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1. 发明专利

JP6310471B2 検出器結晶のためのサブバンド赤外照射有权
公开(公告)号：JP6310471B2
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：JP2015541280
申请日：2013-11-08
申请人：コーニンクレッカフィリップスエヌヴェ , KONINKLIJKE PHILIPS N.V.
发明人：ヘルマンクリストフ , ステッドマンブッカ— ロジャー
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/144 , H01L31/08 , H04N5/32 , H04N5/369 , G01T1/24
CPC分类号： G01J1/44 , G01J2001/4446 , G01T1/00 , G01T1/24 , H01L31/02966 , H01L31/085 , H01L31/09 , H01L31/1832

2. 发明专利

JP4395622B2 Light sensor and the display device having the same 有权
公开(公告)号：JP4395622B2
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：JP2007226142
申请日：2007-08-31
申请人：カシオ計算機株式会社
发明人：克彦両澤
IPC分类号： H01L31/0248 , G01J1/42 , G01J1/44 , G02F1/133 , G02F1/1335 , G09G3/20 , G09G3/34 , G09G3/36
CPC分类号： G01J1/32 , G01J1/44 , G01J2001/4446

3. 发明专利

JP2018158717A スマートライト制御システム审中-公开
公开(公告)号：JP2018158717A
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：JP2018046562
申请日：2018-03-14
申请人：咸瑞科技股▲分▼有限公司
发明人：王文虎 , 郭英偉
IPC分类号： F21S41/10 , B60Q1/02 , F21W102/00 , F21Y101/00 , B60Q1/04
CPC分类号： B60Q1/1423 , B60Q2300/056 , B60Q2300/314 , B60Q2300/42 , G01J1/0422 , G01J1/44 , G01J2001/4446
摘要：【課題】光源の輝度と周囲の輝度に応じて輝度を適応的に調節して制御効率及び安全性を向上させる。【解決手段】スマートライト制御システムは光源装置(10)及びコントローラ(14)を備えている。光源装置は複数の透明部(11)及び複数のセンサ(12)を有し、これらのセンサは光源の近傍に別個に配置され、センサは透光部に位置に関して対応し、各センサ及びそれに対応する透明部との間に光を通過させるためにチャンネル(13)が形成され、コントローラはセンサに接続され、センサはライトビームの輝度に応じて感知された信号をコントローラに伝送し、光源の輝度はコントローラによって適応的に調節されてスマートコントロールを介して光源の制御効率と安全性を向上させる目的を達成している。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2018084422A 火炎検出システム审中-公开
公开(公告)号：JP2018084422A
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：JP2016225892
申请日：2016-11-21
申请人：アズビル株式会社
发明人：森雷太
IPC分类号： G01J1/42
CPC分类号： G01J1/429 , G01J1/0228 , G01J1/44 , G01J5/0018 , G01J2001/4446 , H01J40/14
摘要：【課題】簡単ば構成で、かつ精度よく、火炎の有無を検出する。【解決手段】感度パラメータ記憶部19に、火炎センサ1が有する既知の感度パラメータとして、基準の受光量Q 0 ,基準のパルス幅T 0 ,正規の放電の確率P 0 および非正規の放電の確率P N (P N1 ,P N2 ,P N3 )を記憶させておく。火炎センサ1に加えた駆動パルスPMのパルス数Nと、この駆動パルスPMを受けて火炎センサ1が放電したと判定された放電回数nとから、放電確率P(P=n/N)を算出する(放電確率演算部202)。この算出した放電確率Pと、既知の感度パラメータ(Q 0 ,T 0 ,P 0 ,P N (P N1 ,P N2 ,P N3 ))とを用いて、火炎センサ1が受けた光の単位時間当たりの受光量Qを求める(受光量演算部203)。パルス幅補正部204を設け、放電確率Pが目標放電確率P TG となるように、印加電圧生成回路12が生成する駆動パルスPMのパルス幅Tを補正する。【選択図】図4

