专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2014218428A 単結晶审中-公开
标题翻译：单晶
公开(公告)号：JP2014218428A
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：JP2014115493
申请日：2014-06-04
申请人：フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングFreiberger Compound Materials Gmbh , Freiberger Compound Materials Gmbh , フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングFreiberger Compound Materials Gmbh
发明人： HAMMER RALF , MANFRED JURISCH
IPC分类号： C30B33/00 , B28D5/00 , H01L21/301
CPC分类号： H01L21/78 , B28D5/00 , B28D5/0064 , Y10S117/915 , Y10T225/12 , Y10T428/24802 , Y10T428/31678
摘要：【課題】所望の部分の完全な分割に至るまでの距離にわたる正確な劈開面を保証する単結晶を提供すること。【解決手段】フラットの長さを測定した場合、あるいはフラットの表面領域内で分割方向に延びて2 mm以上の長さである複数個の各表面部分について測定した場合に、自然の結晶学的劈開面 (2’) に沿って−0.001?〜+0.001?の角度偏倚(精度)で伸びる、フラットとして形成された劈開表面を有することを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够在一定距离上保证精确的解理面的单晶，直到达到所需部分的完全分裂。解决方案：当测量平坦的长度时，或相对于多个在在平坦的表面区域中的分割方向并且具有2mm或更长的长度，单晶具有沿自然晶体解理面（2）以-0.001°至+ 0.001°的角偏置（精度）延伸的解理面 '），并形成为平面。

2. 发明专利

JP2014212326A ＩアニールＩＩＩ−Ｖ族半導体単結晶ウェーハ有权
标题翻译：我的退火组III-V半导体单晶水晶
公开(公告)号：JP2014212326A
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：JP2014109915
申请日：2014-05-28
申请人：フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングFreiberger Compound Materials Gmbh , Freiberger Compound Materials Gmbh , フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングFreiberger Compound Materials Gmbh
发明人： JURISCH MANFRED , EICHLER STEFAN , BUNGER THOMAS , WEINERT BERNDT , BOERNER FRANK
IPC分类号： H01L21/324 , C30B29/42 , C30B33/02 , H01L21/683
CPC分类号： C30B33/02 , C30B11/00 , C30B29/40 , C30B29/42 , C30B35/00 , H01L21/02395 , H01L21/3245 , H01L21/67346 , H01L2924/10329 , Y10T117/10 , Y10T428/21 , Y10T428/24479 , Y10T428/24612 , Y10T428/31
摘要：【課題】電気的かつ物理的な特性の良好な均質性、および改良された表面品質を有するウェーハを提供する。【解決手段】直径100mm以上で転位密度が1x104cm−2以下のGaAs半導体単結晶ウェーハであって、ウェーハの破壊確率が63.2%(ワイブル分布)となる破壊強度特性が、結晶アニールされた材料から得られるSI GaAsウェーハと比較して、少なくとも25%高いことを特徴とする。または、直径100mm以上で転位密度が1x104cm−2以下のGaAs半導体単結晶ウェーハであって、ウェーハの破壊確率が63.2%(ワイブル分布)となる破壊強度特性が、1900MPaよりも高いことを特徴とする。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供具有优异的电气和物理特性，均匀性和改进的表面质量的晶片。解决方案：在直径为100mm以上，位错密度为1×10cm以下的GaAs半导体单晶晶片中，断裂强度特性与从晶体退火材料获得的SI GaAs晶片相比，晶片的断裂概率变为63.2％（威布尔分布）高出至少25％。或者，在直径为100mm以上，位错密度为1×10cm以下的GaAs半导体单晶晶片中，晶片的断裂概率为63.2％（Weibull分布）的断裂强度特性高于1900MPa。

