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1. 发明专利

JP2013120789A Exposure system 审中-公开
标题翻译：曝光系统
公开(公告)号：JP2013120789A
公开(公告)日：2013-06-17
申请号：JP2011267033
申请日：2011-12-06
申请人： National Institute Of Advanced Industrial & Technology , 独立行政法人産業技術総合研究所 , Sanmei Co Inc , 株式会社三明 , Nanometric Technology Inc , 株式会社ナノテック
发明人： HARA SHIRO , KUMPUAN SOMAWANG , INUZUKA YOSHIKI , YOKOYAMA YASUAKI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20 , H01L21/68
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mask aligner by which alignment between a mask and a wafer can be performed easily and accurately.SOLUTION: The present invention relates to a mask aligner 1 exposing a wafer W having a predetermined size through a mask M. The mask aligner 1 includes: an exposure stage 3f on which the wafer W is placed; a mask holder 3b which is mounted so as to face a surface of the exposure stage 3f, the surface being on a side where the wafer W is placed, and on which the mask M is placed so as to face the wafer W placed on the exposure stage 3f; and an LED light source 8c mounted so as to face the exposure stage 3f via the mask holder 3b.
摘要翻译：要解决的问题：提供掩模对准器，通过该掩模对准器可以容易且精确地执行掩模和晶片之间的对准。掩模对准器1包括：放置晶片W的曝光台3f;掩模对准器1包括：曝光台3f，其上放置有晶片W. 安装成面对曝光台3f的表面的面罩座3b，该表面位于放置晶片W的一侧，并且掩模M被放置在面上，以面对设置在晶片W上的晶片W 暴露阶段3f; 以及经由掩模保持器3b与曝光台3f相对安装的LED光源8c。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