5. 发明专利

JP2016504567A 検出器結晶のためのサブバンド赤外照射有权
标题翻译：用于检测器晶体的子带的红外辐射
公开(公告)号：JP2016504567A
公开(公告)日：2016-02-12
申请号：JP2015541280
申请日：2013-11-08
申请人：コーニンクレッカフィリップスエヌヴェKoninklijke Philips N.V. , コーニンクレッカフィリップスエヌヴェKoninklijke Philips N.V.
发明人：クリストフヘルマン , クリストフヘルマン , ブッカ— ロジャーステッドマン , ブッカ― ロジャーステッドマン
IPC分类号： G01T1/24 , H01L27/14 , H01L27/144 , H01L27/146 , H01L31/08 , H04N5/32 , H04N5/369
CPC分类号： G01J1/44 , G01J2001/4446 , G01T1/00 , G01T1/24 , H01L31/02966 , H01L31/085 , H01L31/09 , H01L31/1832
摘要：本発明は、入射放射線を電気信号に変換する直接変換半導体層による放射線検出に関する。サブバンド赤外(IR)放射は、放射線を受ける際に直接変換半導体材料における分極を大きく減らし、それにより、計数が、より高い管電流においてベースラインのシフトなく可能になる。IR照射装置は、読み出し回路に集積され、IR照射装置が集積された読み出し回路には結晶がフリップチップ接合され、4辺突き合わせ可能な結晶を実現する。
摘要翻译：本发明涉及通过直接转换半导体层的放射线检测用于将入射辐射转换成电信号。子带的红外（IR）辐射，大大降低了直接转换半导体材料的极化当经受辐射，由此，计数，由此可以在不以较高的管电流的基线偏移。集成IR照射装置被集成在读出电路，在IR照射装置的晶体被读取电路是倒装接合，以实现四个边对接结晶。

6. 发明专利

JP2015144248A 半導体装置、及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015144248A
公开(公告)日：2015-08-06
申请号：JP2014245236
申请日：2014-12-03
申请人：キヤノン株式会社
发明人：関口亮太 , 尾内敏彦
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/146
CPC分类号： H01L31/1123 , G01J1/44 , H01L27/0629 , H01L27/1463 , H01L27/14649 , H01L27/14689 , H01L29/66143 , H01L29/872 , H01L31/1085 , H01L31/1804 , G01J2001/4446 , G01N21/3581 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：【課題】 CMOS−コンパチブルで、且つ、ショットキー障壁の特性を設計可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、シリコン基板111と、シリコン基板上に配置されている検出素子101、p型MOSトランジスタ102及びn型MOSトランジスタ103と、を有し、検出素子は、半導体層112と電極113、114とを有し、半導体層と電極との間にショットキー障壁が形成されており、半導体層は、(i)p型MOSトランジスタの不純物拡散層と組成及び高さが等しい層の直上、又は、(ii)n型MOSトランジスタの不純物拡散層と組成及び高さが等しい層の直上、又は、(iii)p型MOSトランジスタ又はn型MOSトランジスタのゲート酸化膜の直下のチャネル領域と組成及び高さが等しい領域の直上、又は、(iv)フィールド酸化膜の直下のシリコン基板中の領域と組成及び高さが等しい領域の直上に配置されている。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供CMOS兼容的半导体器件，并且能够设计肖特基势垒的特性。解决方案：一种半导体器件包括：硅衬底111; 设置在硅基板上的检测元件101; p型MOS晶体管102; 和n型MOS晶体管103.检测元件具有半导体层112和一对电极113和114; 在半导体层和每个电极之间形成肖特基势垒。半导体层设置在（i）与组成和高度的p型MOS晶体管的杂质扩散层相同的层的正上方，（ii）与组成中的n型MOS晶体管的杂质扩散层相同的层和高度，（iii）与p型或n型MOS晶体管的栅极氧化膜正下方的沟道区域的组成和高度相同的区域，或（iv）与硅衬底右侧的区域相同的区域低于组成和高度的场氧化膜。