3. 发明专利

JP2013141023A Iii-n substrate and iii-n template 有权
标题翻译： III-N基板和III-N模板
公开(公告)号：JP2013141023A
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：JP2013076513
申请日：2013-04-02
申请人： Freiberger Compound Materials Gmbh , フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングFreiberger Compound Materials Gmbh
发明人： STEHAN HOELZIG , GUNNAR LEIBIGER
IPC分类号： H01L21/304 , C30B29/38 , C30B33/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a III-N substrate and a III-N template, having an improved surface structure.SOLUTION: A self-standing type III-N substrate, in which the III represents at least one group III element of the periodic table selected from among Al, Ga and In, has a diameter of more than 40 mm and a standard deviation of an rms value of 5% or less, the rms value being obtained in mapping on the surface of the III-N substrate using white light interferometry. A III-N template, in which the III represents at least one group III element of the periodic table selected from among Al, Ga and In, includes a heterogeneous substrate, a III-N upper layer, and one or a plurality of intermediate layers optionally formed of III-N or other materials, and has a diameter of more than 40 mm and a standard deviation of an rms value of 5% or less, the rms value being obtained in mapping on the surface of the III-N substrate using white light interferometry.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有改进的表面结构的III-N衬底和III-N模板。解决方案：一种自立式III-N衬底，其中III表示至少一个III族元素选自Al，Ga和In的周期表具有大于40mm的直径和均方根值的标准偏差为5％以下，在III-N基板的表面上的映射中获得的均方根值使用白光干涉测量。 III-N模板，其中III表示选自Al，Ga和In中的周期表的至少一种III族元素，包括异质衬底，III-N上层和一个或多个中间层任选地由III-N或其它材料形成，并且具有大于40mm的直径和均方根值的标准偏差为5％或更小，在III-N衬底的表面上的映射中获得的均方根值使用白光干涉测量。

4. 发明专利

JP2013136512A Method for producing iii-n substrate 有权
标题翻译：生产III-N基材的方法
公开(公告)号：JP2013136512A
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：JP2013027620
申请日：2013-02-15
申请人： Freiberger Compound Materials Gmbh , フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングFreiberger Compound Materials Gmbh , Osram Opto Semiconductors Gmbh , オスラム・オプト・セミコンダクターズ・ゲーエムベーハーOsram Opto Semiconductors Gmbh
发明人： SCHOLZ FERDINAND , BRUECKNER PETER , HABEL FRANK , PETER MATTHIAS , KOEHLER KLAUS
IPC分类号： C30B29/38 , C23C16/01 , C23C16/34 , C30B25/16 , H01L21/205
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , Y10S117/915 , Y10T428/24355
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a III-N substrate having (0001) plane and improved surface morphology.SOLUTION: A method for producing the III-N substrate (where III denotes at least one element selected from group III elements of the periodic table) includes a step for depositing a III-N thick film layer having a thickness of at least 40 μm by epitaxially growing at a predetermined N/III ratio and a predetermined reactor pressure, and is characterized by lowering the N/III ratio and/or the reactor pressure than the predetermined N/III ratio and the predetermined reactor pressure, respectively, in the final stage of the epitaxial growth process of the III-N thick film layer. The surface morphology is further improved by allowing the substrate to have an orientation direction difference of the crystal of from about 0.1° or more to less than 1°.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有（0001）面和改进的表面形态的III-N基材。溶液：制备III-N基材的方法（其中III表示选自周期表的III族元素中的至少一种元素）包括通过以预定的N / III比和预定的反应器压力外延生长沉积厚度至少为40μm的III-N厚膜层的步骤，其特征在于降低N / III比和/或在III-N厚膜层的外延生长工艺的最后阶段，反应器压力分别为预定的N / III比和预定的反应器压力。通过使基板的晶体的取向方向差为约0.1°以上且小于1°，进一步提高了表面形态。

