专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP5846046B2 レジスト保護膜材料及びパターン形成方法有权
标题翻译：抗蚀剂保护膜材料和图案形成方法
公开(公告)号：JP5846046B2
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：JP2012121797
申请日：2012-05-29
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：畠山潤
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： C09D145/00 , C08F216/10 , C08F220/18 , C08F232/08 , C09D125/18 , C09D129/02 , G03F7/11 , G03F7/20 , C08F2220/283

2. 发明专利

JP6059791B2 有機膜形成用化合物、これを用いた有機膜材料、有機膜形成方法、パターン形成方法有权
标题翻译：有机膜形成化合物，用同样的，有机薄膜形成方法，图案形成方法的有机薄膜材料
公开(公告)号：JP6059791B2
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：JP2015232690
申请日：2015-11-30
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：橘誠一郎 , 郡大佑 , 荻原勤 , 渡辺武 , 野田和美 , 矢野俊治
IPC分类号： C08L65/00 , G03F7/11 , C08G61/00
CPC分类号： G03F7/094 , C07C39/17 , C07C43/23 , C08F216/10 , C08G61/12 , C08K5/13 , C09D129/02 , C09D165/00 , C09D7/1233 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/02118 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/02318 , H01L21/0271 , H01L21/0276 , H01L21/308 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31138 , C07C2103/18 , H01L21/0274 , H01L21/31144 , H01L27/1203

4. 发明专利

JP2014071424A Composition for forming fine resist pattern and pattern forming method using the same 有权
标题翻译：用于形成精细图案的组合物和使用其的图案形成方法
公开(公告)号：JP2014071424A
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：JP2012219657
申请日：2012-10-01
申请人： Az Electronic Materials Mfg Co Ltd , Azエレクトロニックマテリアルズマニュファクチャリング株式会社
发明人： YAMAMOTO KAZUMA , ISHII MASAHIRO , SEKITO TAKASHI , YANAGIDA HIROSHI , NAKASUGI SHIGEMASA , NOYA TAKESHI
IPC分类号： G03F7/40 , C08F12/22 , C08F20/10 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/168 , C08F12/24 , C08F20/30 , C08F220/26 , C08F220/30 , C09D129/02 , C09D133/14 , C09D137/00 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/26 , G03F7/32 , G03F7/325 , G03F7/40 , G03F7/405 , H01L21/0274 , H01L21/0338
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composition for forming a fine resist pattern, from which a pattern having high dry etching durability can be formed, and to provide a pattern forming method which reduces pipe clogging in a production process using the composition.SOLUTION: The composition for forming a fine pattern is used for minimizing a pattern by thickening a resist pattern in a process of forming a negative resist pattern using a chemically amplified resist composition; and the composition for forming a fine pattern comprises a polymer including a repeating unit having a hydroxyaryl group and an organic solvent that does not dissolve the negative resist pattern. The pattern forming method is carried out by using the composition for forming a fine pattern. In the pattern forming method, pipe clogging can be prevented by carrying out application of a resist composition and application of the composition for forming a fine pattern in the same coating apparatus.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于形成精细抗蚀剂图案的组合物，由此可以形成具有高干蚀刻耐久性的图案，并提供一种在使用该组合物的生产过程中减少管堵塞的图案形成方法。解决方案：用于形成精细图案的组合物用于通过使用化学放大抗蚀剂组合物形成负型抗蚀剂图案的工艺中的抗蚀剂图案增厚来最小化图案; 并且用于形成精细图案的组合物包括包含具有羟基芳基的重复单元和不溶解负型抗蚀剂图案的有机溶剂的聚合物。图案形成方法通过使用用于形成精细图案的组合物来进行。在图案形成方法中，通过施加抗蚀剂组合物和在相同的涂布装置中应用用于形成精细图案的组合物，可以防止管堵塞。

