专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2015015370A 塗布膜の形成方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体有权
标题翻译：形成涂膜，程序和计算机存储介质的方法
公开(公告)号：JP2015015370A
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：JP2013141295
申请日：2013-07-05
申请人：東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Electron Ltd
发明人： UEDA KENICHI
IPC分类号： H01L21/027 , B05C9/14 , G03F7/16 , H01L21/3065 , H05B3/10
CPC分类号： H05B1/0233 , G03F7/168 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/02318 , H01L21/02323 , H01L21/02337 , H01L21/0271 , H01L21/3105 , H01L21/67115
摘要：【課題】段差を有する基板上に塗布液を塗布して塗布膜を形成するにあたり、基板の段差の影響を抑えた段差の少ない塗布膜を形成する。【解決手段】塗布液が塗布された基板を、塗布液の溶剤の揮発温度以上で且つガラス転移点より低い温度である第1の温度で加熱する。その後、塗布液のガラス転移点以上で且つ塗布液の架橋開始温度より低い第2の温度で前記基板を加熱し、次いで塗布液の架橋開始温度以上で且つ塗布膜の材料分解温度よりも低い第3の温度で基板を加熱して塗布膜を形成する。基板の加熱処理は、基板に光を照射して行う。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过涂布具有高度差的基板来形成涂膜的方法，该涂布液可以通过该涂布液形成具有较小高度差的涂膜，同时抑制基板上的高度差的影响。解决方案：一种形成涂膜的方法包括以下步骤：在涂布液的溶剂的挥发温度以上且低于玻璃化转变点的第一温度下加热涂布有涂布液的基材; 然后在等于或高于涂布液的玻璃化转变点的第二温度下加热基材，并且低于涂布液的交联开始温度; 然后在等于或高于涂布液的交联起始温度的第三温度下加热基材，并且低于涂膜的材料的分解温度以形成涂膜。通过用光照射基板来进行基板上的热处理。

2. 发明专利

JP2014239195A 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体有权
标题翻译：基板加工方法，基板加工设备和储存介质
公开(公告)号：JP2014239195A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：JP2013122058
申请日：2013-06-10
申请人：東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Electron Ltd
发明人： MIYATA YUICHIRO , TANAKA KEIICHI , UEDA KENICHI , SHIOZAWA TAKAHIRO
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/40
CPC分类号： H01L21/0273 , G03F7/422 , H01L21/02065 , H01L21/31133 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L21/7684 , H01L2224/11916
摘要：【課題】パターンマスク表面の荒れを改善するために処理を行う方法において、パターンマスクの崩壊を防ぎながらパターンマスク表面を平坦化する技術を提供すること。【解決手段】露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対し、第1の溶剤によりパターンマスク表面を溶解させたのち乾燥させる工程に引き続いて、第2の溶剤によりパターンマスク表面を溶解させたのち乾燥させる工程を行う。これらの工程の際、第2の溶剤に比して第1の溶剤がパターンマスク表面へと浸透しやすいよう各溶剤の種類,基板温度及び溶剤濃度等の条件をコントロールする。この方法により、第1の溶剤による処理でパターン表面の荒れを改善し、第2の溶剤による処理で微細なパターン表面の荒れを除去することで、パターンマスクの崩壊を防ぐとともにパターンマスク表面の荒れを効率的に平坦化する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于在防止图案掩模塌陷的同时平坦化图案掩模表面的技术，用于改善图案掩模表面的粗糙度的处理方法。解决方案：对于具有通过曝光和显影形成的图案掩模的基板在用第一溶剂溶解图案掩模表面然后干燥的步骤之后，进行用第二溶剂溶解图案掩模表面然后干燥的步骤。在这些步骤中，控制诸如各种溶剂的类型，基板温度和溶剂浓度的条件，使得第一溶剂与第二溶剂相比容易渗透到图案掩模表面。通过利用第一溶剂的处理改善图案表面的粗糙度，并且通过用第二溶剂的处理去除图案表面的细微粗糙度，可以有效地平面化图案掩模表面的粗糙度，同时防止图案掩模塌陷。

3. 发明专利

JP2014075391A Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium 有权
标题翻译：基板处理装置，基板处理方法和存储介质
公开(公告)号：JP2014075391A
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：JP2012220632
申请日：2012-10-02
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： UEDA KENICHI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/40
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To perform uniform treatment on a surface of a water W and inhibit occurrence of crinkling and falling of a pattern when performing treatment for improving roughness of a pattern mask formed on the wafer W.SOLUTION: A liquid reservoir part 53 for accumulating a solvent is installed above a wafer W placed on a stage 41 in a processing container 3, and an LED provided above the liquid reservoir part 53 radiates light to heat the solvent stored in the liquid reservoir part 53 to generate steam of the solvent. The solvent steam forms a solvent atmosphere with high density uniformity in a treatment atmosphere of the wafer W by natural diffusion and diffusion (dispersion) effect of a diffuser panel 31 provided between the liquid reservoir part 53 and the wafer W. Thus, a substrate processing apparatus can perform treatment (smoothing treatment) for improving roughness of a pattern mask on a surface of the wafer W with high uniformity.
摘要翻译：要解决的问题：为了在进行用于改善在晶片W上形成的图案掩模的粗糙度的处理中抑制水W的表面的均匀处理，并且抑制图案的起皱和下降。溶液：用于在处理容器3中放置在载物台41上的晶片W的上方设置积存溶剂，并且设置在储液部53的上方的LED发光，以加热存储在储液部53中的溶剂，生成溶剂蒸汽。溶剂蒸汽通过设置在储液部53和晶片W之间的扩散板31的自然扩散扩散（分散）效果，在晶片W的处理气氛中形成高密度均匀性的溶剂气氛。因此，基板处理设备可以进行处理（平滑处理），以高度均匀地改善晶片W的表面上的图案掩模的粗糙度。

