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1. 发明专利

JP2008078248A Semiconductor device and its manufacturing method 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2008078248A
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：JP2006253569
申请日：2006-09-19
申请人： Fujitsu Ltd , Tokyo Institute Of Technology , 国立大学法人東京工業大学 , 富士通株式会社
发明人： SUSIL KUMAR SINGH , ISHIHARA HIROSHI , MARUYAMA KENJI , KONDO MASAO
IPC分类号： H01L21/8246 , C01G49/00 , H01L27/105
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device with which a high remaining polarization amount can be obtained while obtaining satisfactory electric characteristics, and to provide a manufacturing method thereof.
SOLUTION: A ferroelectric capacitor 5 is formed on an insulating film 1 formed on or above a silicone substrate. A lower electrode 2 formed on the insulating film 1, a capacitance insulating film 3 formed on it and an upper electrode 4 formed on it are arranged on the ferroelectric capacitor 5. A BiFe
1-X Cr
X O
3 film is formed as the capacitance insulating film 3. The BiFe
1-X Cr
X O
3 film is mainly composed of BiFeO
3 , and the content of Cr is 8 mol% or below, or it is preferably 3 to 8 mol%. Namely, Cr of 0.08 mol or below, or preferably 0.03 to 0.08 mol is contained in BiFe
1-X Cr
X O
3 of 1 mol. In the ferroelectric capacitor of such a structure, leakage current I
leak can be suppressed to be low while the high remaining polarization amount Pr is obtained.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够获得令人满意的电特性的同时可获得高剩余极化量的半导体器件，并提供其制造方法。解决方案：在硅树脂基板上形成的绝缘膜1上形成铁电电容器5。形成在绝缘膜1上的下电极2，形成在其上的电容绝缘膜3和形成在其上的上电极4被布置在铁电电容器5上.BiFe 1-X 形成作为电容绝缘膜3的“X”<！ - SIPO - > SB 3 。 3 膜主要由BiFeO 3 SB组成，Cr的含量为8mol％以下，优选为3〜8mol％。即，在1摩尔的BiFe 1-X X O 3 中含有0.08摩尔或更低的Cr，优选0.03至0.08摩尔的Cr 。在这样一种结构的铁电电容器中，可以将高电流剩余极化量Pr得到的泄漏电流I 泄漏抑制得较低。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

