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    • 3. 发明专利
    • Method of manufacturing magneto-resistance effect element
    • 制造磁阻效应元件的方法
    • JP2010087293A
    • 2010-04-15
    • JP2008255607
    • 2008-09-30
    • Toshiba Corp株式会社東芝
    • YUASA HIROMIFUKUZAWA HIDEAKIFUJI YOSHIHIKOMURAKAMI SHUICHI
    • H01L43/12G11B5/39H01L43/08
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a vertical current feed type GMR element that is essential to large-capacity magnetic recording and reproduction and adaptive to mass production of a fine reproducing head, and includes a current constriction layer having a single current path with a small characteristic variance.
      SOLUTION: An intermediate layer 15 is formed on a pin layer 14, and a protective layer 16 is formed on the intermediate layer 15; and a multilayer film comprising the pin layer 14, intermediate layer 15, and protective layer 16 is patterned by lithography, and an insulating film is formed covering the patterned multilayer film. An insulator 24 covering the patterned mutilayer film is removed to form an opening. A membrane 24b is grown from an inner peripheral edge of the insulator 24 to the center of the opening by irradiating the opening with an ion beam 26 of noble gas from above, and a through-hole is bored in the protective layer 16 and filled with the same material as in the intermediate layer 15.
      COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
    • 要解决的问题:提供一种制造对大容量磁记录和重放必不可少的自适应大量生产精细再现头的垂直电流馈送型GMR元件的方法,并且包括具有 具有小特征方差的单个电流路径。 解决方案:中间层15形成在针层14上,保护层16形成在中间层15上; 并且通过光刻将包括引脚层14,中间层15和保护层16的多层膜图案化,并且形成覆盖图案化多层膜的绝缘膜。 覆盖图案化的三层膜的绝缘体24被去除以形成开口。 通过用上述惰性气体的离子束26照射开口,从绝缘体24的内周边缘到开口的中心生长膜24b,并且在保护层16中填充有通孔,并填充有 与中间层15相同的材料。版权所有(C)2010,JPO&INPIT
    • 5. 发明专利
    • 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、および磁気記録再生装置
    • 磁阻效应元件,磁头和磁记录再生装置
    • JP2014220027A
    • 2014-11-20
    • JP2013099348
    • 2013-05-09
    • 株式会社東芝Toshiba Corp
    • HASE NAOKITAKAGISHI MASAYUKIHASHIMOTO SUSUMUMURAKAMI SHUICHIISOWAKI YOSUKEKADO MASATERUIWASAKI HITOSHI
    • G11B5/39H01L43/08H01L43/10
    • G01R33/093G11B5/3906G11B5/3912G11B5/398H01F10/1936H01F10/3268H01F10/3295H01L43/02H01L43/08Y10T428/1121
    • 【課題】高いMR比を有するとともに大きな電流密度を供給できる磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、および磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】本実施形態の磁気抵抗効果素子は、第1磁性膜と、第2磁性膜と、前記第1磁性膜と前記第2磁性膜との間に設けられた非磁性の中間膜と、を有する磁気抵抗効果膜を備え、Aを少なくともFeとMnとを含む合金、Bを少なくともSi、Al、およびGeを含む合金とするとき、前記第1および第2磁性膜の少なくとも一方は、Co100−x(AyB1.0−y(40at%≦x≦60at%、0.3≦y≦0.7)と表されたホイスラー合金であり、前記少なくとも一方の磁性膜は、前記中間膜との界面に近接し膜厚方向に設けられた第1領域におけるFe/(Fe+Mn)の比率が60%未満であり、前記第1領域に比べて前記界面から遠く膜厚方向に設けられた第2領域におけるFe/(Fe+Mn)の比率が60%以上であるように膜厚方向に組成が変調される。【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供具有高MR比率并能够提供大电流密度的磁阻效应元件,磁头和磁记录再生装置。解决方案:磁阻效应元件包括:磁阻效应膜,其具有 第一磁性膜,第二磁性膜和形成在第一磁性膜和第二磁性膜之间的非磁性中间膜。 将A定义为至少含有Fe和Mn并且限定B至少包含Si,Al和Ge的合金的合金,第一和第二磁性膜中的至少一个是Heusler合金,其由Co( AB(40at%≤x≤60at%,0.3≤y≤0.7),所述至少一个所述磁性膜的组成在膜厚方向调制,使得第一区域中的Fe /(Fe + Mn) 形成在与中间膜的界面附近且膜厚方向成为60%以下的Fe /(Fe + Mn)与膜界面相比形成的第二区域的Fe /(Fe + Mn)比第一区域 地区为60%以上。
    • 6. 发明专利
    • Magnetic head, magnetic head assembly, and magnetic recording and reproducing device
    • 磁头,磁头组件和磁记录和再现装置
    • JP2014130672A
    • 2014-07-10
    • JP2013234725
    • 2013-11-13
    • Toshiba Corp株式会社東芝
    • SHIMIZU MARIKOKOI KATSUHIKOMURAKAMI SHUICHIYUASA HIROMI
    • G11B5/31
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To lower a critical current density for maintaining high frequency magnetic field and starting oscillation of an oscillation layer.SOLUTION: A magnetic head of an embodiment includes a spin torque oscillator arranged between a main magnetic pole and an auxiliary magnetic pole. The spin torque oscillator includes a down-spin injection layer, a first intermediate layer, an oscillation layer, a second intermediate layer, and an up-spin injection layer. The down-spin injection layer includes a first perpendicular magnetization film and a first interface magnetic layer, which are formed on one of the main magnetic pole and the auxiliary magnetic pole. The first interface magnetic layer used in a first embodiment includes: one element being at least one of Fe, Co, and Ni; and at least one element selected from a group consisting of Cr, V, Mn, Ti, and Se. The up-spin injection layer includes a second perpendicular magnetization film.