4. 发明专利

JP2011035186A Coating processing device, coating processing method, program, and computer storage medium 有权
标题翻译：涂料加工设备，涂料加工方法，程序和计算机存储介质
公开(公告)号：JP2011035186A
公开(公告)日：2011-02-17
申请号：JP2009180425
申请日：2009-08-03
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： UEDA KENICHI , TAKAYANAGI KOJI
IPC分类号： H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To coat a substrate with a coating liquid uniformly in a substrate plane while performing uniform temperature control over the substrate in the substrate plane. SOLUTION: A resist coating device 20 is provided with a spin chuck 130 which holds and rotates a wafer W and freely moves in a vertical direction. A temperature control plate 140 for controlling the temperature of the wafer W is disposed below the wafer W held by the spin chuck 130. At a center part of the temperature control plate 140, an opening part 141 where the spin chuck 130 is arranged is formed. The temperature control plate 140 is divided into an outer temperature control plate 142 which controls a temperature of an outer peripheral part of the wafer W and an inner temperature control plate 143 which controls a temperature of an inner peripheral part of the wafer W. The outer temperature control plate 142 and inner temperature control plate 143 can control the temperatures of the outer peripheral part and inner peripheral part of the wafer W respectively and independently. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：在基板平面上对基板进行均匀的温度控制的同时，在基板平面上均匀地涂覆涂布液的基板。解决方案：抗蚀剂涂覆装置20设置有旋转夹盘130，其旋转晶片W并在垂直方向上自由移动。用于控制晶片W的温度的温度控制板140设置在由旋转卡盘130保持的晶片W的下方。在温度控制板140的中央部形成有配置有旋转卡盘130的开口部141 。温度控制板140被分成控制晶片W的外周部分的温度的外部温度控制板142和控制晶片W的内周部分的温度的内部温度控制板143。温度控制板142和内部温度控制板143可以分别和独立地控制晶片W的外周部分和内周部分的温度。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2014170806A Hydrophobic treatment apparatus, hydrophobic treatment method and hydrophobic treatment recording medium 有权
标题翻译：疏水处理装置，疏水处理方法和疏水处理记录介质
公开(公告)号：JP2014170806A
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：JP2013040973
申请日：2013-03-01
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： UEDA KENICHI
IPC分类号： H01L21/027 , B05C9/10 , B05D3/04
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/4412 , C23C16/45544 , C23C16/45565 , C23C16/4583 , C23C16/46 , C23C16/463 , G03F7/16 , H01L21/02304 , H01L21/0231 , H01L21/0276 , H01L21/67109 , H01L21/67115
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus, method and recording medium capable of quickly and sufficiently subjecting the surface of a substrate to hydrophobic treatment.SOLUTION: An adhesion unit U5 comprises: a cooling unit 40; a light irradiation unit 50; an air-supply unit 60; a lifting unit 80; and a control unit 90. A cooling plate 41 of the cooling unit 40 faces a rear surface Wb of a wafer W. A light source 51a of the light irradiation unit 50 facing a top surface Wa of the wafer W via a gap emits light for radiation heating. A gas storage body 61 of the air-supply unit 60 covers a lower side of the light source 51a and faces the top surface Wa of the wafer W via a gap. A plurality of gas discharge ports 63 are provided on a lower side of the gas storage body 61. The control unit 90 controls the lifting unit 80 to allow the wafer W to come close to the cooling plate 41 and then controls the air-supply unit 60 to send out a hydrophobic treatment gas, and then controls the light irradiation unit 50 to allow the light source 51a to emit light and controls the lifting unit 80 to allow the wafer W to come close to the light source and then controls the air-supply unit 60 to send out the hydrophobic treatment gas.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够快速且充分地使基材表面进行疏水处理的装置，方法和记录介质。解决方案：粘合单元U5包括：冷却单元40; 光照射单元50; 供气单元60; 提升单元80; 以及控制单元90.冷却单元40的冷却板41面对晶片W的后表面Wb。经由间隙面向晶片W的顶面Wa的光照射单元50的光源51a发光辐射加热。供气单元60的气体存储体61通过间隙覆盖光源51a的下侧并与晶片W的顶面Wa相对。多个气体排出口63设置在气体存储体61的下侧。控制单元90控制提升单元80以允许晶片W靠近冷却板41，然后控制供气单元 60发出疏水性处理气体，然后控制光照射单元50以使光源51a发光，并控制提升单元80使晶片W靠近光源，然后控制空气 - 供给单元60发出疏水性处理气体。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式