2. 发明专利

JP2009070926A Method of forming perovskite oxide thin film, and laminate 审中-公开
标题翻译：形成氧化锡薄膜的方法和层压板
公开(公告)号：JP2009070926A
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：JP2007236002
申请日：2007-09-11
申请人： Fujitsu Ltd , Tokyo Institute Of Technology , 国立大学法人東京工業大学 , 富士通株式会社
发明人： SHINOZAKI KAZUO , KO GENRYU , WAKITANI NAOKI , KIGUCHI KENKI , KONDO MASAO , MARUYAMA KENJI
IPC分类号： H01L21/8246 , C23C14/08 , H01L21/316 , H01L27/105
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the method of easily obtaining a perovskite oxide thin film oriented to any one of (111), (001), and (110), and a semiconductor device having a ferroelectric layer by obtaining the ferroelectric layer with excellent performance by laminating a ferroelectric thin film on the perovskite oxide thin film with the perovskite oxide thin film as a lower electrode. SOLUTION: On a surface (001) of a substrate, a buffer layer with a fluorite structure is formed, and then a crystal orientation controlling buffer layer is formed. Subsequently, a perovskite oxide thin film oriented to any one of (111), (001), and (110) is obtained by laminating the perovskite oxide thin film on the crystal orientation controlling buffer layer. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：解决问题的方案为了提供容易获得取向为（111），（001）和（110）中任一个的钙钛矿氧化物薄膜的方法，以及具有铁电层的半导体器件，通过获得铁电体通过将钙钛矿氧化物薄膜上的铁电薄膜与作为下电极的钙钛矿氧化物薄膜层压而成为优异的性能。解决方案：在衬底的表面（001）上，形成具有萤石结构的缓冲层，然后形成晶体取向控制缓冲层。随后，通过将钙钛矿氧化物薄膜层压在晶体取向控制缓冲层上，获得取决于（111），（001）和（110）中任一个的钙钛矿氧化物薄膜。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2008251907A Semiconductor device and its manufacturing method 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2008251907A
公开(公告)日：2008-10-16
申请号：JP2007092413
申请日：2007-03-30
申请人： Fujitsu Ltd , Tokyo Institute Of Technology , 国立大学法人東京工業大学 , 富士通株式会社
发明人： SUSIL KUMAR SINGH , ISHIHARA HIROSHI , MARUYAMA KENJI , KONDO MASAO
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L21/314 , H01L27/105
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which can provide favorable electric characteristics and a high remnant polarization quantity, and its manufacturing method.
SOLUTION: A ferroelectric capacitor 5 is formed on an insulating film 1 formed on or above a silicon substrate or the like. In the ferroelectric capacitor 5, a lower electrode 2 formed on the insulating film 1, a capacitance insulating film 3 formed thereon, and an upper electrode 4 formed thereon are provided. As the capacitance insulating film 3, a Bi
1-Y La
Y Fe
1-X Ni
X O
3 film is formed. The Bi
1-Y La
Y Fe
1-X Ni
X O
3 film is a film composed mainly of BiFeO
3 , and has a La content of 4 mol% to 21 mol%, and a Ni content of >0 mol% and ≤15 mol%. The ferroelectric capacitor having such a structure can provide a high remnant polarization quantity Pr, and simultaneously suppress the leak current I
leak low.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供可以提供有利的电特性和高残留极化量的半导体器件及其制造方法。解决方案：在形成在硅衬底等上或上方的绝缘膜1上形成铁电电容器5。在铁电电容器5中，设置形成在绝缘膜1上的下部电极2，形成在其上的电容绝缘膜3和形成在其上的上部电极4。作为电容绝缘膜3，将Bi 1-Y Y Fe 1-X 形成SB> 3 膜。 Bi 1-Y＆lt; SB＆gt; Y＆lt; SB＆gt; 1＆lt; SB 1-X＆lt; SB＆gt; 膜是主要由BiFeO 3 SB组成的膜，La含量为4mol％〜21mol％，Ni含量> 0mol％，≤15mol％。具有这种结构的铁电电容器可以提供高残留极化量Pr，同时将泄漏电流I 泄漏低。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2006176366A Ferroelectric material, method of manufacturing the same and ferroelectric memory 审中-公开
标题翻译：电磁材料，其制造方法和电磁记忆体
公开(公告)号：JP2006176366A
公开(公告)日：2006-07-06
申请号：JP2004371905
申请日：2004-12-22
申请人： Fujitsu Ltd , Tokyo Institute Of Technology , 国立大学法人東京工業大学 , 富士通株式会社
发明人： KONDO MASAO , MARUYAMA KENJI , UENO RISAKO , FUNAKUBO HIROSHI , UCHIDA HIROSHI , KODA SEIICHIRO , NAKAGI HIROSHI
IPC分类号： C04B35/00 , H01B3/00 , H01B3/12 , H01L21/8246 , H01L21/8247 , H01L27/105 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： C23C18/1275 , C23C18/1216 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L27/11585 , H01L27/1159 , H01L28/56
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a ferroelectric material containing no lead and showing residual dielectric polarization nearly equal to that of PZT and a method of manufacturing the same. SOLUTION: A precursor solution of BiFeO 3 is applied on the surface of a base member. After the application, a heat treatment is carried out to obtain a dielectric film. The dielectric film is heated under a non-oxidizing atmosphere to be crystallized. As a result, the ferroelectric material containing Bi, Fe and O as structural elements and having a tetragonal or orthorhombic crystal lattice is obtained. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供一种不含铅的铁电材料和显示与PZT几乎相同的残余介电极化及其制造方法。解决方案：将BiFeO SB 3的前体溶液施加在基底部件的表面上。在施加之后，进行热处理以获得电介质膜。将电介质膜在非氧化性气氛下加热使其结晶化。结果，获得含有Bi，Fe和O作为结构元素并具有四方晶或正交晶格的铁电材料。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

