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1. 发明专利

JP2012118300A Resist underlay film material and pattern forming method using the same 有权
标题翻译：使用相同的电阻膜下材料和图案形成方法
公开(公告)号：JP2012118300A
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：JP2010268068
申请日：2010-12-01
申请人： Shin Etsu Chem Co Ltd , 信越化学工業株式会社
发明人： OGIWARA TSUTOMU , KOORI DAISUKE , BIYAJIMA YUSUKE , WATANABE TAKESHI , FUJII TOSHIHIKO , KANAO GO
IPC分类号： G03F7/11 , C08G8/04 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/091 , G03F7/095
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist underlay film material, from which an underlay film can be formed, the under layer film capable of reducing reflectance as an underlay film for a three-layer resist process (that is, the under layer film having optimal n and k values as an antireflection film), having superior embedding characteristics and high resistance against pattern bending, and particularly, preventing falling or wrinkles of lines after etching in a thin line with less than 60 nm width and a high aspect ratio, and to provide a pattern forming method using the above material.SOLUTION: The resist underlay film material contains a polymer obtained by condensing at least one kind of compound expressed by the following general formulae (1-1) and/or (1-2) and at least one kind of compound expressed by general formula (2):OHC-X-CHO and/or an equivalent thereof.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供能够形成底膜的抗蚀剂底层膜材料，能够降低作为三层抗蚀剂工艺的底层膜的反射率的底层膜（即，下层具有优异的n值和k值作为抗反射膜的层膜），具有优异的嵌入特性和高的图案弯曲阻力，特别是防止在具有小于60nm宽度和高方面的细线中蚀刻后的线的下降或皱纹比例，并提供使用上述材料的图案形成方法。抗蚀剂底膜材料包含通过将由以下通式（1-1）和/或（1-2）表示的至少一种化合物和至少一种由以下通式（1-1）和/或（1-2）表示的化合物）通式（2）：OHC-X-CHO和/或其等同物。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

2. 发明专利

JP2012098431A Resist lower layer film material and method for forming pattern using the same 有权
标题翻译：用于形成图案的下层薄膜材料和方法
公开(公告)号：JP2012098431A
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：JP2010244981
申请日：2010-11-01
申请人： Shin Etsu Chem Co Ltd , 信越化学工業株式会社
发明人： OGIWARA TSUTOMU , KOORI DAISUKE , BIYAJIMA YUSUKE , FUJII TOSHIHIKO , WATANABE TAKESHI , KANAO GO
IPC分类号： G03F7/11 , C08G8/04 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/094
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist lower layer film material capable of forming the lower layer film that can reduce a reflectivity as the lower layer film for a three-layered resist process in particular (having an optimal n value and k value for an antireflection film), has a superior embedding characteristic and a high pattern bending resistance, and eliminates slanting and twisting of a line after the etching in a high-aspect line narrower than 60 nm in particular; and to provide a method for forming a pattern using the same.SOLUTION: This resist lower layer film material includes a polymer obtained by condensing at least: one type or more compounds represented by the following general formula (1-1) and/or (1-2); and one type or more compounds represented by the following general formula (2) and/or an equivalent thereof.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够形成下层膜的抗蚀剂下层膜材料，其特别可以降低作为三层抗蚀剂工艺的下层膜的反射率（具有最佳n值和k 防反射膜的值）具有优异的嵌入特性和高图案抗弯曲性，并且特别是在窄于60nm的高纵横线中蚀刻后的线的倾斜和扭曲; 并提供使用其形成图案的方法。该抗蚀剂下层膜材料包括通过至少缩合以下通式（1-1）和/或（1-2）表示的一种或多种化合物而获得的聚合物; 和一种或多种由以下通式（2）表示的化合物和/或其等同物。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2015018221A 下層膜材料及びパターン形成方法有权
标题翻译：底层薄膜材料和图案形成方法
公开(公告)号：JP2015018221A
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：JP2014107769
申请日：2014-05-26
申请人：信越化学工業株式会社 , Shin Etsu Chem Co Ltd
发明人： HATAKEYAMA JUN , KOORI DAISUKE , OGIWARA TSUTOMU
IPC分类号： G03F7/11 , C08G8/00 , G03F7/26 , G03F7/42 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0276 , C08G8/04 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/425 , H01L21/266
摘要：【解決手段】リソグラフィーで用いられるフォトレジスト下層膜材料であって、置換又は非置換のナフトールフタレインの繰り返し単位を有するノボラック樹脂を含有することを特徴とする下層膜材料。【効果】本発明のレジスト下層膜材料は、アルカリ水で剥離される。ナフトールフタレインの繰り返し単位を有するノボラック樹脂は、アルカリ水で加水分解されてカルボキシル基が発生し、アルカリ水溶液に可溶となる。これによって、イオンを打ち込んだSi基板やSiO2基板にダメージを与えずに剥離することが可能となる。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可用碱性水剥离的抗蚀剂下层膜材料，并且可以在不损害离子注入的硅衬底或SiO衬底的情况下剥离，因为具有源自萘酞的重复单元的酚醛清漆树脂在碱性水中水解产生羧基并用碱性水溶液变成可溶。本发明提供一种用于光刻的光致抗蚀剂下层膜材料，其包含具有衍生自取代或未取代萘酞的重复单元的酚醛清漆树脂。

