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1. 发明专利

JP2010006689A Apparatus for producing trichlorosilane, and method for producing trichlorosilane 有权
标题翻译：用于生产三氯硅烷的装置，以及生产三氯硅烷的方法
公开(公告)号：JP2010006689A
公开(公告)日：2010-01-14
申请号：JP2009122823
申请日：2009-05-21
申请人： Mitsubishi Materials Corp , 三菱マテリアル株式会社
发明人： TAKE MASAYUKI
IPC分类号： C01B33/107 , C01B33/035
CPC分类号： C23C16/24 , C01B33/035 , C01B33/10731
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus, which can reduce the cost of constituent members and can be configured with constituent members having a longer operating life. SOLUTION: The apparatus for producing trichlorosilane, which allows a raw material gas containing tetrachlorosilane and hydrogen to react to produce a reaction product gas containing trichlorosilane, includes a reactor 1, to which a plurality of silicon seed rods 4 are held, provided with gas inlets 6 and gas outlets 7 and a heating apparatus to heat the silicon seed rods, wherein a raw material gas supply system 8 is connected to the gas inlets 6, the system switching and supplying one of a raw material gas for producing trichlorosilane which contains silicon tetrachloride and hydrogen gas and a raw material gas for depositing polycrystalline silicon which contains trichlorosilane and hydrogen. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够降低构成构件的成本并且可以配置有具有较长工作寿命的构成构件的装置。解决方案：使含有四氯硅烷和氢气的原料气体反应生成含有三氯硅烷的反应产物气体的三氯硅烷的制造装置包括反应器1，多个硅种子棒4被保持在该反应器1上具有气体入口6和气体出口7以及用于加热硅种子棒的加热装置，其中原料气体供应系统8连接到气体入口6，系统切换并供应三氯硅烷生产原料气体之一含有四氯化硅和氢气以及用于沉积含有三氯硅烷和氢的多晶硅的原料气体。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

2. 发明专利

JP5160181B2 Trichlorosilane manufacturing equipment 有权
公开(公告)号：JP5160181B2
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：JP2007268617
申请日：2007-10-16
申请人：三菱マテリアル株式会社 , 電気化学工業株式会社
发明人：満敏生川 , 祐司清水
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： C01B33/10731 , B01J8/025 , B01J8/0285 , B01J12/007 , B01J2208/00415 , B01J2208/00513 , C01B33/10736

3. 发明专利

JP2008150274A Trichlorosilane manufacturing device 有权
标题翻译：三氯硅烷制造设备
公开(公告)号：JP2008150274A
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：JP2007268617
申请日：2007-10-16
申请人： Mitsubishi Materials Corp , 三菱マテリアル株式会社
发明人： UBUKAWA MITSUTOSHI , SHIMIZU YUJI
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： C01B33/10731 , B01J8/025 , B01J8/0285 , B01J12/007 , B01J2208/00415 , B01J2208/00513 , C01B33/10736
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To subject a supply gas to reaction by efficiently heating the supply gas, in a trichlorosilane manufacturing device. SOLUTION: The device is provided with a reaction vessel 1 to whose inside the supply gas containing tetrachlorosilane and hydrogen is supplied and a reaction product gas containing trichlorosilane and hydrogen chloride is generated, a plurality of particle blocks 2 which is packed in the reaction vessel 1 and which has a melting point exceeding at least 1,400°C and a heating mechanism 3 for heating the particle blocks 2 in the reaction vessel 1. As a result, the gas is efficiently heated because there are a lot of clearances by void part 2a formed between blocks 2 themselves and also a contact area between the supply gas and the particle blocks is enlarged. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：待解决的问题：在三氯硅烷制造装置中，通过有效地加热供给气体来使供给气体进行反应。解决方案：该装置设置有反应容器1，其内部供应含有四氯硅烷和氢气的供应气体，并且产生含有三氯硅烷和氯化氢的反应产物气体，多个颗粒块2包装在反应容器1，其熔点超过至少1400℃，加热机构3用于加热反应容器1中的颗粒块2.结果，气体被有效地加热，因为有大量的空隙在块2本身之间形成的部分2a以及供应气体和颗粒块之间的接触区域被扩大。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP5876581B2 ヒドロクロロシラン生産における汚損低減有权
标题翻译：在水氯硅烷生产减少污染
公开(公告)号：JP5876581B2
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：JP2014537319
申请日：2012-10-19
申请人：アールイーシーシリコンインコーポレイテッド
发明人：スタインジュルスルッド , アンニャオラフセンショスタ
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： C01B33/1071 , C01B33/10731 , C01B33/10778

