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1. 发明专利

JP2010517258A Method for forming to control the rough interface 审中-公开
公开(公告)号：JP2010517258A
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：JP2009546011
申请日：2008-01-10
申请人：エス. オー. アイ. テックシリコンオンインシュレーターテクノロジーズ
发明人：ベルナールアスパル， , ニコラスービー， , ブランシャール，クリステルラガヘ
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/304 , H01L27/12
CPC分类号： B81B3/001 , B81C1/00952 , B81C2201/115
摘要： The invention provides a method for forming a semiconductor component with a rough buried interface. The method includes providing a first semiconductor substrate having a first surface of roughness R1. The method further includes thermally oxidizing the first surface of the first semiconductor substrate to form an oxide layer defining an external oxide surface on the first semiconductor substrate and a buried oxide-semiconductor interface below the oxide surface, so that the buried oxide surface has a roughness R2 that is less than R1. The method also includes assembling the oxide surface of the first semiconductor substrate with a second substrate. The invention also provides a component formed according to the method of the invention.

2. 发明专利

JP2013068603A Structural body, and manufacturing method of the same 有权
标题翻译：结构体及其制造方法
公开(公告)号：JP2013068603A
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：JP2012155512
申请日：2012-07-11
申请人： Canon Inc , キヤノン株式会社
发明人： TEJIMA TAKAYUKI , SETOMOTO YUTAKA
IPC分类号： G01T7/00
CPC分类号： G01N23/20 , A61B6/484 , B81B3/0008 , B81C1/00952 , C25D1/00 , G03F7/00 , G21K1/025 , G21K2207/005
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a structural body by using a silicone mold having less array disorder due to charging.SOLUTION: The manufacturing method of the structural body includes the steps of: forming a plurality of projections 10 on a first surface 9 of a silicon substrate 1; forming a conductive opening 3 in a part of the silicon substrate; cleaning, drying, or carrying the silicon substrate 1 while electrically connecting the conductive opening 3 with a ground electrode 4; and filling gaps between the projections 10 with metal 8 after the step of cleaning, drying, or carrying the silicon substrate.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过使用由于充电而具有较少阵列紊乱的硅氧烷模具来制造结构体的方法。解决方案：结构体的制造方法包括以下步骤：在硅衬底1的第一表面9上形成多个突起10; 在硅衬底的一部分中形成导电开口3; 清洁，干燥或携带硅基板1，同时将导电开口3与接地电极4电连接; 并且在清洁，干燥或承载硅衬底的步骤之后，用金属8填充突起10之间的间隙。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2010517259A Roughening treatment method 审中-公开
公开(公告)号：JP2010517259A
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：JP2009546012
申请日：2008-01-10
申请人：エス. オー. アイ. テックシリコンオンインシュレーターテクノロジーズ
发明人：ベルナールアスパル， , ニコラスービー， , ブランシャール，クリステルラガヘ
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： B81C1/00952 , B81B3/001 , B81C2201/115
摘要：本発明は、半導体基板（２）内に粗い界面（１２）を形成する方法に関する。この方法は、上記基板の表面（４）上に、酸化物又は酸化することができる材料（６）内又は上に凹凸ゾーン（８）を形成するステップと、この材料又はこの酸化物（６）と半導体基板の一部分とを熱酸化し、又はこの材料又はこの酸化物（６）と半導体基板の一部分とを介して熱酸化し、半導体基板（２）内又は上に粗さを形成するステップと、を備える。
【選択図】図１Ｃ

4. 发明专利

JP2018527198A MEMSスティクション低減のためのシラン調節流体审中-公开
公开(公告)号：JP2018527198A
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：JP2017567462
申请日：2016-06-02
申请人：スナップトラック・インコーポレーテッド
发明人：マ、ジ , ウェイ、シャンヘ , ファイク・ザ・サード、ユージーン , ダン、タイラー
IPC分类号： B81C3/00 , G02B26/02 , B81B3/00
CPC分类号： G02B26/04 , B81B3/0016 , B81C1/00952 , G09G3/3433
摘要：本開示は、流体充填プロセス中のスティクションを低減するデバイスおよび方法を提供する。デバイスは、基板のうちの少なくとも1つの上に可動MEMS構成要素をもつ2つの基板を含むことができる。本デバイスは、2つの基板間の、可動MEMS構成要素を取り囲むか、またはそれを少なくとも部分的に取り囲む流体を含むことができ、ここで、流体は、可動MEMS構成要素のための潤滑剤として働くことができる。流体は、表面エネルギー調節剤をドープされた溶液であり得、ここで、表面エネルギー調節剤は、無極性官能基Rを含む。いくつかの実装形態では、無極性官能基Rは、アルキルと、アリールと、ナフテンとからなるグループから選択され得る。【選択図】図4