5. 发明专利

JP2007221066A Semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2007221066A
公开(公告)日：2007-08-30
申请号：JP2006042921
申请日：2006-02-20
申请人： Fujitsu Ltd , Tokyo Institute Of Technology , 国立大学法人東京工業大学 , 富士通株式会社
发明人： SUSHIL K SINGH , ISHIHARA HIROSHI , MARUYAMA KENJI , KONDO MASAO , SATO KEISUKE
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L27/105
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a microfabricated ferroelectric capacitor.
SOLUTION: The method is for manufacturing the semiconductor device which has a ferroelectric capacitor including a ferroelectric layer. The method comprises a process of forming the ferroelectric layer on a first electrode on a substrate, and a process of forming a second electrode on the ferroelectric layer. The process of forming the ferroelectric layer comprises a first process of forming, by a sol-gel method, the ferroelectric layer which contains BiFeO
3 as a main component, and to which Mn is added so that a composition may be BiFe
1 -x Mn
x O
3 (0.02
摘要翻译：解决的问题：提供一种制造具有微细铁电电容器的半导体器件的方法。解决方案：该方法用于制造具有包含铁电层的铁电电容器的半导体器件。该方法包括在基板上的第一电极上形成铁电层的工艺，以及在铁电层上形成第二电极的工艺。形成铁电体层的工序包括通过溶胶 - 凝胶法形成含有BiFeO 3 SBS作为主要成分的强电介质层的第一工序，添加Mn使其成分可以是BiFe -x Mn O 3 （0.02

6. 发明专利

JP2015018850A 電子機器の冷却装置、及び電子機器の冷却方法审中-公开
标题翻译：电子设备用冷却装置及电子装置的冷却方法
公开(公告)号：JP2015018850A
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：JP2013143304
申请日：2013-07-09
申请人：富士通株式会社 , Fujitsu Ltd
发明人： KARASAWA KAZUAKI , ENDO HIROSHI , ARIOKA KOSUKE , OGAWA MASATOSHI , FUKUDA HIROYUKI , KIKUCHI YOSHIO , TOKUYO SHINO , UMEMIYA SHIGEYOSHI , KONDO MASAO
IPC分类号： H05K7/20 , G05D7/00
摘要：【課題】電子機器の冷却装置、及び電子機器の冷却方法において、消費電力を抑制すること。【解決手段】複数の電子機器5に供給される冷却風Aの風量を電子機器5ごとに調節する風量調節器21と、隣接する電子機器5の各々から流出する冷却風A同士の温度差の情報を検出するセンサ24と、センサ24からの情報STに基づいて風量調節器21を制御する制御部23とを有する電子機器の冷却装置による。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够抑制电力消耗的电子设备的冷却装置和电子设备的冷却方法。解决方案：电子设备的冷却装置包括：调节供给的冷却空气A的空气量的空气量调节器21 针对每个电子设备5的多个电子设备5; 检测从各相邻的电子设备5流出的冷却风A之间的温度差的信息的传感器24; 以及根据来自传感器24的信息S来控制风量调节器21的控制器23。