5. 发明专利

JP2013140319A Resist protective film material and patterning process 有权
标题翻译：耐腐蚀膜材料和图案处理
公开(公告)号：JP2013140319A
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：JP2012121797
申请日：2012-05-29
申请人： Shin Etsu Chem Co Ltd , 信越化学工業株式会社
发明人： HATAKEYAMA JUN
IPC分类号： G03F7/11 , C08F212/14 , H01L21/027
CPC分类号： C09D145/00 , C08F216/10 , C08F220/18 , C08F232/08 , C08F2220/283 , C09D125/18 , C09D129/02 , G03F7/11 , G03F7/20
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist protective film material, which is effective for reducing influences of an environment on a resist film, cutting off OOB (out-of-band) light, as well as reducing a film thickness loss of a resist pattern, avoiding formation of a bridge between pattern features, and enhancing the sensitivity of the resist film, and to provide a pattern forming method using the material.SOLUTION: The resist protective film material comprises a copolymer of hydroxystyrene with acenaphthylene and/or vinylnaphthalene expressed by formula (1) as a base resin, to be used for a pattern forming process by lithography in which a photoresist layer is formed on a wafer, a protective film of the protective film material formed thereon, the resist layer is exposed and then developed. In the formula, Rrepresents H, an alkyl, alkoxy, acyloxy, cyano, nitro, amino group or a halogen atom; Rand Reach represent a hydroxy group or an alkyl group; p represents an integer of 1 to 3; and m, n1, n2 satisfy 0.3≤m≤0.98, 0≤n1≤0.7, 0≤n2≤0.7 and 0.02≤n1+n2≤0.7. By using the resist protective film material, the resist pattern can be prevented from forming a T-shaped profile due to contamination with airborne amine, and a sensitizing effect on the resist film is obtained, which enhances the sensitivity of the resist film.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供抗蚀剂保护膜材料，其有效减少环境对抗蚀剂膜的影响，切断OOB（带外）光以及降低抗蚀剂的膜厚度损失图案，避免形成图案特征之间的桥，并提高抗蚀剂膜的灵敏度，并提供使用该材料的图案形成方法。解决方案：抗蚀保护膜材料包括羟基苯乙烯与苊烯和/或乙烯基萘的共聚物表达通过式（1）作为基础树脂，用于通过在晶片上形成光致抗蚀剂层的光刻的图案形成处理，形成在其上的保护膜材料的保护膜，将抗蚀剂层暴露然后显影。在式中，R代表H，烷基，烷氧基，酰氧基，氰基，硝基，氨基或卤素原子; Rand Reach代表羟基或烷基; p表示1〜3的整数， m，n1，n2满足0.3≤m≤0.98,0≤n1≤0.7,0≤n2≤0.7,02≤n1+n2≤0.7。通过使用抗蚀剂保护膜材料，可以防止由于空气胺的污染而形成T形轮廓的抗蚀剂图案，并且获得对抗蚀剂膜的敏化作用，这增强了抗蚀剂膜的灵敏度。

6. 发明专利

JP2011513977A Flattening agents and devices 有权
公开(公告)号：JP2011513977A
公开(公告)日：2011-04-28
申请号：JP2010548920
申请日：2009-02-27
申请人：プレックストロニクスインコーポレーティッド
发明人：ベンカタラマナンセシャドリ , クリストファーテイラーブラウン
IPC分类号： H01L51/50 , C08L101/12 , H05B33/10
CPC分类号： H01L51/0035 , C08G2261/1424 , C08G2261/212 , C08G2261/3223 , C08G2261/512 , C08G2261/794 , C08L25/18 , C08L65/00 , C09D11/00 , C09D11/52 , C09D129/02 , C09D181/02 , H01B1/127 , H01L51/0002 , H01L51/0036 , H01L51/0043 , H01L51/05 , H01L51/42 , H01L51/5048 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , Y02E10/549
摘要：正孔注入層および/または正孔輸送層中でのある種の材料の使用は、有機デバイスの動作寿命を向上させることができる。ポリビニルナフトールポリマーなどの縮合芳香族側基を有するポリマーを共役ポリマーとの組み合わせで使用することができる。 OLED、SMOLEDおよびPLEDを含む有機電子デバイスにおける薄膜として、インクを調合およびキャストすることができる。一態様は、少なくとも1つの共役ポリマーと、少なくとも1つの置換されていてもよい縮合芳香族炭化水素側基を含む、共役ポリマーとは異なる少なくとも1つの第2のポリマーとを含む組成物を提供する。置換基はヒドロキシルであり得る。水性インクを調合することができる。

7. 发明专利

JPWO2016104602A1 水生生物付着防止材料、水生生物付着防止塗料、水生生物付着防止パネル、水中構造物及び水中構造物に水生生物が付着することを防止するための方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2016104602A1
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：JP2016566441
申请日：2015-12-24
申请人：ダイキン工業株式会社
发明人：浩治久保田 , 浩治久保田 , 美子小泉 , 美子小泉 , 毛利　晴彦 , 晴彦毛利 , 田中　義人 , 義人田中 , 三木　淳 , 淳三木
IPC分类号： C09D5/16 , C09D127/12 , C09K3/00
CPC分类号： C08F214/18 , C08F216/06 , C09D5/16 , C09D127/04 , C09D127/12 , C09D127/18 , C09D127/20 , C09D129/02 , C09K3/00
摘要：水生生物が付着しにくい新規な水生生物付着防止材料を提供する。本発明は、含フッ素オレフィンの繰り返し単位及び水酸基を含有する繰り返し単位を有する含フッ素共重合体からなることを特徴とする水生生物付着防止材料である。

