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    • 5. 发明专利
    • 電子機器
    • 电子设备
    • JPWO2014103598A1
    • 2017-01-12
    • JP2014554262
    • 2013-11-27
    • シャープ株式会社
    • 祐太 井川祐太 井川隅谷 憲憲 隅谷剛史 小野剛史 小野
    • H05B37/02H01L33/00
    • G01R31/44G01R31/2635H05B33/0815H05B33/0827H05B33/0893
    • 簡易な構成で素子の異常を検出することが可能な電子機器を提供する。電子機器1は、少なくとも1つの素子が直列接続されて成る素子列211〜21mが少なくとも1つ並列接続されて成る第1素子列群21と、素子列221〜22nが少なくとも1つ並列接続されて成る第2素子列群22と、第1素子列群21を成す素子列211〜21mを流れる電流の合計である第1電流I21と、第2素子列群22を成す素子列221〜22nを流れる電流の合計である第2電流I22と、が所定の関係を満たすか否かに基づいて、第1素子列群21及び第2素子列群22の少なくともいずれか一方を成す素子列211〜21m,221〜22nの異常を検出する異常検出部4と、を備える。
    • 为了提供能够检测装置的异常以简单的结构的电子设备。 该电子设备1包括第一元件阵列组21元件阵列211〜包含至少一个元件串联连接21米通过至少一个并联连接形成,元件阵列221〜22N中的至少一种并联连接 通过元件的行中流动,其包括第一电流I21的第二元件阵列组22中流动的电流的总和211〜21米形成第一元件阵列组21中,元件阵列221〜22N上形成第二元件阵列组22 第二电流I22是电流的总和,但基于是否一预定的关系,所述元件阵列形成第一元件阵列组21中的至少一个和所述第二元件阵列组22 211〜21M, 它包括一个异常检测部4,用于检测221的异常至22N中,。
    • 6. 发明专利
    • 有機ELデバイスの検査装置、検査方法及び製造方法
    • 用于检查有机EL器件的器件和方法,以及制造有机EL器件的方法
    • JP2015191845A
    • 2015-11-02
    • JP2014069595
    • 2014-03-28
    • 日東電工株式会社
    • 丹野 嘉之長瀬 純一木樽 智也
    • H05B33/10H01L51/50H05B33/02H05B33/12
    • H01L51/50G01R31/2635H01L51/56
    • 【課題】可撓性を有する帯状の基材上に形成された複数の有機EL素子の発光状態を、効率良く検査し得る有機ELデバイスの検査装置等を提供する。 【解決手段】少なくとも1つの有機EL素子19の通電領域と接触しながら基材21を掴み、有機EL素子を下流側に送るように移動し、掴んだ基材を離し、上流側の有機EL素子の通電領域と接触しながら基材を掴むことができるように上流側に移動することが可能であり、且つ、基材を掴んだ状態で通電領域に通電させて有機EL素子を発光させることが可能な通電部43と、発光させた有機EL素子の発光状態を検査する検査部47とを備えた有機ELデバイス20の検査装置1。 【選択図】図3
    • 要解决的问题:提供一种有机EL器件的检查装置等,能够有效地检测形成在具有柔性的带状基板上的多个有机EL元件的发光状态。解决方案:检查装置 图1所示的有机EL器件20包括:连通部43,其与至少一个有机EL元件19的导电区域接触而夹持基板21,该有机EL元件19移动以将有机EL元件发送到下游侧 其分离夹持的基板,其可以移动到上游侧,使得可以在与上游侧的有机EL元件的导电区域接触的同时夹持基板,并且可以使有机EL元件通过 使得导电区域在被夹持基板的状态下通电; 以及检查部件47,其检查使发光的有机EL元件的发光状态。
    • 8. 发明专利
    • Method for inspecting semiconductor light-emitting element and method for manufacturing semiconductor light-emitting element
    • 用于检查半导体发光元件的方法和制造半导体发光元件的方法
    • JP2014149206A
    • 2014-08-21
    • JP2013017586
    • 2013-01-31
    • Nichia Chem Ind Ltd日亜化学工業株式会社
    • ABE MASATOSHI
    • G01N21/88G01M11/00G01N21/64
    • G01R31/2635G01N21/6489G01R31/2656H01L33/005
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for inspecting a semiconductor light-emitting element which analyzes an image of fluorescence emitted from a semiconductor light-emitting element excited by light irradiation, and appropriately detects a defective product.SOLUTION: A method for inspecting a semiconductor light-emitting element includes: a photographing step S11 of exciting an active layer by irradiating a semiconductor light-emitting element with light, and photographing an image of fluorescence emitted from the active layer; an inspection region extraction step S12 of extracting an inspection region from the photographed image; a luminance average determination step S13 of determining that an inspection region is defective when a luminance average is smaller than a predetermined threshold; a luminance dispersion determination step S14 of determining that the inspection region is defective when a luminance dispersion is larger than a predetermined threshold; and a comprehensive determination step S15 of comprehensively determining that the semiconductor light-emitting element is defective when at least one of the two determination results is defective.
    • 要解决的问题:提供一种检测半导体发光元件的方法,该半导体发光元件分析由通过光照射激发的半导体发光元件发射的荧光的图像,并适当地检测不良品。解决方案:一种检查 半导体发光元件包括:通过用光照射半导体发光元件来激发有源层并拍摄从有源层发射的荧光图像的拍摄步骤S11; 从拍摄图像提取检查区域的检查区域提取步骤S12; 当亮度平均值小于预定阈值时确定检查区域有缺陷的亮度平均确定步骤S13; 当亮度色散大于预定阈值时,确定检查区域有缺陷的亮度色散确定步骤S14; 以及综合确定步骤S15,当两个确定结果中的至少一个有缺陷时,全面地确定半导体发光元件有缺陷。