4. 发明专利

JP2014024831A Compound for forming organic film, and organic film material using the same, process for forming organic film, and patterning process 有权
标题翻译：用于形成有机膜的化合物和使用其的有机膜材料，用于形成有机膜的方法和方法
公开(公告)号：JP2014024831A
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：JP2013079182
申请日：2013-04-05
申请人： Shin Etsu Chem Co Ltd , 信越化学工業株式会社
发明人： TACHIBANA SEIICHIRO , KOORI DAISUKE , OGIWARA TSUTOMU , WATANABE TAKESHI , NODA KAZUMI , YANO TOSHIHARU
IPC分类号： C07C39/17 , C07C43/23 , C08G8/08 , C08G61/12 , G03F7/11 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/094 , C07C39/17 , C07C43/23 , C07C2603/18 , C08F216/10 , C08G61/12 , C08K5/13 , C09D7/1233 , C09D7/63 , C09D129/02 , C09D165/00 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/02118 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/02318 , H01L21/0271 , H01L21/0274 , H01L21/0276 , H01L21/308 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L27/1203
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic film material having high dry etching resistance as well as advanced filling/planarizing characteristics.SOLUTION: The invention provides a compound for forming an organic film having a partial structure represented by the general formula (i) or (ii). (In the formula, ring structures Ar1, Ar2 and Ar3 each represent a substituted or unsubstituted benzene ring or naphthalene ring; e is 0 or 1; Rrepresents a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms; Lrepresents a linear, branched or cyclic divalent organic group having 1 to 32 carbon atoms, where the methylene group included in Lmay be substituted by an oxygen atom or a carbonyl group.)
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高耐干蚀刻性以及先进的填充/平坦化特性的有机膜材料。解决方案：本发明提供一种用于形成具有由通式（i）或（ⅱ）。（式中，环结构Ar 1，Ar 2和Ar 3分别表示取代或未取代的苯环或萘环，e表示0或1; R表示氢原子或碳原子数1〜30的直链状，支链状或环状的一价有机基团 ; L表示具有1至32个碳原子的直链，支链或环状二价有机基团，其中Lmay中包含的亚甲基被氧原子或羰基取代。）