7. 发明专利

JP2014203321A 電子機器冷却システム有权
标题翻译：电子设备冷却系统
公开(公告)号：JP2014203321A
公开(公告)日：2014-10-27
申请号：JP2013080182
申请日：2013-04-08
申请人：富士通株式会社 , Fujitsu Ltd
发明人： OGAWA MASATOSHI , ENDO HIROSHI , FUKUDA HIROYUKI , KONDO MASAO
IPC分类号： G06F1/20 , G06F1/32 , H05K7/20
CPC分类号： Y02D10/16
摘要：【課題】電子機器を適切に冷却しつつ、冷却設備で消費する電力をより一層削減できる電子機器冷却システムを提供する。【解決手段】電子機器冷却システムは、筐体13と、筐体13内に収納された複数の電子機器13aと、複数の冷却ファン12aを備え、筐体13から離隔して配置された冷却ファンユニット12と、筐体13と冷却ファンユニット12との間に配置され、上下方向に移動して筐体13と冷却ファンユニット12との間の空間を2つに分割する可動板16と、可動板16を駆動する可動板駆動部と、制御部とを有する。制御部は、冷却ファンユニット12の各冷却ファン12aを個別に制御可能であり、電子機器13aの稼働率に応じて可動板駆動部34を制御する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种电子装置冷却系统，其能够适当地冷却电子设备时能够降低由冷却设备消耗的电力。解决方案：电子设备冷却系统包括：壳体13; 存储在壳体13中的多个电子装置13a; 冷却风扇单元12，其具有多个冷却风扇12a并且布置成与壳体13一段距离; 布置在壳体13和冷却风扇单元12之间的可移动板16，并且垂直移动以将壳体13和冷却风扇单元12之间的空间分成两部分; 可移动板驱动单元，其驱动可动板16; 和控制单元。控制单元可以单独地控制冷却风扇单元12中的冷却风扇12a，并且根据电子设备13a的操作速率来控制可动板驱动单元34。