7. 发明专利

JP2015114325A 大きな作用面積を有する半導体放射線検出器およびその製造方法审中-公开
标题翻译：具有较大活性区域的半导体辐射检测器及其制造方法
公开(公告)号：JP2015114325A
公开(公告)日：2015-06-22
申请号：JP2014248043
申请日：2014-12-08
申请人：オックスフォードインストゥルメンツアナリティカルオーワイ , OXFORD INSTRUMENTS ANALYTICAL OY
发明人：ベイッコケメレイネン
IPC分类号： H01L25/16 , H01J37/244 , G01T1/24
CPC分类号： H01L31/02002 , G01J1/44 , G01T1/24 , H01J37/244 , H01L31/0203 , H01L31/024 , H01L31/18 , G01J2001/4446 , H01J2237/2442
摘要：【課題】製造が容易で、信頼性を有し、大面積の半導体検出器チップを載置可能な検出器ヘッド構造を提供する。【解決手段】半導体放射線検出器の検出器ヘッド構造は、正面側と背面側とを有する検出器チップ401と、検出器チップ401の背面側の、検出器チップ401との電気的接続を有する支持プレート402とを備える。ベースプレート403は、ベースプレート403に取り付けられた熱電冷却器404と、ベースプレート403から検出器チップ401に向かって突出するコンタクトピン405とを有する。接着プレート406は、熱電冷却器404のベースプレートと反対側にあり、第1のワイヤボンド接続407がコンタクトピン405と接着プレート406との間を通る。接合プレート408は、接着プレート406と支持プレート402との間にあり、支持プレート402と接着プレート406との間の電気的接続は、接合プレート408を介して行われる。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供易于制造，可靠并且能够安装大面积半导体检测器芯片的检测器头的结构。解决方案：半导体辐射检测器的检测器头结构包括：检测器芯片401，其被具有前表面侧和后表面侧; 以及设置在检测器芯片401的后表面侧并与检测器芯片401电连接的支撑板402.基板403包括：安装在基板403上的热电冷却器404; 以及从基板403向检测器芯片401突出的接触销405.粘合板406位于与热电冷却器404的基板相反的一侧，并且第一引线接合连接407在接触引脚405之间通过粘合板406.接合板408位于粘合板406和支撑板402之间，并且支撑板402和粘合板406之间的电连接经由接头板408进行。

8. 发明专利

JP2009059911A Optical sensor and display device with the same 有权
标题翻译：光传感器及其显示装置
公开(公告)号：JP2009059911A
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：JP2007226142
申请日：2007-08-31
申请人： Casio Comput Co Ltd , カシオ計算機株式会社
发明人： MOROSAWA KATSUHIKO
IPC分类号： H01L31/0248 , G01J1/42 , G01J1/44 , G02F1/133 , G02F1/1335 , G09G3/20 , G09G3/34 , G09G3/36
CPC分类号： G01J1/32 , G01J1/44 , G01J2001/4446
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical sensor particularly suitable for luminance control of backlight of a display device and to provide a display device with the optical sensor. SOLUTION: A photocurrent signal Id, which is provided by irradiating a transistor Tr1 formed of an a-Si TFT with a light, is amplified with an amplifying circuit. The amplifying circuit has a transistor Tr 2 for converting the photocurrent signal Id into a voltage, transistors Tr 3, Tr 4 for voltage amplification, and a transistor Tr 5 for current amplification, all of which are formed of a-Si TFTs. Luminance control to the backlight is performed on the basis of the current amplified by the amplifying circuit. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供特别适合于显示装置的背光的亮度控制的光学传感器，并为显示装置提供光学传感器。解决方案：通过用光照射由a-Si TFT形成的晶体管Tr1提供的光电流信号Id被放大电路放大。放大电路具有用于将光电流信号Id转换为电压的晶体管Tr 2，用于电压放大的晶体管Tr 3，Tr 4和用于电流放大的晶体管Tr 5，它们均由a-Si TFT形成。基于由放大电路放大的电流进行对背光的亮度控制。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

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