    • 要解决的问题:降低用于维持高频磁场和振荡层的振荡的临界电流密度。解决方案:实施例的磁头包括布置在主磁极和辅助磁极之间的自旋扭矩振荡器。 自旋扭矩振荡器包括下自旋注入层,第一中间层,振荡层,第二中间层和上旋涂层。 下自旋注入层包括形成在主磁极和辅助磁极之一上的第一垂直磁化膜和第一界面磁性层。 在第一实施例中使用的第一界面磁性层包括:一个元素是Fe,Co和Ni中的至少一个; 以及选自Cr,V,Mn,Ti和Se中的至少一种元素。 上旋涂层包括第二垂直磁化膜。
    • 7. 发明专利
    • Blood pressure sensor
    • 血压传感器
    • JP2012176294A
    • 2012-09-13
    • JP2012138181
    • 2012-06-19
    • Toshiba Corp株式会社東芝
    • YUASA HIROMIFUKUZAWA HIDEAKIFUJI YOSHIHIKODEVIN GIDDINGSHARA MICHIKOMURAKAMI SHUICHI
    • A61B5/022
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a blood pressure sensor for measuring a blood pressure with high sensitivity and continuous way.SOLUTION: A blood pressure sensor includes: a substrate mounted on a blood pressure measurement part of a subject and bent to generate a tensile stress at least in one direction; a first electrode provided on the substrate; a fixed magnetic layer provided on the first electrode and having magnetization facing in one direction; a nonmagnetic layer provided on the fixed magnetic layer; a magnetic free layer provided on the nonmagnetic layer and having variable magnetization; and a second electrode provided on the magnetic free layer. The magnetization direction of the magnetic free layer faces different from the first direction in which the tensile stress is generated and from a direction perpendicular to the first direction.
    • 要解决的问题:提供一种用于以高灵敏度和连续的方式测量血压的血压传感器。 解决方案:血压传感器包括:安装在受试者的血压测量部分上并弯曲以至少在一个方向产生拉伸应力的基底; 设置在所述基板上的第一电极; 固定磁性层,设置在所述第一电极上并具有朝向一个方向的磁化; 设置在固定磁性层上的非磁性层; 设置在非磁性层上并具有可变磁化强度的无磁性层; 以及设置在无磁层上的第二电极。 磁性自由层的磁化方向与产生拉伸应力的第一方向和垂直于第一方向的方向不同。 版权所有(C)2012,JPO&INPIT
    • 10. 发明专利
    • 磁気ヘッド、及び磁気記録再生装置
    • 磁头和磁记录再生装置
    • JP2015011745A
    • 2015-01-19
    • JP2013137212
    • 2013-06-28
    • 株式会社東芝Toshiba Corp
    • KOI KATSUHIKOMURAKAMI SHUICHI
    • G11B5/31
    • G11B5/3146G11B5/1278G11B5/235G11B5/314G11B2005/0024
    • 【課題】スピントルク発振子の発振駆動電圧を低減することが可能な磁気ヘッドを得ることを目的とする。【解決手段】実施形態に係る磁気ヘッドは、主磁極とスピントルク発振子と補助磁極とを含み、スピントルク発振子はスピン注入層、非磁性中間層、及び発振層を含み、このスピン注入層は、ホイスラー合金からなる第1の金属層と、プラチナ、パラジウム、及びニッケルのうち少なくとも1種を含む第2の金属層とを、2回以上繰り返し積層した人工格子膜を持ち、かつ第1の金属層は0.3nmないし3.5nmの厚さを有する。【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种能够降低自旋扭矩振荡器的振荡驱动电压的磁头。解决方案:磁头包括:主磁极; 自旋转矩振荡器; 和辅助磁极。 自旋转矩振荡器包括:自旋注入层; 非磁性中间层; 和振荡层。 自旋注入层具有人造晶格膜,其包括:Heusler合金的第一金属层; 重复包括铂,钯和镍中的至少一种的第二金属层,其被层压两次或更多次,第一金属层的厚度为0.3-3.5nm。