8. 发明专利

JP2008181599A Magnetic head support, magnetic disk device, and manufacturing methods thereof 审中-公开
标题翻译：磁头支持，磁盘设备及其制造方法
公开(公告)号：JP2008181599A
公开(公告)日：2008-08-07
申请号：JP2007014464
申请日：2007-01-25
申请人： Fujitsu Ltd , 富士通株式会社
发明人： UMEMIYA SHIGEYOSHI , HIDA KATSUHARU , KONDO MASAO , AOKI TAKESHI
IPC分类号： G11B21/21 , G11B5/60
CPC分类号： G11B5/4826 , G11B5/4873 , H01L41/094 , H01L41/1876 , H01L41/316 , H01L41/332 , Y10T29/42
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique for easily forming a bent part for obtaining energization force in a direction for pressing a slider to a surface of a magnetic disk. SOLUTION: The manufacturing method of a magnetic head support including a piezoelectric device on a plate-shaped member made of metal includes: a step of forming a piezoelectric layer comprising a piezoelectric material on the plate-shaped member; a step of forming a first electrode layer comprising a conductive material on the piezoelectric layer; and a step of patterning the piezoelectric layer and the first electrode layer to form the piezoelectric device. The piezoelectric layer is formed while applying heat thereto and the bent part is generated in the plate-shaped member when the piezoelectric layer is cooled. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于容易地形成弯曲部分以获得将滑块压向磁盘表面的方向获得激励力的技术。解决方案：包括在由金属制成的板状构件上的压电装置的磁头支撑件的制造方法包括：在板状构件上形成包括压电材料的压电层的步骤; 在压电层上形成包含导电材料的第一电极层的步骤; 以及图案化压电层和第一电极层以形成压电装置的步骤。在施加热量的同时形成压电层，并且当压电层被冷却时，在板状构件中产生弯曲部分。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2008112515A Control device, control method and storage device 有权
标题翻译：控制装置，控制方法和存储装置
公开(公告)号：JP2008112515A
公开(公告)日：2008-05-15
申请号：JP2006295375
申请日：2006-10-31
申请人： Fujitsu Ltd , 富士通株式会社
发明人： MITSUNAGA NOBUYUKI , KANEE MASAHIDE , TANAKA HIROYUKI , TOMITA ISAMU , KONDO MASAO
IPC分类号： G11B21/21 , G11B5/31
CPC分类号： G11B19/041 , G11B5/6005 , G11B5/6064
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a control device for setting the optimal heater control value, which is corresponding to fluctuation caused by head, temperature and a radial position and is improved in characteristic deterioration caused by thermal expansion due to a writing current just after starting the writing, by a correction processing. SOLUTION: A clearance control part 48 performs pre-heating by using an addition control value (B+R) of a base heater control value B and a regulation heater control value R and performs writing by using only the base heater control value B when reaching a target sector upon recording. The clearance control part 48 performs pre-heating by using the addition control value (B+R) and performs reading keeping the addition control value (B+R) when reaching a target sector upon reproduction. A correction processing part 46 detects touchdown of the head on a medium surface while increasing the regulation heater control value R stepwise from a prescribed initial value Ro, sets a value obtained by subtracting a heater control value Sp into which the minimum clearance is converted and the initial value Ro from a touch heater control value Rtd as the base heater control value B and sets the initial value Ro as the regulation heater control value R. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种控制装置，用于设定对应于由头部，温度和径向位置引起的波动的最佳加热器控制值，并且由于写入电流引起的热膨胀引起的特性劣化得到改善刚开始写作后，通过校正处理。解决方案：间隙控制部分48通过使用基础加热器控制值B和调节加热器控制值R的相加控制值（B + R）来执行预热，并且仅使用基座加热器控制值进行写入 B在录制时到达目标扇区。间隙控制部分48通过使用相加控制值（B + R）执行预热，并且在再现时到达目标扇区时执行保持加法控制值（B + R）的读取。校正处理部分46在从规定的初始值Ro逐步增加调节加热器控制值R的同时，检测中间表面上的头部的触地，设定通过减去最小间隙被转换成的加热器控制值Sp而获得的值，以及作为基准加热器控制值B的来自接触加热器控制值Rtd的初始值Ro设定初始值Ro作为调节加热器控制值R.版权所有：（C）2008，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2007273024A Magnetic spacing control method of magnetic head, read/write circuit and magnetic disk device using it 有权
标题翻译：磁头磁极间距控制方法，读/写电路和使用其的磁性磁盘装置
公开(公告)号：JP2007273024A
公开(公告)日：2007-10-18
申请号：JP2006098953
申请日：2006-03-31
申请人： Fujitsu Ltd , 富士通株式会社
发明人： KONDO MASAO
IPC分类号： G11B21/21 , G11B5/31
CPC分类号： G11B5/582 , G11B5/6005 , G11B5/6064
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent deterioration in an overwrite characteristic independently of environment conditions and variation in heads, in a magnetic disk device in which the magnetic head is projected by a write-current given to a write-element, while projection quantity is controlled by a heating element provided at the magnetic head.
SOLUTION: During read-operation, electric power of sum of a first electric power value P2 and a second electric power value P1 is supplied to a heating element (36) of the magnetic head (3), during write-operation by a write-element (3-1) of the magnetic head (3), electric power of the first electric power value P2 is supplied to the heating element (36), also the write-element (3-1) is driven by write-electric-power. Control of variation in respective heads and projection in accordance with change in environment can be performed by the first electric power value, the overwrite characteristic is improved, while a read-characteristic can be improved.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了防止在磁头通过写入元件的写入电流投影磁头的磁盘装置中，独立于环境条件和磁头的变化而改变重写特性的劣化，同时投影数量由设置在磁头处的加热元件控制。解决方案：在读取操作期间，在写入操作期间，第一电力值P2和第二电力值P1之和的电力被提供给磁头（3）的加热元件（36）磁头（3）的写入元件（3-1），第一电力值P2的电力被供给到加热元件（36），写入元件（3-1）也由写入 - 电动动力。可以通过第一电力值来执行根据环境变化的各个磁头和投影的变化的控制，改进重写特性，同时可以提高读取特性。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

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