2. 发明专利

JP2013120791A Exposure system 有权
标题翻译：曝光系统
公开(公告)号：JP2013120791A
公开(公告)日：2013-06-17
申请号：JP2011267040
申请日：2011-12-06
申请人： National Institute Of Advanced Industrial & Technology , 独立行政法人産業技術総合研究所 , Sanmei Co Inc , 株式会社三明 , Nanometric Technology Inc , 株式会社ナノテック
发明人： HARA SHIRO , KUMPUAN SOMAWANG , INUZUKA YOSHIKI , YOKOYAMA YASUAKI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mask aligner small in calorific value and short in rising time until to emit light having a wavelength required for exposure.SOLUTION: The present invention relates to a mask aligner 1 exposing a wafer W having a predetermined size through a mask M. The mask aligner 1 includes: an exposure stage 3f on which the wafer W is placed; a mask holder 3b which is mounted so as to face the exposure stage 3f and on which the mask M is placed; and an LED light source 8c mounted so as to face the exposure stage 3f via the mask holder 3b and including a light emitting diode for emitting ultraviolet light.
摘要翻译：要解决的问题：提供小的热值和上升时间短的掩模对准器，直到发射具有曝光所需的波长的光。掩模对准器1包括：放置晶片W的曝光台3f;掩模对准器1包括：曝光台3f，其上放置有晶片W. 安装成面向曝光台3f并且掩模M放置在其上的荫罩座3b; 以及经由掩模保持器3b面对曝光台3f并且包括用于发射紫外光的发光二极管安装的LED光源8c。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2013120788A System and method for exposure 有权
标题翻译：曝光系统和方法
公开(公告)号：JP2013120788A
公开(公告)日：2013-06-17
申请号：JP2011267030
申请日：2011-12-06
申请人： National Institute Of Advanced Industrial & Technology , 独立行政法人産業技術総合研究所 , Sanmei Co Inc , 株式会社三明 , Nanometric Technology Inc , 株式会社ナノテック
发明人： HARA SHIRO , KUMPUAN SOMAWANG , INUZUKA YOSHIKI , YOKOYAMA YASUAKI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20 , H01L21/677
CPC分类号： G03F7/70716 , G03F7/2051 , G03F7/70733 , H01L21/677 , H01L21/67733 , H01L21/67736 , H01L21/67796
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mask aligner that can adequately respond to super small lot production and multiproduct production.SOLUTION: The present invention relates to a mask aligner 1 exposing a wafer W having a predetermined size through a mask M. The mask aligner 1 includes: a transport device 5 for transporting the wafer W and the mask M; an exposure stage 3f on which the wafer W transported by the transport device 5 is placed; a mask holder 3b which is mounted so as to face the exposure stage 3f and on which the mask M transported by the transport device 5 is placed; and an LED light source 8c mounted so as to face the exposure stage 3f via the mask holder 3b.
摘要翻译：要解决的问题：提供可以充分响应超小批量生产和多产品生产的掩模对准器。掩模对准器1包括：用于传送晶片W和掩模M的传送装置5;掩模对准器1包括：传送装置5，用于传送晶片W和掩模M; 由放置运送装置5输送的晶片W的曝光台3f; 安装成面向曝光台3f并由传送装置5输送的掩模M放置在其上的荫罩座3b; 以及经由掩模保持器3b与曝光台3f相对安装的LED光源8c。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2014212303A ステージ式のプラズマエッチング装置有权
标题翻译：阶段式等离子体蚀刻装置
公开(公告)号：JP2014212303A
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：JP2014035553
申请日：2014-02-26
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , National Institute Of Advanced Industrial & Technology
发明人： SHIMIZU SADAKI , NAKANO ZEN , OGISO HISATO , HARA SHIRO , TANAKA HIROYUKI , FUTAGAWA SHINJI , YOSHIOKA HIDEAKI , FUKUDA TAKAHIRO , UCHIYAMA YOSHINORI , KUMPUAN SOMAWANG
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/30 , H05H1/46
摘要：【課題】小さなウェハであっても精度良くエッチングすることができるプラズマエッチング装置を提供する。【解決手段】本発明は、ウェハWが設置されるステージ6と、ステージ6を覆うチャンバ5と、チャンバ5内を真空引きする真空形成装置11と、チャンバ5のステージ6に対向する位置に設けられエッチングガスGをウェハWに吹き付けるための管状のガス供給管5dと、ステージ6に設けられこのステージ6に設置されるウェハWを含む領域にプラズマを発生させてエッチングガスGをイオン化およびラジカル化させるRF印可板6dとを具備した構成とされている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够精确地蚀刻甚至小晶片的等离子体蚀刻装置。解决方案：本发明的等离子体蚀刻装置包括：设置有晶片W的载物台6; 覆盖舞台6的腔室5; 真空成型装置11抽空室5的内部; 用于将蚀刻气体G喷射到晶片W的管状气体供给管5d，管状气体供给管设置在与腔室5的台部6相对的位置; 以及设置在载物台6上并在区域中产生等离子体的RF施加板6d，使得蚀刻气体G被离子化并转化成自由基，包括设置在载物台6上的晶片W的区域。

5. 发明专利

JP2014110413A Wafer cleaning/drying device and wafer cleaning/drying method 有权
标题翻译：清洗干燥装置和清洗干燥方法
公开(公告)号：JP2014110413A
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：JP2012265722
申请日：2012-12-04
申请人： Fujikoshi Mach Corp , 不二越機械工業株式会社 , National Institute Of Advanced Industrial & Technology , 独立行政法人産業技術総合研究所
发明人： NAKAMURA YOSHIO , OTSUKA YOSHIO , OKUBO TAKASHI , SHIBUYA KAZUTAKA , HARA SHIRO , KUMPUAN SOMAWANG , IKEDA SHINICHI
IPC分类号： H01L21/304
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer cleaning/drying device which allows size reduction of the device and can prevent wafer contamination by particle adhesion.SOLUTION: A wafer cleaning/drying device 10 comprises: a washing tank 12 whose upper part is formed to be a cylindrical part 14 and into which cleaning liquid flows; a rotor 20 formed into a cylinder connected to the washing tank 12, whose lower part side is fitted onto the cylindrical part 14 of the washing tank 12 so as to be arranged rotatably around a center axis of the cylindrical part and whose opening edge on an upper surface side is formed as a mounting part for a wafer 22 to be cleaned and dried; a driving part 26 which rotationally drives the rotor 20; and a bearing formed between the lower part of the rotor 20 and the cylindrical part 14 of the washing tank 12.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种晶片清洗/干燥装置，其允许装置的尺寸减小并且可以防止颗粒粘附的晶片污染。解决方案：晶片清洁/干燥装置10包括：清洗槽12，其上部形成为是一个圆筒部分14，清洗液流入其中; 形成为连接到洗涤槽12的气缸的转子20，其下部侧装配在洗涤槽12的圆筒部14上，以便围绕圆筒部的中心轴线可旋转地设置，并且其开口边缘在上表面侧形成为用于待清洗和干燥的晶片22的安装部分; 旋转驱动转子20的驱动部26; 以及形成在转子20的下部和洗涤槽12的圆筒部14之间的轴承。

