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2. 发明专利

JP2017041520A 電子デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：一种制造电子器件的方法
公开(公告)号：JP2017041520A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015161673
申请日：2015-08-19
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：成瀬敦紀
IPC分类号： H01L23/06 , B81C3/00 , H01L29/84 , G01P15/125 , G01P15/08 , H01L23/02
CPC分类号： B81C1/00269 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81C2203/0145 , B81C2203/031
摘要：【課題】複数回の陽極接合を行っても、接合強度の低下が生じない電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】アルカリ金属イオンを有する第1基体(基体10)に、シリコンを含む第2基体(機能素子80)およびシリコンを含む第3基体(蓋体50)を陽極接合する電子デバイスの製造方法であって、前記第1基体の一面と前記第2基体とを陽極接合する第1工程(ステップS104)と、前記第1工程の後、前記第1基体と前記第3基体とが陽極接合される前記第1基体の前記一面の少なくとも一部を除去し、接合面を露出させる第2工程(ステップS108)と、前記第1基体の前記接合面と前記第3基体とを陽極接合する第3工程(ステップS110)と、を含む。【選択図】図3
摘要翻译：阿来在接合强度进行多次的阳极键合，减少的次，以提供不会发生电子部件的制造方法。具有碱金属离子（底座10），所述电子装置的第三基板的制造方法的第一基板（盖体50）阳极接合包括第二基板（功能元件80）和所述含有硅的硅一个是所述一侧与所述第一基板阳极接合（步骤S104）的第二基板的第一步骤，和在第一步骤中，与所述第一基板和所述第三衬底之后被阳极接合至少在第一衬底的一个表面的一部分被移除，露出粘接面（步骤S108），并第三至所述第一基板和所述第三基板的贴合面的第二步骤进行阳极接合包括一个步骤（步骤S110），则。点域

3. 发明专利

JP2005527112A Patterned layer manufacturing method onto the substrate 审中-公开
公开(公告)号：JP2005527112A
公开(公告)日：2005-09-08
申请号：JP2003585167
申请日：2003-04-15
申请人：ショットアーゲーSchott Ag
发明人：ビーク，フロリアン , ムント，ディートリッヒ , ライプ，ユルゲン
IPC分类号： G02B3/00 , B81C1/00 , B81C3/00 , C03B19/00 , C03C4/12 , C03C14/00 , C03C15/00 , C03C17/02 , C03C17/34 , C03C27/02 , C23C14/10 , H01L21/027 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/312 , H01L21/316 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/768 , H01L23/00 , H01L23/02 , H01L23/10 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L51/50 , H01L51/52 , H05B33/04 , H05B33/10 , H05B33/24 , H05B33/26 , H05B33/28 , H05K3/28
CPC分类号： C03B19/00 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , B81C2203/031 , C03C4/12 , C03C14/006 , C03C15/00 , C03C17/02 , C03C17/34 , C03C2214/16 , C03C2217/21 , C03C2217/77 , C03C2218/15 , C03C2218/32 , C03C2218/328 , C03C2218/33 , C03C2218/355 , C23C14/10 , H01L21/02129 , H01L21/02145 , H01L21/02161 , H01L21/02263 , H01L21/31616 , H01L21/31625 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/76802 , H01L23/10 , H01L23/291 , H01L23/3114 , H01L23/49894 , H01L51/5203 , H01L51/5237 , H01L51/5262 , H01L2224/16 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01078 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H05K3/28
摘要：本発明は、被覆すべき少なくとも１つの表面２を有する基体１のパターンコーティング方法を提供するものであり、本方法は、精確なパターンの迅速で安価な製造に適している。このために、本方法は、
少なくとも１つの表面２上に少なくとも１つのネガ型パターンの第一の被膜３、３１、３２を形成する工程、
ガラス質構造を有する材料を含む少なくとも第二の層７、７１、７２、７３を、第一の被膜３、３１、３２が設けられた表面２上に堆積する工程、および第一の被膜３、３１、３２を少なくとも部分的に除去する工程を含む。

4. 发明专利

JP2017067540A 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、センサーデバイス、電子機器および移動体审中-公开
公开(公告)号：JP2017067540A
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2015191434
申请日：2015-09-29
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：田中悟
IPC分类号： G01P15/125 , G01P15/08
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B3/001 , B81C1/00666 , B81C1/00952 , B81B2201/0235 , B81B2203/0181 , B81C2203/0118 , B81C2203/031
摘要：【課題】可動体と基板との張り付きを良好に防止または低減することができる物理量センサーおよびその製造方法を提供すること、また、かかる物理量センサーを備えるセンサーデバイス、電子機器および移動体を提供すること。【解決手段】物理量センサー1は、ベース基板2と、ベース基板2に対して対向して変位可能に設けられている可動部42と、可動部42に対向してベース基板2に配置されている第1固定電極51および第2固定電極52と、ベース基板2の可動部42側に平面視で可動部42と重なる位置に配置されている複数の突起部6と、を備え、突起部6は、第1固定電極51および第2固定電極位52と同電位の導体層と、導体層に対してベース基板2とは反対側に設けられている絶縁層と、を有する。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2016048176A 物理量センサー、電子機器および移動体审中-公开
标题翻译：物理量传感器，电子设备和移动体
公开(公告)号：JP2016048176A
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：JP2014172675
申请日：2014-08-27
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：瀧澤照夫
IPC分类号： G01P15/125 , H01L29/84 , G01P15/08
CPC分类号： G01P1/02 , B81B7/02 , G01C19/5783 , G01D11/245 , G01P1/023 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C2203/0109 , B81C2203/0145 , B81C2203/031
摘要：【課題】機械的強度の高い物理量センサー、電子機器および移動体を提供すること。【解決手段】物理量センサー1は、ベース基板2および蓋体3を備え、内部に内部空間Sを有するパッケージ10と、内部空間Sに収容されている機能素子4と、を有し、蓋体3は、平面視で内部空間Sの周囲に設けられている隔壁部32に形成され、ベース基板2側の下面3aとベース基板2と反対側の上面3bとを連通する連通孔33を有し、連通孔33は、ベース基板2に形成された溝24を介して内部空間Sに連通されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高机械强度的物理量传感器，电子设备和移动体。解决方案：物理量传感器1包括：包装10，其包括基底基板2和盖3，并且具有内部空间S内; 以及容纳在内部空间S中的功能元件4.盖3具有连通孔33，该连通孔33形成在平面图中围绕内部空间S设置的分隔壁部32中，并且在基底基板上连通下表面3a 2侧和与基底基板2相反侧的上表面3b; 并且连通孔33经由形成在基底基板2中的槽24与内部空间S连通。选择的图示：图1

