基本信息:
- 专利标题： 誘電体ウィンドウ内へのＩＩＩ−Ｖ族成長中の不均一性の成長及びオートドーピングを抑制する方法
- 专利标题（英）：Method for inhibiting the growth and auto-doping of heterogeneity in iii-v group growth into the dielectric window
- 专利标题（中）：用于抑制在III-V族生长的非均匀性的生长和自动掺杂到电介质窗口方法
- 申请号：JP2016538913 申请日：2014-06-23
- 公开(公告)号：JP2016529731A 公开(公告)日：2016-09-23
- 发明人： ラロチェ，ジェフェリー，アール． , ホーク，ウィリアム，イー． , カジオア，トーマス，イー．
- 申请人： レイセオン カンパニー , レイセオン カンパニー
- 申请人地址： アメリカ合衆国 マサチューセッツ州 02451−1449 ウォルサム ウィンター ストリート 870
- 专利权人： レイセオン カンパニー,レイセオン カンパニー
- 当前专利权人： レイセオン カンパニー,レイセオン カンパニー
- 当前专利权人地址： アメリカ合衆国 マサチューセッツ州 02451−1449 ウォルサム ウィンター ストリート 870
- 代理人： 伊東 忠重; 伊東 忠彦; 大貫 進介
- 优先权： US14/010,954 2013-08-27
- 国际申请： US2014043594 JP 2014-06-23
- 国际公布： WO2015030913 JP 2015-03-05
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20 ; H01L21/205
摘要：
基板の選択部分の上に配置された誘電体層内に形成されたウィンドウを通じて、前記基板の前記選択部分の上にIII−V族材料を堆積する方法が開示される。当該方法は、ウィンドウに隣接する前記誘電体層のフィールド領域の上に単結晶層又は多結晶層を形成することと、MOCVDによって、前記単結晶層又は多結晶層の上に、及びウィンドウを通じて前記基板の選択部分の上に、III−V族材料を成長させることとを含む。
摘要（中）：
通过形成在布置电介质层在所述基板，所述选择的衬底中公开的所述一部分上沉积III-V族材料的方法的选定部分的窗口。 上述方法中，形成单晶层或在邻近窗口介电层的场区的多晶层，通过MOCVD，在单晶层或多晶层上，并通过该窗口 上述基片的选定部分，和日益增长的III-V族材料。
摘要（英）：
Through a window formed in the arranged dielectric layer over selected portions of the substrate, a method of depositing a Group III-V material on said selected portion of said substrate is disclosed. The method above, and forming a monocrystalline layer or polycrystalline layer over the field region of the dielectric layer adjacent to the window, by the MOCVD, over the single-crystal layer or a polycrystalline layer, and through the window above the selected portion of the substrate, and a growing group III-V material.
公开/授权文献:
- JP6271020B2 誘電体ウィンドウ内へのIII−V族成長中の不均一性の成長及びオートドーピングを抑制する方法 公开/授权日：2018-01-31
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |