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2. 发明专利

JPWO2016136723A1 ナノ粒子の精製方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2016136723A1
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：JP2017502376
申请日：2016-02-23
申请人：株式会社フルヤ金属
发明人：池田　泰之 , 泰之池田 , 丸子　智弘 , 智弘丸子 , 竹内　正史 , 正史竹内
IPC分类号： B01D12/00 , B22F1/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC分类号： B22F9/30 , B01D11/0492 , B01D12/00 , B22F1/0018 , B22F1/0022 , B22F9/24 , C22B11/04 , C22C5/00
摘要：本発明の目的は、従来のナノ粒子の精製方法と比較して、多量のナノ粒子を安全、かつ、短時間で得ることができるナノ粒子の精製方法を提供することである。本発明に係るナノ粒子の精製方法は、ナノ粒子がナノ粒子の合成に用いられた溶媒Aに分散した分散液からナノ粒子を精製するナノ粒子の精製方法において、分散液と、溶媒Aと混和する溶媒Bと、溶媒Bと二相を形成する溶媒Cと、を混合する混合工程と、ナノ粒子を溶媒Cの相中に濃縮する濃縮工程と、溶媒Cの相中にナノ粒子を含有する第三相を形成する洗浄工程と、第三相を取り出し、第三相から溶媒Cを除去する精製工程と、を有する。

3. 发明专利

JP4826630B2 Solder paste 有权
公开(公告)号：JP4826630B2
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：JP2008513190
申请日：2007-04-23
申请人：千住金属工業株式会社
发明人：力弥加藤 , 咲枝山形
IPC分类号： B23K35/22 , B23K35/26
CPC分类号： H05K3/3484 , B22F1/0003 , B22F1/0059 , B22F1/025 , B23K35/0244 , B23K35/26 , B23K35/262 , C22C5/00 , C22C9/02 , C22C9/06 , C22C13/00 , C22C13/02 , H05K2201/0215 , H05K2201/0218 , Y10T428/12028 , Y10T428/12181 , Y10T428/2982

4. 发明专利

JP2018526528A ナノ導電性粒子堆積層の光焼結及び化学焼結の組み合わせ审中-公开
公开(公告)号：JP2018526528A
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：JP2017567079
申请日：2016-06-21
申请人：ダウグローバルテクノロジーズエルエルシー
发明人：ジョセフ・エス・レニー , マイケル・エイ・デグラーフ , ムバシェル・エイ・バシール , ジェローム・クララック , ステファン・プロット
IPC分类号： B22F7/04 , B22F3/105 , B22F3/24 , H01B13/00 , B22F3/16
CPC分类号： B05D3/06 , B05D1/007 , B05D3/107 , B22F1/0018 , B22F1/0022 , B22F1/0062 , B22F9/24 , B22F2003/1052 , B22F2007/042 , B22F2301/255 , B22F2304/054 , B22F2998/10 , C08J7/06 , C08J2367/02 , C09D5/24 , C09D11/037 , C09D11/322 , C09D11/52 , C22C5/00 , C22C5/06 , H01B1/22 , H05B3/141 , H05B3/145 , H05B3/262 , H05B3/267 , H05B3/84 , H05B2203/013 , H05B2203/017 , H05B2214/04 , H05K1/097 , H05K3/1283 , H05K2203/1131 , B22F3/1025 , B22F2003/241 , B22F2003/1042
摘要：導電性ナノ粒子で作られる構造体の材料特性が、放射線焼結に続く化学焼結によって高められる。導電性ナノ粒子を、スクリーン印刷、インクジェット、エアロゾル、及びエレクトロスピニング等の方法によって基材に塗布し、次いで基材上の導電性ナノ粒子を焼結することができる。【選択図】図1

5. 发明专利

JP5750731B2 貴金属−酸化物接合ナノ粒子、及び、その高純度製造方法有权
标题翻译：贵金属 - 氧化偶联纳米颗粒，和用于制造该高纯度的方法
公开(公告)号：JP5750731B2
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：JP2012555944
申请日：2012-02-02
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：古賀健司 , 平澤誠一 , 櫻井宏昭 , 越崎直人
IPC分类号： C01G3/02 , C01G19/02 , C01F7/02 , B82B1/00 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , B82B3/00
CPC分类号： B01J23/8926 , B01J23/42 , B01J23/52 , B01J23/56 , B01J23/62 , B01J23/63 , B01J23/66 , B01J35/0013 , B01J37/14 , B01J37/34 , B22F1/0018 , B22F1/02 , B22F9/12 , B22F9/14 , B82Y30/00 , C01G19/02 , C01G3/00 , C01G55/00 , C01G7/00 , C22C1/02 , C22C5/00 , C22C5/02 , C22C5/04 , B22F2999/00 , B82Y40/00 , C01P2002/84 , C01P2004/03 , C01P2004/62

6. 发明专利

JP5074608B2 Probe pin 有权
公开(公告)号：JP5074608B2
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：JP2011024540
申请日：2011-02-08
申请人：田中貴金属工業株式会社
发明人：智和小幡
IPC分类号： G01R1/067
CPC分类号： G01R1/06755 , C22C1/02 , C22C5/00 , C22C5/04 , C22F1/14
摘要： The present invention is a rhodium alloy suitable for wire for a probe pin, the rhodium alloy comprising 30 to 150 ppm of Fe, 80 to 350 ppm of Ir and 100 to 300 ppm of Pt as additive elements, and the balance being Rh. A probe pin composed of the material maintains processability of rhodium, has stable contact resistance even at a low contact pressure, and has excellent strength and antifouling properties, and therefore, can be used in a stable manner for a long period.

7. 发明专利

JP2009263796A Sputtering target and method for production thereof 有权
标题翻译：喷射目标及其生产方法
公开(公告)号：JP2009263796A
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：JP2009118277
申请日：2009-05-15
申请人： Nippon Mining & Metals Co Ltd , 日鉱金属株式会社
发明人： INOUE AKIHISA , KIMURA HISAMICHI , SASAMORI KENICHIRO , YAHAGI MASATAKA , NAKAMURA ATSUSHI , TAKAHASHI HIDEYUKI
IPC分类号： C22C45/02 , B22F3/14 , C22C5/00 , C22C9/00 , C22C16/00 , C22C19/07 , C22C21/10 , C22C45/00 , C22C45/04 , C22C45/10 , C22F1/053 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , C22C5/00 , C22C9/00 , C22C16/00 , C22C19/07 , C22C21/10 , C22C45/02 , C22C45/10 , C22F1/053
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high quality target material of a practical size in which the crystal structure is extremely fine and uniform, and which does not cause any problems of defects resulting from the generation of particles or unevenness in the composition, by employing, for instance, the powder metallurgy process, in place of a conventional bulk metal glass produced by the quenching of molten metal, which requires a high cost for its production, for the coating film to be used in nanoprocessing. SOLUTION: Disclosed is a sputtering target having a structure where the average crystallite size is 1 nm to 50 nm, comprises an alloy having a three-component system or greater with Co as its primary component in an atomic ratio of 50 atom% or more, and comprises the requirements of a metallic glass satisfying that the elements to the primary component have an atomic radius difference of 12% or more and that negative heat of mixing is satisfied. The alloy having a three-component system or greater comprises Ta and B. The sputtering target also has a relative density of ≥96.4%, and also is an amorphous body obtained by sintering gas atomized powder. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供晶体结构非常细小且均匀的实用尺寸的高质量靶材，并且不会引起由于颗粒的产生或组合物的不均匀性引起的缺陷的问题通过采用例如粉末冶金方法代替通过熔融金属淬火而生产的常规散装金属玻璃，其需要高生产成本，用于在纳米加工中使用的涂膜。解决方案：公开了具有平均微晶尺寸为1nm至50nm的结构的溅射靶，包括具有以三原子比为原子比为50原子％的Co作为其主要成分的三分体积以上的合金，以上，并且包括满足主要成分的元素的原子半径差为12％以上，满足负的混合热的金属玻璃的要求。具有三分体积以上的合金包括Ta和B.溅射靶的相对密度也为≥96.4％，也是通过烧结气体雾化粉末获得的非晶体。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2009263795A Sputtering target and method for production thereof 有权
标题翻译：喷射目标及其生产方法
公开(公告)号：JP2009263795A
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：JP2009118275
申请日：2009-05-15
申请人： Nippon Mining & Metals Co Ltd , 日鉱金属株式会社
发明人： INOUE AKIHISA , KIMURA HISAMICHI , SASAMORI KENICHIRO , YAHAGI MASATAKA , NAKAMURA ATSUSHI , TAKAHASHI HIDEYUKI
IPC分类号： C22C45/00 , B22F3/14 , B22F9/08 , C22C1/04 , C22C5/00 , C22C9/00 , C22C16/00 , C22C19/07 , C22C21/10 , C22C45/02 , C22C45/04 , C22C45/10 , C22F1/053 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , C22C5/00 , C22C9/00 , C22C16/00 , C22C19/07 , C22C21/10 , C22C45/02 , C22C45/10 , C22F1/053
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high density target having extremely fine and uniform structure manufactured with the sintering method, in place of a conventional bulk metal glass produced by the quenching of a molten metal, which has a coarse crystal structure and requires a high cost for its production.
SOLUTION: Disclosed is a sintered sputtering having a structure where the average crystallite size is 1 nm to 50 nm and comprise an alloy having a three-component system or greater containing as its primary component, at least one element selected from among Zr, Pd, Cu, Co, Fe, Ti, Mg, Sr, Y, Nb Mo, Tc, Ru, Rh, Ag, Cd, In, Sn, Sb, Te and a rare earth metal. The target is manufactured by sintering atomized powder.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供通过烧结方法制造的具有极细和均匀结构的高密度靶，代替通过淬火具有粗晶体结构的熔融金属制成的常规体积金属玻璃，以及需要高成本的生产。解决方案：公开了一种烧结溅射，其具有平均微晶尺寸为1nm至50nm的结构，并且包含含有作为其主要组分的三组分体系或更大的合金，至少一种选自Zr ，Pd，Cu，Co，Fe，Ti，Mg，Sr，Y，Nb Mo，Tc，Ru，Rh，Ag，Cd，In，Sn，Sb，Te和稀土金属。目标是通过烧结雾化粉末制造的。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JPWO2007105259A1 貴金属宝飾品および貴金属宝飾品の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2007105259A1
公开(公告)日：2009-07-23
申请号：JP2008504913
申请日：2006-03-01
申请人：中倉積一 , 中倉積一 , 一樹中島 , 一樹中島
发明人：一樹中島 , 一樹中島
IPC分类号： A44C27/00 , A44C9/00
CPC分类号： A44C27/006 , A44C15/004 , B24B9/16 , B32B15/018 , B44C3/005 , B44F1/02 , C22C5/00 , C23C18/1603 , C23C18/1651 , C23C18/1689 , C23C18/31 , Y10T428/24917
摘要：本発明は、貴金属の下地金属(111)および/または前記下地金属(111)上の金属メッキ層(112)を加工して模様が付けられた指輪(11)あるいはその他の装身具、および宝飾品に関するものである。本発明の貴金属宝飾品は、下地金属(111)の上面に金属メッキ層(112)が全面に一様な厚さに形成され、前記下地金属(111)および/または金属メッキ層(112)は、棒状研磨器具(12)により、下地金属(111)が露出する光沢領域(111−1)、(111−2)が形成される。本発明の貴金属宝飾品は、前記棒状研磨器具(12)により、全く研磨されていない領域で、金属メッキ層が露出している金属メッキ領域(112)が形成されている。そして、本発明の貴金属宝飾品の製造方法は、貴金属宝飾品が、下地金属(111)および/または金属メッキ層(112)を微細で異なる長さ、深さ、線幅方向のピッチを変えて線状に研磨するように制御されるので、金属メッキ層(112)、下地金属(111)の光反射が異なるため、マスクによって作製した模様と比較して、模様の周囲がハッキリせずに異なる光反射領域(113)が形成されて、高価な貴金属宝飾品として作製される。