6. 发明专利

JP2014108744A Transporter for minimal device 有权
标题翻译：最小装置运输机
公开(公告)号：JP2014108744A
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：JP2012264853
申请日：2012-12-04
申请人： National Institute Of Advanced Industrial & Technology , 独立行政法人産業技術総合研究所 , Design Network Co Ltd , 株式会社デザインネットワーク
发明人： HARA SHIRO , MAEKAWA HITOSHI , NAKANO ZEN , KUMPUAN SOMAWANG , IIDA MINORU
IPC分类号： B62B3/06 , B66F9/06
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transporter utilizing speciality of a minimal device.SOLUTION: The transporter has a frame 48 supported by a wheel to a floor surface and a pair of first arms 72 for lifting up and down a first supporting arm 80 to a floor surface with one point on the frame 48 serving as a supporting point and which are bar-shaped and a pair of second arms 74 for lifting up and down a second supporting arm 82 to a floor surface with one point on the frame 48 serving as a supporting point and which are bar-shaped. They support a lifting plate 42. On the frame 48, a wedge guide 78 moving toward a cross direction to the frame 48 with a wedge-shaped inclined plane contacting with a lower surface of the first supporting arm 80 of the first arms 72 is supported. The wedge guide 78 lifts up the first supporting arm 80 when it moves to one direction while contacting with the lower surface of the first supporting arm 80 of the first arms 72, and lifts down the first supporting arm 80 when it moves to the other direction.
摘要翻译：要解决的问题：提供利用最小装置的特性的运输机。解决方案：运输机具有由车轮支撑到地板表面的框架48和用于将第一支撑臂80上升和下降的一对第一臂72 框架48上的一个点作为支撑点并且是棒状的地板表面和用于将第二支撑臂82上升和下降到地板表面上的一对第二臂74，其中一个点在框架48上服务作为支撑点，是棒状的。它们支撑提升板42.在框架48上，楔形引导件78以与第一臂72的第一支撑臂80的下表面接触的楔形倾斜平面朝向框架48的横向方向移动，。楔形引导件78在第一支撑臂80向第一臂72的第一支撑臂80的下表面移动同时向一个方向移动时提升第一支撑臂80，并且当第一支撑臂80向另一方向。

7. 发明专利

JP2015050199A 基準面を用いて露光対象物を高速位置決めする露光装置审中-公开
标题翻译：用于使用参考面定位暴露对象的曝光装置
公开(公告)号：JP2015050199A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：JP2013178476
申请日：2013-08-29
申请人：株式会社ピーエムティー , Pmt:Kk , 独立行政法人産業技術総合研究所 , National Institute Of Advanced Industrial & Technology
发明人： IRITA RYOICHI , HARA SHIRO , KUMPUAN SOMAWANG
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/207 , H01L21/68
摘要：【課題】露光装置。【解決手段】ミニマルファブ生産システムに使用される露光装置であって、露光用光学系40に対してx、y、z軸方向に移動可能なウェハwを載置するウェハステージ12と、ウェハステージ上であってウェハが載置されない位置に設けられた露光用光学系の光軸に垂直となる基準面13と、露光用光学系の焦点位置に基準面を設定するオートフォーカス手段50と、基準面の高さ位置およびウェハステージに載置されたウェハのウェハ高さ位置を検出する高さ検出手段60と、を有する。露光用光学系の焦点位置に合わせた基準面の高さ位置を高さ検出手段により検知して露光用光学系の合焦点距離dを予め求めるとともに、ウェハステージ上に載置されたウェハのウェハ高さ位置を高さ検出手段により求め、該ウェハ高さ位置が予め求めた合焦点距離と同一となるようにウェハステージをz軸移動させる。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供一种曝光装置。解决方案：用于最小晶圆厂生产系统的曝光装置具有：晶片台12，用于定位能够移动到x，y和y的曝光光学系统40的晶片w，以及 z轴方向; 设置在晶片载台上的晶片未被定位的位置并与曝光光学系统的光轴垂直的基准面13; 自动对焦装置50，用于将参考面设置在曝光位置的焦点位置; 以及高度检测装置60，用于检测位于晶片台上的晶片的基准面的高度位置和晶片高度位置。通过高度检测装置检测与曝光光学系统的焦点位置对准的参考面的高度位置，以便预先找到曝光光学系统的焦距d。此外，通过高度检测装置检测位于晶片台上的晶片的晶片高度位置，以便沿着z轴移动晶片台，使得晶片高度位置与预先找到的焦距相同。

8. 发明专利

JP2015050197A 広角回転機構を有する露光装置有权
标题翻译：具有宽角度旋转机构的曝光装置
公开(公告)号：JP2015050197A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：JP2013178468
申请日：2013-08-29
申请人：株式会社ピーエムティー , Pmt:Kk , 独立行政法人産業技術総合研究所 , National Institute Of Advanced Industrial & Technology
发明人： IRITA RYOICHI , HARA SHIRO , KUMPUAN SOMAWANG
IPC分类号： H01L21/68 , G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027
摘要：【課題】露光装置。【解決手段】ミニマルファブ生産システムに使用される露光装置であって、架台21に固定された中心軸11と、架台をそれぞれX軸およびY軸方向にそれぞれ位置調整するX軸およびY軸移動手段32,33と、中心軸に外挿されて中心軸に対し&thetas;軸方向に回転可能かつZ軸方向に移動可能な外周ステージ12と、外周ステージを&thetas;軸方向に回転位置調整させる&thetas;軸移動手段30およびZ軸方向に移動させるZ軸移動手段31とを有し、&thetas;軸移動手段は他の移動手段よりも最上位に配置されている。外周ステージ12はウェハを載置する第1載置面12dと第1真空吸着口12aとを有し、中心軸11はウェハを載置する第2載置面11dと第2真空吸着口11aとを有しており、第1載置面と第2載置面とが同一平面上に位置すると第2真空吸着口が機能し、第1載置面が第2載置面よりも上方に位置すると第1真空吸着口が機能するとともに&thetas;軸移動手段を駆動するように制御される露光装置。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种曝光装置。解决方案：用于最小制造生产系统的曝光装置包括：固定到基座21的中心轴11; X轴和Y轴移动装置32,33，用于分别在X轴和Y轴方向上调节基座的位置; 外周台12，其插入中心轴并能沿轴向旋转至中心轴并沿Z轴方向移动; 和用于使外周边台沿轴向旋转和对准的轴;移动装置30; Z轴移动装置31，用于沿Z轴方向移动外周台。角度移动装置布置在比其他移动装置更高的位置。外周台12具有放置晶片的第一放置面12a和第一真空吸入口12a。中心轴11具有放置晶片的第二放置面11d和第二真空吸入口11a。当第一放置面和第二放置面位于同一平面上时，第二真空吸附口起作用。当第一放置面位于第二放置面的上方时，第一真空吸入口起作用，并且将该轴移动装置控制为驱动。

9. 发明专利

JP2014212302A ノズル式のプラズマエッチング装置有权
标题翻译：喷嘴类型等离子体蚀刻装置
公开(公告)号：JP2014212302A
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：JP2014035544
申请日：2014-02-26
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , National Institute Of Advanced Industrial & Technology
发明人： SHIMIZU SADAKI , NAKANO ZEN , OGISO HISATO , HARA SHIRO , TANAKA HIROYUKI , FUTAGAWA SHINJI , YOSHIOKA HIDEAKI , FUKUDA TAKAHIRO , UCHIYAMA YOSHINORI , KUMPUAN SOMAWANG
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/30 , H05H1/46
摘要：【課題】小さなウェハであっても精度良くエッチングできるプラズマエッチング装置を提供する。【解決手段】本発明は、ウェハWが設置されるステージ6と、ステージ6を覆うチャンバ5と、チャンバ5内を真空引きする真空形成装置11と、チャンバ5に対向する位置に設けられたガス供給管5dと、ガス供給管5dの先端側の内部に取り付けられ、このガス供給管5dから供給されるエッチングガスGをウェハWへ略均等に吹き付けさせるノズル7と、ガス供給管5dに取り付けられガス供給管5d内のエッチングガスG中にマイクロプラズマを発生させるとともにラジカルを生成させるLF印加部8とを具備した構成とされている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够精确地蚀刻甚至小晶片的等离子体蚀刻装置。解决方案：本发明的等离子体蚀刻装置包括：设置有晶片W的载物台6; 覆盖舞台6的腔室5; 真空成型装置11抽空室5的内部; 设置在面向室5的位置的气体供给管5d; 安装在气体供给管5d的前端侧的喷嘴7，在晶片W上大致均匀地喷射蚀刻气体G，通过气体供给管5d供给蚀刻气体G; 以及安装在气体供给管5d上的LF施加部8，在气体供给管5d内的蚀刻气体G中产生支原体，形成自由基。

10. 发明专利

JP2015050198A 温度による露光焦点変動を補正する露光装置有权
标题翻译：用于校正温度变化的曝光焦点的曝光装置
公开(公告)号：JP2015050198A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：JP2013178472
申请日：2013-08-29
申请人：株式会社ピーエムティー , Pmt:Kk , 独立行政法人産業技術総合研究所 , National Institute Of Advanced Industrial & Technology
发明人： IRITA RYOICHI , HARA SHIRO , KUMPUAN SOMAWANG
IPC分类号： H01L21/027 , G03F9/02
摘要：【課題】露光装置。【解決手段】ハーフインチサイズのウェハを用いるミニマルファブ生産システムに使用される規格化された外形を有する単位処理装置に内蔵される露光装置であって、x、y、z軸方向に移動可能なウェハステージと、ウェハステージに設けられた露光用光学系の光軸に垂直な基準面と、露光用光学系と同軸に設けられウェハステージに載置されたウェハおよび基準面の合焦位置を検出するオートフォーカス光学系と、基準面の合焦位置をオートフォーカス光学系により予め一定時間毎に繰り返して検出し、検出した合焦位置の変動量から、ウェハのオートフォーカス開始z軸位置と終了z軸位置とを予め算出するプレオートフォーカス手段、とを有し、該開始z軸位置と終了z軸位置とを基に、オートフォーカス光学系におけるオートフォーカス作業範囲を限定する。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供曝光装置。解决方案：曝光装置内置在具有用于使用半英寸尺寸的晶片的最小晶圆厂生产系统的标准化外形的单元处理装置中。曝光装置具有：可在x，y和x轴方向上移动的晶片台; 垂直于设置在晶片台上的曝光光学系统的光轴的参考面; 与所述曝光光学系统同轴地设置并检测位于所述晶片台和所述基准面上的所述晶片的焦点位置的自动对焦光学系统; 以及预自动聚焦装置，用于通过自动对焦系统预先每个常数时间重复地检测参考面的焦点位置，以及计算晶片的自动对焦起始z轴位置和完成z轴位置从检测到的焦点位置的变化量提前。基于起始z轴位置和完成z轴位置，自动对焦光学系统的自动对焦操作范围受到限制。

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