5. 发明专利

JP2017067540A 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、センサーデバイス、電子機器および移動体审中-公开
公开(公告)号：JP2017067540A
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2015191434
申请日：2015-09-29
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：田中悟
IPC分类号： G01P15/125 , G01P15/08
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B3/001 , B81C1/00666 , B81C1/00952 , B81B2201/0235 , B81B2203/0181 , B81C2203/0118 , B81C2203/031
摘要：【課題】可動体と基板との張り付きを良好に防止または低減することができる物理量センサーおよびその製造方法を提供すること、また、かかる物理量センサーを備えるセンサーデバイス、電子機器および移動体を提供すること。【解決手段】物理量センサー1は、ベース基板2と、ベース基板2に対して対向して変位可能に設けられている可動部42と、可動部42に対向してベース基板2に配置されている第1固定電極51および第2固定電極52と、ベース基板2の可動部42側に平面視で可動部42と重なる位置に配置されている複数の突起部6と、を備え、突起部6は、第1固定電極51および第2固定電極位52と同電位の導体層と、導体層に対してベース基板2とは反対側に設けられている絶縁層と、を有する。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2006084326A Semi-conductor dynamic quantity sensor and its manufacturing method 有权
标题翻译：半导体动态数量传感器及其制造方法
公开(公告)号：JP2006084326A
公开(公告)日：2006-03-30
申请号：JP2004269540
申请日：2004-09-16
申请人： Denso Corp , 株式会社デンソー
发明人： YOKOYAMA KENICHI
IPC分类号： G01C19/56 , G01C19/5762 , G01C19/5769 , G01P15/08 , G01P15/125 , H01L29/84
CPC分类号： B81C1/00952 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0136 , B81C2201/0167 , H01L31/18
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress the lowering of yield due to mixing of foreign article in between a movable electrode and a silicon substrate in a capacity type angular velocity sensor formed with the movable electrode and its opposite fixed electrode on the silicon substrate without thickening an embedded oxide film which is sacrifice layer. SOLUTION: In the angular velocity sensor 100 formed with the movable electrodes 32, 40 and fixed electrodes 60, 70 and 80 on an SOI layer 12 layered by way of the embedded oxide film 13 on the silicone substrate 11, a compression stress layer 90 where a compression stress is generated on the surface of a detection beam lead 50 which is a connection between the movable electrode 25 and the silicone substrate 11 is formed. When the detection beam lead 50 is bent by the compression stress to the direction parting from the silicone substrate 11, the movable electrodes 32, 40 face with a shift from the fixed electrodes 60 to 80 in the state positioning in the direction parting from the silicon substrate 11. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：为了抑制由在硅衬底上形成有可动电极及其相对的固定电极的容量型角速度传感器中的异物混入引起的可动电极和硅衬底之间的产率的降低而不会增加作为牺牲层的嵌入氧化膜。解决方案：在通过硅树脂基板11上的嵌入氧化膜13层叠的SOI层12上形成有可动电极32,40和固定电极60,70和80的角速度传感器100中，形成在作为可动电极25和硅酮基板11之间的连接的检测光束引线50的表面上产生压缩应力的层90。当检测光束引线50被压缩应力弯曲到与硅树脂基板11分开的方向时，可移动电极32,40在从硅分离的方向定位的状态下面对从固定电极60至80的偏移底物11.版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

7. 发明专利

JP6265496B2 デバイス上にコーティングを堆積させる改善された堆積法有权
公开(公告)号：JP6265496B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2014527736
申请日：2012-08-31
申请人：メムススターリミテッド , MEMSSTAR LIMITED
发明人：オハラ,アンソニー
IPC分类号： B81B7/02 , H01L21/316 , B82Y40/00 , C23C16/44
CPC分类号： B81C1/00952 , B81C1/0038 , B81C2201/112 , C23C16/44

8. 发明专利

JP6176898B2 X線タルボ干渉法による撮像に用いられる遮蔽格子の製造方法有权
公开(公告)号：JP6176898B2
公开(公告)日：2017-08-09
申请号：JP2012155512
申请日：2012-07-11
申请人：キヤノン株式会社
发明人：手島隆行 , ▲瀬▼戸本豊
IPC分类号： G01T7/00
CPC分类号： G01N23/20 , B81B3/0008 , B81C1/00952 , C25D1/00 , G03F7/00 , G21K1/025 , A61B6/484 , G21K2207/005

9. 发明专利

JP2014531508A デバイス上にコーティングを堆積させる改善された堆積法有权
标题翻译：改进的沉积方法在设备上沉积涂层
公开(公告)号：JP2014531508A
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：JP2014527736
申请日：2012-08-31
申请人：メムススターリミテッドMemsstar Limited , メムススターリミテッドMemsstar Limited
发明人：オハラ，アンソニー
IPC分类号： C23C16/44 , B81B7/02 , B82Y40/00 , H01L21/316
CPC分类号： B81C1/00952 , B81C1/0038 , B81C2201/112 , C23C16/44
摘要：本発明は、デバイス上にコーティングを堆積するのに適した堆積法を記載している。この方法は、微小電気機械構造(MEMS)上に自己組織化単分子膜(SAM)のコーティングを堆積するのに特に適している。この方法は、中にデバイスが配置される処理チャンバ内に堆積蒸気を形成するためにキャリアガスを利用しており、この堆積蒸気は制御された量の蒸気の前駆体物質と蒸気の反応体物質とを含んでいる。記載の手法を利用することにより、反応体物質と前駆体物質の容積比が当該技術分野において既に利用されている比率よりも著しく高い場合であっても、デバイスの粒子汚染による問題の影響を回避することができる。蒸気の前駆体物質は、水を含む関連する蒸気の反応体物質を用いてMEMSに反スティクションコーティングを提供する種類の物質とすることができる。【選択図】図1
摘要翻译：本发明描述了适用于在装置上沉积涂层的沉积方法。这种方法特别适合于在微机电结构（MEMS）沉积自组装单层（SAM）的涂层。该方法中，载气使用前体材料的反应物物质和受控量的该设备的沉积蒸气的蒸气的蒸气以形成沉积蒸气进入其被布置在所述处理室它包括了门。通过利用所描述的，即使已经比现有技术与前体材料反应的材料的体积比所使用的比率显著更高的方法中，避免了由于该装置的颗粒污染的问题的影响它可以。前体材料蒸气可以是一类的，其提供抗粘滞涂层使用的反应物材料相关的蒸汽包括水MEMS材料。点域1

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