10. 发明专利

JP2018089677A 核材料および半導体パッケージおよびバンプ電極の形成方法有权
公开(公告)号：JP2018089677A
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：JP2016237468
申请日：2016-12-07
申请人：千住金属工業株式会社
发明人：西野友朗 , 近藤茂喜 , 服部貴洋 , 川▲崎▼ 浩由 , 六本木貴弘 , 相馬大輔 , 佐藤勇
IPC分类号： B23K35/26 , C22C13/02 , C22C12/00 , H01L21/60 , B22F1/02 , C25D3/56 , C25D3/12 , B23K35/14
CPC分类号： H01L24/13 , B22F1/0003 , B22F1/025 , B22F2999/00 , B23K1/0016 , B23K35/0227 , B23K35/0244 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/264 , B23K2101/40 , C22C5/00 , C22C9/00 , C22C12/00 , C22C13/02 , C25D3/60 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D7/00 , H01L24/11 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13117 , H01L2224/13118 , H01L2224/1312 , H01L2224/13123 , H01L2224/13124 , H01L2224/13138 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13149 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/1317 , H01L2224/13171 , H01L2224/13179 , H01L2224/1318 , H01L2224/13561 , H01L2224/13582 , H01L2224/13611 , H01L2224/13613 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2924/01014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01057 , H01L2924/014 , H01L2924/3841 , H05K3/34 , C22C1/0483
摘要：【課題】内周側と外周側とで体積膨張差が生じて核材料がはじき飛ばされるような事態が発生しない接合材料を提供する。【解決手段】SnとBiからなるはんだ合金を核12の表面にめっき被膜した核材料10において、はんだめっき層16中のBiは、所定範囲の濃度比ではんだめっき層16中に分布している核材料であり、Biの濃度比は91.7〜106.7%の所定範囲内ではんだめっき層中に分布している核材料。はんだめっき層中のBiは、均質である、はんだめっき層中の内周側14、外周側を含めてその全領域に亘りBi濃度比が所定範囲内にある。このため、内周側が外周側より早めに溶融して、内周側と外周側とで体積膨張差が生じて核材料がはじき飛ばされるような事態は発生しない。またはんだめっき層全体がほぼ均一に溶融するため、溶融タイミングのずれにより発生すると思われる核材料の位置ずれは生じないので、電極間の短絡などのおそれはない。【選択図】図4

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