8. 发明专利

JP5894106B2 レジスト下層膜形成用化合物、これを用いたレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法有权
标题翻译：抗蚀剂下层膜形成用化合物，抗蚀剂下层膜材料，抗蚀剂下层膜形成用图案形成方法的方法
公开(公告)号：JP5894106B2
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：JP2013079182
申请日：2013-04-05
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：橘誠一郎 , 郡大佑 , 荻原勤 , 渡辺武 , 野田和美 , 矢野俊治
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/26 , G03F7/40 , C08G8/08 , C08G61/12 , H01L21/027 , C07C43/23 , C07C39/17
CPC分类号： G03F7/094 , C07C39/17 , C07C43/23 , C08F216/10 , C08G61/12 , C08K5/13 , C09D129/02 , C09D165/00 , C09D7/1233 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/02118 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/02318 , H01L21/0271 , H01L21/0276 , H01L21/308 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31138 , C07C2103/18 , H01L21/0274 , H01L21/31144 , H01L27/1203

9. 发明专利

JP2016017166A 内装用オーバーコート塗料組成物および内装塗料組成物审中-公开
标题翻译：用于室内装饰的OVERCOAT涂料材料组合物和室内装饰涂料材料组合物
公开(公告)号：JP2016017166A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：JP2014142687
申请日：2014-07-10
申请人：日本ペイントホールディングス株式会社 , ニッポンペイント(シンガポール)カンパニープライベートリミテッド , ニプシーテクノロジーズプライベートリミテッド
发明人：宮西宏樹 , 鈴木豪 , エルナポー , リンロンエイ , 青木啓
IPC分类号： C09D129/02 , C09D167/00 , C09D7/12 , C09D201/00
CPC分类号： C09D1/00 , C09D129/02 , C09D167/00 , C09D201/00 , C09D7/12 , E04F13/07
摘要：【課題】高温多湿地域において内装塗膜の表面に発生する白い斑点の発生を抑制する。【解決手段】内装用オーバーコート塗料組成物は、内装塗膜に上塗りするための内装用オーバーコート塗料組成物であって、40℃90%R.H.の環境に1時間静置したときの吸湿率が2.0%以上である。内装塗料組成物は、カルシウム化合物を含有する内装塗料組成物であって、40℃90%R.H.の環境に1時間静置したときの吸湿率が2.0%以上である。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：为了抑制在高温高湿区域内产生的室内装饰涂膜表面产生白斑。解决方案：提供一种用于室内装饰的外涂层涂料组合物，其用于外涂于内部在40℃90％RH的环境下放置1小时时的吸湿系数的装饰涂膜环境为2.0％以上。还提供了一种室内装饰涂料组合物，其包含钙化合物，其中在40℃90％R.H的环境中放置1小时时的吸湿系数。为2.0％以上。选择图：无

10. 发明专利

JP2014024831A Compound for forming organic film, and organic film material using the same, process for forming organic film, and patterning process 有权
标题翻译：用于形成有机膜的化合物和使用其的有机膜材料，用于形成有机膜的方法和方法
公开(公告)号：JP2014024831A
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：JP2013079182
申请日：2013-04-05
申请人： Shin Etsu Chem Co Ltd , 信越化学工業株式会社
发明人： TACHIBANA SEIICHIRO , KOORI DAISUKE , OGIWARA TSUTOMU , WATANABE TAKESHI , NODA KAZUMI , YANO TOSHIHARU
IPC分类号： C07C39/17 , C07C43/23 , C08G8/08 , C08G61/12 , G03F7/11 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/094 , C07C39/17 , C07C43/23 , C07C2603/18 , C08F216/10 , C08G61/12 , C08K5/13 , C09D7/1233 , C09D7/63 , C09D129/02 , C09D165/00 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/02118 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/02318 , H01L21/0271 , H01L21/0274 , H01L21/0276 , H01L21/308 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L27/1203
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic film material having high dry etching resistance as well as advanced filling/planarizing characteristics.SOLUTION: The invention provides a compound for forming an organic film having a partial structure represented by the general formula (i) or (ii). (In the formula, ring structures Ar1, Ar2 and Ar3 each represent a substituted or unsubstituted benzene ring or naphthalene ring; e is 0 or 1; Rrepresents a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms; Lrepresents a linear, branched or cyclic divalent organic group having 1 to 32 carbon atoms, where the methylene group included in Lmay be substituted by an oxygen atom or a carbonyl group.)
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高耐干蚀刻性以及先进的填充/平坦化特性的有机膜材料。解决方案：本发明提供一种用于形成具有由通式（i）或（ⅱ）。（式中，环结构Ar 1，Ar 2和Ar 3分别表示取代或未取代的苯环或萘环，e表示0或1; R表示氢原子或碳原子数1〜30的直链状，支链状或环状的一价有机基团 ; L表示具有1至32个碳原子的直链，支链或环状二价有机基团，其中Lmay中包含的亚甲基被氧原子或羰基取代。）

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式