基本信息:
- 专利标题： 核材料および半導体パッケージおよびバンプ電極の形成方法
- 专利标题（英）：JP2018089677A - Nucleus material, semiconductor package and formation method of bump electrode
- 申请号：JP2016237468 申请日：2016-12-07
- 公开(公告)号：JP2018089677A 公开(公告)日：2018-06-14
- 发明人： 西野 友朗 , 近藤 茂喜 , 服部 貴洋 , 川▲崎▼ 浩由 , 六本木 貴弘 , 相馬 大輔 , 佐藤 勇
- 申请人： 千住金属工業株式会社
- 申请人地址： 東京都足立区千住橋戸町23番地
- 专利权人： 千住金属工業株式会社
- 当前专利权人： 千住金属工業株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都足立区千住橋戸町23番地
- 代理人： 特許業務法人山口国際特許事務所
- 主分类号： B23K35/26
- IPC分类号： B23K35/26 ; C22C13/02 ; C22C12/00 ; H01L21/60 ; B22F1/02 ; C25D3/56 ; C25D3/12 ; B23K35/14
摘要：
【課題】内周側と外周側とで体積膨張差が生じて核材料がはじき飛ばされるような事態が発生しない接合材料を提供する。 【解決手段】SnとBiからなるはんだ合金を核12の表面にめっき被膜した核材料10において、はんだめっき層16中のBiは、所定範囲の濃度比ではんだめっき層16中に分布している核材料であり、Biの濃度比は91.7〜106.7%の所定範囲内ではんだめっき層中に分布している核材料。はんだめっき層中のBiは、均質である、はんだめっき層中の内周側14、外周側を含めてその全領域に亘りBi濃度比が所定範囲内にある。このため、内周側が外周側より早めに溶融して、内周側と外周側とで体積膨張差が生じて核材料がはじき飛ばされるような事態は発生しない。またはんだめっき層全体がほぼ均一に溶融するため、溶融タイミングのずれにより発生すると思われる核材料の位置ずれは生じないので、電極間の短絡などのおそれはない。 【選択図】図4
公开/授权文献:
- JP6217836B1 核材料および半導体パッケージおよびバンプ電極の形成方法 公开/授权日：2017-10-25
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| B | 作业；运输 |
| --B23 | 机床；不包含在其他类目中的金属加工 |
| ----B23K | 钎焊或脱焊；焊接；用钎焊或焊接方法包覆或镀敷；局部加热切割，如火焰切割；用激光束加工 |
| ------B23K35/00 | 用于钎焊、焊接或切割的焊条、电极、材料或介质 |
| --------B23K35/02 | .其机械特征，如形状 |
| ----------B23K35/24 | ..钎焊材料和焊接材料的适当选择 |
| ------------B23K35/26 | ...主要成分在400℃以下熔化 |