6. 发明专利

JP5819040B2 垂直オフセット構造体における高応力領域の緩和有权
标题翻译：在垂直偏移结构的高应力区域的松弛
公开(公告)号：JP5819040B2
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：JP2009266466
申请日：2009-11-24
申请人：ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
发明人：マイケル・ジェイ・フォスター , イジャズ・エイチ・ジャフリ
IPC分类号： C03C27/02 , B81C3/00
CPC分类号： B81C1/00103 , B81B2203/0384 , B81C2203/031

7. 发明专利

JP2015532765A 気密のキャビティを製造するための装置および方法有权
标题翻译：的设备和方法制造气密腔
公开(公告)号：JP2015532765A
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：JP2015526915
申请日：2013-07-18
申请人：オスラムオーエルイーディーゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOSRAM OLED GmbH , オスラムオーエルイーディーゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOSRAM OLED GmbH
发明人：ラングエアヴィン , ラングエアヴィン , ロイシュティロ , ロイシュティロ , シュヴァンプフィリップ , シュヴァンプフィリップ
IPC分类号： H05B33/04 , G09F9/30 , H01L27/32 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： H01L51/5253 , B81C1/00269 , B81C2201/0197 , B81C2203/0118 , B81C2203/031 , C23C16/45529 , H01L23/564 , H01L51/448 , H01L51/524 , H01L2924/0002 , H05K5/065 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10T428/13 , H01L2924/00
摘要：さまざまな実施例において、少なくとも1つのALDプリカーサ(302)および/または少なくとも1つのMLDプリカーサ(302)で被覆されている第1の担体(102);第1の担体(102)のALDプリカーサ(302)および/またはMLDプリカーサ(302)に対して相補的である、少なくとも1つのALDプリカーサ(304)および/または少なくとも1つのMLDプリカーサ(304)で被覆されている第2の担体(104)を有する装置であって、第1の担体(102)と第2の担体(104)とは、少なくとも部分的に、第1の担体(102)のALDプリカーサ(302)と第2の担体(104)のALDプリカーサ(304)との間の原子接合部(118)により、ALD層(118)が形成されるように接合されているか、および/または第1の担体(102)のMLDプリカーサ(302)と第2の担体(104)のMLDプリカーサ(304)との間の原子接合部(118)により、MLD層(118)が形成されるように接合されていることを有する前記装置が提供される。
摘要翻译：在各种实施例中，至少一个前体的ALD（302）和/或至少一个第一载波涂覆有前体MLD（302）（102）;第一ALD前体（302个载体（102））是互补的和/或用于MLD前体（302）具有至少一个前体的ALD（304）和/或至少一个第二载波涂覆有前体MLD（304）（104）的装置，一个第一载流子（102）和第二托架（104），至少在一部分，ALD前体（302）和第二（102）支持的第一载波（104）在ALD前体之间的原子接头（304）（118），或原子层沉积层（118）接合，以便形成，和/或MLD前体的第一和所述载体（102）（302）由所述载体（104）（304）的所述第二前体MLD之间的原子结（118），其具有被接合到MLD层（118）形成勒所述装置蛾通过提供。

9. 发明专利

JP4924238B2 Method of manufacturing the angular velocity sensor 有权
公开(公告)号：JP4924238B2
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：JP2007167833
申请日：2007-06-26
申请人：大日本印刷株式会社
发明人：明雄森井
IPC分类号： G01C19/5769 , G01C19/56 , H01L29/84
CPC分类号： G01P15/125 , B81B3/0008 , B81B2201/0242 , B81C2203/031 , G01C19/56 , G01C25/00 , G01P15/0802 , G01P15/18 , G01P2015/084 , G01P2015/0842

10. 发明专利

JP4777681B2 Anodic bonding apparatus, anodic bonding method, and a method of manufacturing the acceleration sensor 有权
公开(公告)号：JP4777681B2
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：JP2005112307
申请日：2005-04-08
申请人： Okiセミコンダクタ宮崎株式会社 , Okiセミコンダクタ株式会社
发明人：眞一末吉
IPC分类号： C03C27/02 , G01P15/00
CPC分类号： B81C3/001 , B81C2203/031

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