基本信息:
- 专利标题： 半導体素子の洗浄液及び洗浄方法
- 专利标题（英）：Cleaning solution and a cleaning method of a semiconductor device
- 申请号：JP2016516318 申请日：2015-04-20
- 公开(公告)号：JPWO2015166826A1 公开(公告)日：2017-04-20
- 发明人： 俊行 尾家 , 俊行 尾家 , 憲司 島田 , 憲司 島田
- 申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
- 申请人地址： 東京都千代田区丸の内2丁目5番2号
- 专利权人： 三菱瓦斯化学株式会社
- 当前专利权人： 三菱瓦斯化学株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都千代田区丸の内2丁目5番2号
- 代理人： 小林 浩; 杉山 共永; 鈴木 康仁
- 优先权： JP2014095321 2014-05-02
- 主分类号： H01L21/304
- IPC分类号： H01L21/304 ; C11D7/06 ; C11D7/10 ; C11D7/12 ; C11D7/32 ; C11D7/38 ; C11D7/50 ; C11D17/08 ; H01L21/308
摘要：
本発明によれば、低誘電率膜と、コバルト、コバルト合金及びタングステンプラグの少なくとも1種とを有する基板上に、ハードマスクパターンを形成し、次いでこのハードマスクパターンをマスクとして、ハードマスク、低誘電率膜及びバリア絶縁膜にドライエッチング処理を施した半導体素子に、アルカリ金属化合物0.001〜20質量%、4級アンモニウム水酸化物0.1〜30質量%、水溶性有機溶媒0.01〜60質量%、過酸化水素0.0001〜0.1質量%および水を含む洗浄液を用いて、ドライエッチング残渣を除去することを特徴とする半導体素子の洗浄方法を提供することができる。
摘要（英）：
According to the present invention, a low dielectric constant film, cobalt, onto a substrate having at least one cobalt alloy and tungsten plugs, to form a hard mask pattern and then as a mask the hard mask pattern, a hard mask, the low the semiconductor device subjected to dry etching in dielectric constant film and the barrier insulating film, the alkali metal compound from 0.001 to 20% by weight, quaternary ammonium hydroxide of 0.1 to 30 wt%, water-soluble organic solvent 0.01 60 wt%, by using a washing liquid containing hydrogen peroxide 0.0001 wt% and water, it is possible to provide a method for cleaning a semiconductor device characterized by the removal of dry etching residue.
公开/授权文献:
- JP6493396B2 半導体素子の洗浄液及び洗浄方法 公开/授权日：2019-04-03
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/304 | ......机械处理，例如研磨、抛光、切割 |