5. 发明专利

JP2012125922A Slurry for wire sawing 有权
标题翻译：用于电线锯的浆料
公开(公告)号：JP2012125922A
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：JP2012027327
申请日：2012-02-10
申请人： Freiberger Compound Materials Gmbh , フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングFreiberger Compound Materials Gmbh
发明人： HAMMER RALF , KLEINWECHTER ANDRE , MULLER SYLVIA , GRUSZYNSKY RALF
IPC分类号： B24B37/00 , B24B27/06 , C09K3/14
CPC分类号： B28D5/045 , B28D5/007 , Y02P70/179
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a slurry for wire sawing which can be used to obtain the improved quality of wafers that are cut from a workpiece.SOLUTION: There is provided a slurry for use in a wire saw. The slurry includes a hygroscopic carrier substance which can absorb and discharge moisture. The slurry has a dynamic viscosity of higher than 170 mPas and lower than approximately 220 mPas where the dynamic viscosity in the shear rate range from 2sto 34sis substantially independent of the shear rate.
摘要翻译：要解决的问题：提供用于线锯的浆料，其可用于获得从工件切割的晶片的改进质量。
解决方案：提供了用于线锯的浆料。该浆料包括可以吸收和排出水分的吸湿载体物质。浆料的动态粘度高于170mPas，低于约220mPas，其中剪切速率范围内的动态粘度范围为2s -1 至34s -1 基本上与剪切速率无关。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2008135712A Device and method for separating materials 审中-公开
标题翻译：用于分离材料的装置和方法
公开(公告)号：JP2008135712A
公开(公告)日：2008-06-12
申请号：JP2007260189
申请日：2007-10-03
申请人： Freiberger Compound Materials Gmbh , フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングFreiberger Compound Materials Gmbh
发明人： HAMMER RALF , GRUSZYNSKY RALF , KLEINWECHTER ANDRE , FLADE TILO
IPC分类号： B28D5/02 , H01L21/304 , B28D5/00 , B28D7/02 , C30B33/00
CPC分类号： B28D5/0076
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device capable of separating single crystals by cutting inner hole with a small amount of coolant-lubricant.
SOLUTION: A cutting disk 2 having a concentric hole for inner hole cutting is rotatable about its central axis in order to cut a single crystal 1 with its edge 3. The device includes a positioning device for positioning the single crystal 1 to be cut relative to the cutting disk 2, a first supply device 10 for the supply of the coolant-lubricant onto the cutting disk 2 having cut the single crystal 1, a device 12 for the supply of compressed air, and a second supply device 11 for the supply of washing liquid.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够通过用少量冷却剂润滑剂切割内孔来分离单晶的装置。解决方案：具有用于内孔切割的同心孔的切割盘2可围绕其中心轴线旋转，以便以其边缘3切割单晶1.该装置包括用于将单晶1定位的定位装置相对于切割盘2切割的第一供应装置10，用于将冷却剂润滑剂供应到切割单晶1的切割盘2上的第一供应装置10，用于供应压缩空气的装置12和用于供应压缩空气的第二供应装置11 供应洗涤液。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2007051054A Process for manufacturing doped semiconductor single crystal and group iii-v semiconductor single crystal 有权
标题翻译：单晶半导体单晶和III-V族半导体单晶的制造方法
公开(公告)号：JP2007051054A
公开(公告)日：2007-03-01
申请号：JP2006182311
申请日：2006-06-30
申请人： Freiberger Compound Materials Gmbh , フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングFreiberger Compound Materials Gmbh
发明人： KRETZER ULRICH , EICHLER STEFAN , BUNGER THOMAS
IPC分类号： C30B29/42 , C30B11/06 , C30B27/00
CPC分类号： C30B11/04 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/14 , C30B29/40 , C30B29/42
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a process for manufacturing a semiconductor single crystal into which a dopant is doped, especially a process for manufacturing a semiconductor single crystal, which comprises using a seed crystal of the same semiconductor material as the semiconductor single crystal to be manufactured and solidifying a semiconductor melt in a crucible. SOLUTION: In the process for manufacturing the doped semiconductor single crystal, a dopant 7 used to adjust a desired electrical conductivity in a semiconductor single crystal 11 is added into the semiconductor melt 9 after the beginning of the growth of the semiconductor single crystal 11 formed on the seed crystal 5, or after at least partial solidification of the semiconductor single crystal 11 in a conical or a tapered portion 3 of the crucible 1. Otherwise, a portion of the dopant 7 is previously added in the crucible 1 and the remaining portion of the dopant 7 is added into the semiconductor melt 9 appropriately. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造掺杂掺杂剂的半导体单晶的工艺，特别是制造半导体单晶的方法，其包括使用与半导体单体相同的半导体材料的晶种在坩埚中制造并固化半导体熔体的晶体。解决方案：在制造掺杂半导体单晶的过程中，在半导体单晶生长开始之后，将半导体单晶11中用于调节所需导电性的掺杂剂7加入到半导体熔体9中 11，或者在半导体单晶11至少部分固化在坩埚1的圆锥形或锥形部分3中之后，或者在坩埚1中预先加入一部分掺杂剂7，掺杂剂7的剩余部分适当地加入到半导体熔体9中。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2014144909A Ingot and silicon wafer 有权
标题翻译： INGOT和SILICON WAFER
公开(公告)号：JP2014144909A
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：JP2014036887
申请日：2014-02-27
申请人： Freiberger Compound Materials Gmbh , フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングFreiberger Compound Materials Gmbh
发明人： BERNDT WEINERT , MANFRED JURISCH , EICHLER STEFAN
IPC分类号： C01B33/02 , C30B11/00 , C30B29/06 , H01L31/0248 , H01L31/18
CPC分类号： C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/006 , C30B11/06 , C30B29/06 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent formation of impurity compound precipitations or impurity compound inclusions, particularly silicon carbide that influences electric characteristics of a solar cell.SOLUTION: Ingot is formed of crystalline silicon obtained through directed solidification of a silicon starting material. The ingot comprises no or essentially no foreign precipitations or foreign inclusions of silicon carbide (SiC) and/or silicon nitride (SiN, SiN). The oxygen concentration in at least 90% of the height of the whole ingot does not drop below a limit of about 3.5x10cm.
摘要翻译：要解决的问题：为了防止杂质化合物沉淀物或杂质化合物夹杂物的形成，特别是影响太阳能电池的电特性的碳化硅。解决方案：锭由通过硅原料的定向固化获得的晶体硅形成。该锭不包含或基本上不含有碳化硅（SiC）和/或氮化硅（SiN，SiN）的外来沉淀物或异物夹杂物。在整个锭的高度的至少90％中的氧浓度不会下降到约3.5×10cm的极限以下。

