning tank and the periphery of a chamber, and a method for removing residues using the same.SOLUTION: The photoresist residue and polymer residue removing liquid composition containing an aliphatic polycarboxylic acid having a melting point of 25°C or higher contains a water-miscible organic solvent having a hydroxyl group within the structure and a vapor pressure at 20°C of 17 mmHg or less.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于除去在具有金属布线的半导体电路元件的制造工艺中产生的光致抗蚀剂残渣和聚合物残渣的去除液体组合物，以及用于除去残留物的方法，特别是不含氮有机羟基化合物，氨和氟化合物的光致抗蚀剂残渣和聚合物残渣除去液体组合物含有作为残渣除去成分的具有优异的金属氧化物基残渣除去性和熔融的脂肪族多元羧酸点在25℃以上，并且可以在溶液粘附到清洁装置，清洗槽和室周边的液体喷射嘴之后，通过蒸发水来抑制脂族多元羧酸的再结晶，以及除去残留物使用相同。解决方案：含有熔点为25℃或更高的脂肪族多元羧酸的光致抗蚀剂残留物和聚合物残渣除去液体组合物含有在结构内具有羟基的水混溶性有机溶剂，并且蒸气压在20℃ 17mmHg以下。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP4795854B2 Substrate processing method and a substrate processing apparatus 有权
公开(公告)号：JP4795854B2
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：JP2006156485
申请日：2006-06-05
申请人：大日本スクリーン製造株式会社
发明人：彰夫橋詰
IPC分类号： H01L21/027 , B08B3/02 , H01L21/304
CPC分类号： B08B3/08 , G03F7/422 , H01L21/31133 , H01L21/6708

10. 发明专利

JP2011198933A Device and method for removing resist 审中-公开
标题翻译：用于去除电阻的装置和方法
公开(公告)号：JP2011198933A
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：JP2010062769
申请日：2010-03-18
申请人： Iwatani Internatl Corp , Tokyo Electron Ltd , 岩谷産業株式会社 , 東京エレクトロン株式会社
发明人： DOBASHI KAZUYA , FUSE SATOSHI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/42
CPC分类号： G03F7/422 , H01L21/31133 , H01L21/6708
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist removal device that enables resist to be removed more effectively than conventional resist removal methods that use solvents, without oxidizing the substrate material other than the resist.SOLUTION: The resist removal device, which removes resist from a wafer W on which the resist has been formed, is provided with a cluster spraying means 3 which sprays, to the wafer W, clusters, each of which comprises a plurality of agglomerated organic-system solvent molecules.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种抗蚀剂去除装置，其能够比使用溶剂的常规抗蚀剂去除方法更有效地去除抗蚀剂，而不会氧化除抗蚀剂以外的基底材料。解决方案：抗蚀剂去除装置，其从其上形成有抗蚀剂的晶片W设置有簇喷射装置3，其向晶片W喷射簇，每个簇包括多个附聚的有机系溶剂分子。

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