5. 发明专利

JP2013156627A Resist underlayer film material, production method of polymer for resist underlayer film material and pattern forming method using resist underlayer film material 有权
标题翻译：电阻膜薄膜材料，抗静电膜薄膜材料和图案形成方法聚合物的生产方法使用电阻膜下材料
公开(公告)号：JP2013156627A
公开(公告)日：2013-08-15
申请号：JP2012264837
申请日：2012-12-04
申请人： Shin Etsu Chem Co Ltd , 信越化学工業株式会社
发明人： TACHIBANA SEIICHIRO , KOORI DAISUKE , OGIWARA TSUTOMU , NODA KAZUMI , KANAO TAKESHI
IPC分类号： G03F7/11 , C08G8/22 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/004 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/40
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist underlayer film material which gives an underlayer film, particularly for a three-layer resist process, capable of reducing reflectance, having an n-value and a k-value preferable as an antireflection film, having excellent filling-up characteristics and high pattern-bending resistance while not causing line fall or wiggling after etching of a high aspect line that is particularly thinner than 60 nm, and having sufficient solvent resistance even with low-temperature PAB (post application baking), and to provide a production method of polymer for a resist underlayer film, and a pattern forming method using the material.SOLUTION: The resist underlayer film material comprises a polymer which is obtained by condensing a condensate obtained by condensing at least one kind of compound expressed by general formula (1-1) and at least one kind of compound expressed by general formula (2-3) or equivalent compounds thereof, with at least one kind of compound expressed by general formula (2-1), (2-2) and equivalent compounds thereof.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种抗蚀剂下层膜材料，其具有能够降低具有优选的n值和k值作为抗反射膜的反射率的下层膜，特别是用于三层抗蚀剂工艺，具有优异的抗蚀剂下层膜材料填充特性和高图案抗弯曲性，同时在蚀刻比60nm特别薄的高纵横线之后不会引起线下落或摆动，并且即使在低温PAB（后施加烘烤）下也具有足够的耐溶剂性），以及提供了用于抗蚀剂下层膜的聚合物的制造方法和使用该材料的图案形成方法。溶胶：抗蚀剂下层膜材料包含通过将通过将至少一种由通式（1-1）和至少一种通式（2-3）表示的化合物或其等价化合物，与至少一种化合物并且由通式（2-1），（2-2）及其等价化合物表示。