9. 发明专利

JP2013126943A Doped semiconductor single crystal 审中-公开
标题翻译： DOPED SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL
公开(公告)号：JP2013126943A
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：JP2013022575
申请日：2013-02-07
申请人： Freiberger Compound Materials Gmbh , フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングFreiberger Compound Materials Gmbh
发明人： KRETZER ULRICH , EICHLER STEFAN , BUNGER THOMAS
IPC分类号： C30B29/40 , C30B11/00
CPC分类号： C30B11/04 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/14 , C30B29/40 , C30B29/42
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a group III-V semiconductor single crystal having high electrical conductivity while at the same time providing high process security, yield and quality, and to provide a method for producing the same.SOLUTION: The group III-V semiconductor single crystal comprises: the concentration of an electrical conductivity-generating dopant of at least about 1×10atoms/cm, and the concentration of an impurity, which is generated during the production process of the single crystal, of at most about 5×10atoms/cm, wherein the group III-V semiconductor single crystal has electrical conductivity of at least about 250 S/cm, and/or resistivity of at most about 4×10Ωcm. In another aspect, the group III-V semiconductor single crystal having a diameter of at least about 100 mm and comprises: the concentration of an electrical conductivity-generating dopant of at least about 1.0×10atoms/cm, the charge carrier concentration of at least about 1.0×10cm, wherein the hole mobility, determined according to ASTM F76-86, for the case of charge carrier concentration of 1.0 to 1.2×10cmis higher than 2,100 cm/Vs.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高导电性的III-V族半导体单晶，同时提供高的工艺安全性，产率和质量，并提供其制造方法。解决方案：III-V族半导体单晶包括：至少约1×10 -6原子/ cm的导电产生掺杂剂的浓度 3 ，并且在单晶的生产过程中产生的杂质浓度至多为约5×10 18 原子/ cm 3，其中III-V族半导体单晶具有至少约250S / cm的电导率和/或至多约4×10 6Ω/ SP POS =“POST”> - 3 Ωcm。在另一方面，直径为至少约100mm的III-V族半导体单晶包括：至少约1.0×10 10的导电性产生掺杂剂的浓度， / SP> atoms / cm 3 ，电荷载流子浓度至少约为1.0×10 18 POST“> 3 ，其中根据ASTM F76-86确定的空穴迁移率，对于载流子浓度为1.0至1.2×10 18 - 3 高于2,100厘米 2 / Vs。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2015516355A ＩＩＩ−Ｎテンプレートの製造方法およびＩＩＩ−Ｎテンプレート审中-公开
标题翻译：方法和III-N模板III-N模板
公开(公告)号：JP2015516355A
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：JP2015500921
申请日：2013-03-21
申请人：フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングFreiberger Compound Materials Gmbh , フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングFreiberger Compound Materials Gmbh
发明人：リプスキー，フランク , ショルツ，フェルディナンド , クライン，マーティン , ハベル，フランク
IPC分类号： C30B29/38 , C23C16/34 , H01L21/205
CPC分类号： C30B25/16 , C30B25/04 , C30B25/10 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02436 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , Y10T428/24851
摘要：本発明は、III−Nテンプレートの製造およびIII−N単結晶の製造に関し、IIIがAl、GaおよびInの群から選択される周期表第3主族の少なくとも1つの元素を表す。結晶成長中に特定のパラメーターを調節することによって、異種基板上に成長した結晶層に対して特性を付与するIII−Nテンプレートが得られ、それにより、テンプレートの形態で、または大きいIII−N層厚さえを有する欠点のないIII−N単結晶が得られる。【選択図】図1
摘要翻译：本发明涉及生产和制造的III-N单晶III-N模板，III表示选自铝，镓和In中选择的元素周期表的第三主族的至少一种元素。通过在晶体生长期间调节某些参数，获得III-N模板赋予生长的异质基板上的结晶层的特性，由此，在一个模板或更大III-N层的形式，获得具有Atsusae无瑕疵III-N单晶。点域1

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式