6. 发明专利

JP2014534155A ヒドロクロロシラン生産における汚損低減有权
标题翻译：在水氯硅烷生产减少污染
公开(公告)号：JP2014534155A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：JP2014537319
申请日：2012-10-19
申请人：アールイーシーシリコンインコーポレイテッド , アールイーシーシリコンインコーポレイテッド
发明人：ジュルスルッドスタイン , ジュルスルッドスタイン , オラフセンショスタアンニャ , オラフセンショスタアンニャ
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： C01B33/1071 , C01B33/10731 , C01B33/10778
摘要：ヒドロクロロシラン生産プラントにおいてけい化鉄および/またはりん化鉄の汚損(ファウリング)および/または腐食を減らすための方法の実施形態を開示する。塩化水素形成を最小化するために四塩化けい素プロセスストリームにおいて十分なトリクロロシランが含有され、それによって鉄(II)塩化物形成が抑制され、およびけい化鉄および/またはりん化鉄汚損、過熱器腐食、またはそれらの組合せが低減される。
摘要翻译：它公开了一种用于减少硅铁和/或在加氢氯硅烷生产厂磷化铁（污垢）和/或腐蚀的结垢的方法的实施例。在四氯化硅工艺流足够三氯硅烷，以便最小化氯化氢形成载，形成由抑制它铁（II）氯化物，和硅酸铁和/或磷化铁结垢，过热容器的侵蚀，或它们的组合被降低。

7. 发明专利

JP5444839B2 Trichlorosilane manufacturing apparatus and method for manufacturing 有权
公开(公告)号：JP5444839B2
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：JP2009122823
申请日：2009-05-21
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：昌之手計
IPC分类号： C01B33/107 , C01B33/035
CPC分类号： C23C16/24 , C01B33/035 , C01B33/10731

8. 发明专利

JP2011190165A Apparatus for producing trichlorosilane and method for producing trichlorosilane 有权
标题翻译：用于生产三氯硅烷的设备和用于生产三氯硅烷的方法
公开(公告)号：JP2011190165A
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：JP2011029307
申请日：2011-02-15
申请人： Mitsubishi Materials Corp , 三菱マテリアル株式会社
发明人： MURAKAMI NAOYA , SAIKI WATARU
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： B01J19/006 , B01J19/243 , B01J2219/00135 , B01J2219/00155 , B01J2219/00768 , B01J2219/185 , B01J2219/1943 , C01B33/10731
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus for producing trichlorosilane and a method for producing trichlorosilane that enable heating of supply gas with high heat efficiency, enable to enlarge the size of the apparatus without reducing the heat efficiency, and enable mass production of trichlorosilane.
SOLUTION: An apparatus 100 for producing trichlorosilane, including: a reaction vessel 10 that has a substantially cylindrical wall body 11, a top plate 12 that closes an upper opening of the wall body 11, and a bottom plate 13 that closes a lower opening of the wall body 11, where a reaction product gas including trichlorosilane and hydrogen chloride is produced from the raw gas including tetrachlorosilane and hydrogen and supplied through a gas introducing passage 11b provided to the lower section of the cylindrical wall body 11; and a plurality of heaters 20 that are disposed inside the reaction vessel 10 to heat the raw gas, wherein each of the heaters 20 has a heating element 21 that generates heat by electrification, and a receptacle 22 that supports the lower ends of the heating element 21; a flange 23 is provided to intermediate height of the heating element 21 such that the flange 23 is arranged to a position higher than the gas introducing passage 11b and is elongated in horizontal direction; and a passage 102 of the raw gas formed between adjacent heaters 20 is narrowed by the flange 23.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供三氯硅烷的制造装置和能够以高热效率加热供给气体的三氯硅烷的制造方法，能够在不降低热效率的情况下扩大装置的尺寸，能够进行批量生产的三氯硅烷。解决方案：一种用于制备三氯硅烷的设备100，包括：具有基本圆筒形壁体11的反应容器10，封闭壁体11的上部开口的顶板12和封闭由包括四氯硅烷和氢气的原料气体产生包括三氯硅烷和氯化氢的反应产物气体的壁体11的下部开口，并通过设置在圆筒形壁体11的下部的气体引入通道11b供给; 以及多个加热器20，其设置在反应容器10内部以加热原料气体，其中每个加热器20具有通过带电产生热量的加热元件21和支撑加热元件的下端的容器22 21; 在加热元件21的中间高度处设置凸缘23，使得凸缘23布置在比气体引入通道11b高的位置并且在水平方向上延伸; 并且相邻的加热器20之间形成的原料气体的通道102被凸缘23变窄。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP5482687B2 Trichlorosilane manufacturing apparatus and method for manufacturing 有权
公开(公告)号：JP5482687B2
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：JP2011029307
申请日：2011-02-15
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：直也村上 , 渉斎木
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： B01J19/006 , B01J19/243 , B01J2219/00135 , B01J2219/00155 , B01J2219/00768 , B01J2219/185 , B01J2219/1943 , C01B33/10731

10. 发明专利

JP2013517208A Of silicon tetrachloride as the essential elements of the device for converting into trichlorosilane, the use of ceramic heat exchanger is operated under pressure 审中-公开
公开(公告)号：JP2013517208A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：JP2012549271
申请日：2010-12-16
申请人：エボニックデグサゲーエムベーハーEvonik Degussa GmbH
发明人：シュトホニオルギド , エナルイュセル , ビーカーアルフォンス , パウリインゴ , ルント−リークイングリート
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： C01B33/1071 , C01B33/10731
摘要：本発明は、水素の存在下で四塩化ケイ素をトリクロロシランへと接触水素化脱ハロゲン処理する方法の必須の要素としてのセラミック熱交換器の使用に関し、その際、生成物ガス及び出発材料ガスを、加圧下にある流として、該熱交換器に導き、かつ、該熱交換器が、セラミック材料より成る熱交換器エレメントを包含する。

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