6. 发明专利

JP2013068928A Positive resist material and patterning process 有权
标题翻译：积极的材料和图案过程
公开(公告)号：JP2013068928A
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：JP2012112628
申请日：2012-05-16
申请人： Shin Etsu Chem Co Ltd , 信越化学工業株式会社
发明人： HATAKEYAMA JUN , KOORI DAISUKE
IPC分类号： G03F7/004 , C08F20/00 , C08G8/04 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/00 , G03F7/0397 , G03F7/085 , G03F7/105
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive resist material having appropriate absorption to form a pattern on a highly reflective substrate with good pattern features, adhesiveness and embedding characteristics on a stepped substrate after exposure, and having ion implantation resistance when ion implantation is carried out, and to provide a patterning process.SOLUTION: The positive resist material comprises: (A) a polymeric compound having a weight average molecular weight of 1,000 to 500,000 and including a repeating unit having a structure in which a hydrogen atom of a carboxyl group is substituted with an acid-labile group having a cyclic structure; (B) a novolac resin of a substituted or unsubstituted fluorescein as a base resin; and a photo-acid generator.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有适当吸收的正性抗蚀剂材料，以在高反射性基板上形成具有良好图案特征，曝光后的阶梯状基板上的粘合性和嵌入特性，以及当离子注入时具有离子注入电阻的图案并进行图案化处理。正型抗蚀剂材料包括：（A）重均分子量为1,000〜500,000的高分子化合物，并且包括具有羧基的氢原子被酸取代的结构的重复单元，具有循环结构的不稳定基团; （B）取代或未取代的荧光素作为基础树脂的酚醛清漆树脂; 和光酸发生器。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2012145897A Resist underlayer film material and pattern forming method using the same 有权
标题翻译：使用相同的抗静电膜材料和图案形成方法
公开(公告)号：JP2012145897A
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：JP2011006307
申请日：2011-01-14
申请人： Shin Etsu Chem Co Ltd , 信越化学工業株式会社
发明人： OGIWARA TSUTOMU , KOORI DAISUKE , BIYAJIMA YUSUKE , WATANABE TAKESHI , FUJII TOSHIHIKO , KANAO TAKESHI
IPC分类号： G03F7/11 , C08G8/20 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： C08G10/02 , G03F7/094
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist underlayer film material, from which an underlayer film can be formed, the film capable of reducing reflectance as an underlayer film for a three-layer resist process (that is, having optimal n-value and k-value as an antireflection film), having excellent filling characteristics and high resistance against pattern bending, in particular, preventing collapse or distortion of lines after etching in a thin high-aspect line having a width of less than 60 nm, and to provide a pattern forming method using the same.SOLUTION: A resist underlayer film material contains at least a polymer obtained by condensing one kind or more of compounds expressed by general formula (1-1) and/or (1-2), and one kind or more of compounds of benzaldehyde having a hydroxyl group and/or naphthaldehyde having a hydroxyl group and/or an equivalent thereof.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供能够形成下层膜的抗蚀剂下层膜材料，能够降低作为三层抗蚀剂工艺的下层膜的反射率的膜（即，具有最佳n- 值和k值作为抗反射膜），具有优异的填充特性和高抗图案弯曲性，特别是防止在宽度小于60nm的薄型高纵横线中蚀刻后的线的塌陷或变形，以及以提供使用该图案形成方法的图案形成方法。抗蚀剂下层膜材料至少含有通过将一种或多种通式（1-1）和/或（1-2）表示的化合物缩合得到的聚合物，以及一种或多种具有羟基的苯甲醛和/或具有羟基和/或其等同物的萘醛。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2015018223A 下層膜材料及びパターン形成方法有权
标题翻译：底层薄膜材料和图案形成方法
公开(公告)号：JP2015018223A
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：JP2014107792
申请日：2014-05-26
申请人：信越化学工業株式会社 , Shin Etsu Chem Co Ltd
发明人： HATAKEYAMA JUN , KOORI DAISUKE , OGIWARA TSUTOMU
IPC分类号： G03F7/11 , C08G8/20 , G03F7/26 , G03F7/42 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0276 , C08G8/04 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/425 , H01L21/266
摘要：【解決手段】リソグラフィーで用いられるフォトレジスト下層膜材料であって、置換又は非置換のフルオレセインの繰り返し単位を有するノボラック樹脂を含有することを特徴とする下層膜材料。【効果】本発明のレジスト下層膜材料は、アルカリ水で剥離される。フルオレセインの繰り返し単位を有するノボラック樹脂は、アルカリ水で加水分解されてカルボキシル基が発生し、アルカリ水溶液に可溶となる。これによって、イオンを打ち込んだSi基板やSiO2基板にダメージを与えずに剥離することが可能となる。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种抗蚀剂下层膜材料，其可以用碱性水剥离，而不损害离子注入的Si衬底或SiO衬底，这是由于具有源自荧光素的重复单元的酚醛清漆树脂在碱性水中水解而产生羧基并用碱性水溶液转变为可溶解。溶液：本发明提供用于光刻的光致抗蚀剂下层膜材料，其包含具有衍生自取代或未取代的荧光素的重复单元的酚醛清漆树脂。

9. 发明专利

JP2013120194A Resist protective film material and pattern forming method 有权
标题翻译：耐腐蚀膜材料和图案形成方法
公开(公告)号：JP2013120194A
公开(公告)日：2013-06-17
申请号：JP2011266406
申请日：2011-12-06
申请人： Shin Etsu Chem Co Ltd , 信越化学工業株式会社
发明人： HATAKEYAMA JUN , KOORI DAISUKE
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： C08L65/00 , C08G61/128 , C08G2261/3424 , C09D161/12 , C09D165/00 , G03F7/11 , G03F7/20
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist protective film materia having the effects of reducing environmental influences on a resist film and efficiently blocking OOB light as well as suppressing reduction in resist pattern films or bridges between patterns and making a resist film highly sensitive, and a pattern formation method using the material.SOLUTION: There is provided a resist protective film material using a novolac resin of a bisphenol compound represented by the general formula (1) as a base resin which is used in a pattern forming method in which a protective film containing the resist protective film material is formed on a photoresist layer formed on a wafer to perform exposure and development (Rs are mutually identical or different hydrogen atoms, alkyl groups, alkenyl groups, or aryl groups, Ris a single bond or a 2n-valent hydrocarbon group and may have an aromatic group, n represents an integer of 1 to 4, Ris a single bond or an alkylene group and may have an aromatic group, and p and q represent an integer of 1 to 3, respectively). By applying the resist protective film material, T-top formation of resist patterns due to contamination with amines in the atmosphere can be prevented and the sensitivity of a resist film can be enhanced by sensitization effect on the resist film.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供具有降低对抗蚀剂膜的环境影响并有效阻挡OOB光的效果的抗蚀剂保护膜材料，并且抑制图案之间的抗蚀剂图案膜或桥接的减少，并且使抗蚀剂膜高度敏感的，以及使用该材料的图案形成方法。解决方案：提供一种使用由通式（1）表示的双酚化合物的酚醛清漆树脂作为基础树脂的抗蚀保护膜材料，其用于图案形成方法中，其中含有抗蚀剂保护性的保护膜在形成在晶片上的光致抗蚀剂层上形成膜材料以进行曝光和显影（R α是相互相同或不同的氢原子，烷基，烯基或芳基 β =单键或2n价烃基，可以具有芳基，n表示1〜4的整数，R γ是单键或亚烷基，可以具有芳基，p和q分别表示1〜3的整数）。通过施加抗蚀保护膜材料，可以防止由于大气中的胺污染而形成抗蚀剂图案的T形顶片，并且可以通过对抗蚀剂膜的敏化作用来提高抗蚀剂膜的灵敏度。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2013083833A Material for forming resist underlay film and method for forming pattern 有权
标题翻译：形成电阻膜的材料和形成图案的方法
公开(公告)号：JP2013083833A
公开(公告)日：2013-05-09
申请号：JP2011224290
申请日：2011-10-11
申请人： Shin Etsu Chem Co Ltd , 信越化学工業株式会社
发明人： HATAKEYAMA JUN , KOORI DAISUKE , OGIWARA TSUTOMU
IPC分类号： G03F7/11 , C08G8/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , C08J3/24 , G03F7/09 , G03F7/094 , G03F7/095 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/30 , G03F7/36 , H01L21/0271 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a material for forming a resist underlay film, for forming a resist underlay film capable of reducing reflectance, having high etching durability as well as high heat resistance and solvent resistance, and particularly, inducing no distortion while etching a substrate.SOLUTION: The material for forming a resist underlay film comprises a truxene compound having a substituted or unsubstituted naphthol group expressed by the general formula (1). In the general formula (1), R, R, R, R, Rand Rrepresent a hydrogen atom or the like; R, Rand Rrepresent an acid-labile group or the like; and R, Rand Rrepresent an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or the like.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供形成抗蚀剂底层膜的材料，用于形成能够降低反射率的抗蚀剂底膜，具有高蚀刻耐久性以及高耐热性和耐溶剂性，特别是不引起变形同时蚀刻基板。解决方案：用于形成抗蚀剂底层膜的材料包括具有由通式（1）表示的取代或未取代的萘酚基的三萜化合物。在通式（1）中，R 1 ，R 4 ，R ，R 10 ，R 11 和R 12 原子等; R 2 ，R 5 和R 8 表示酸不稳定组或类似物; 和R 3 ，R 6 和R 9 表示具有 6〜20个碳原子等。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

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