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1. 发明专利

JP2015193052A MEMSデバイス有权
标题翻译： MEMS器件
公开(公告)号：JP2015193052A
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：JP2014072206
申请日：2014-03-31
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社
发明人：尾崎貴志 , 太田則一 , 藤塚徳夫 , 浅岡和也
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： G02B26/0841 , B81B7/008 , B81B2201/042 , B81B2203/04 , B81B2203/058
摘要：【課題】 2以上のMEMS装置と回路基板とを接点で接合するMEMSデバイスにおいて、接点を少なくして歩留まり向上等に寄与する。【解決手段】それぞれのMEMS装置は、基板と、可動電極を有する可動部と、基板の表面に固定された駆動電極および診断電極と、基板の表面から裏面まで貫通する複数の貫通電極と、基板の裏面に設けられ、貫通電極を介して駆動電極、可動電極、または診断電極のいずれかと電気的に接続する複数のMEMS側接点と、を備えている。回路基板は、MEMS側接点と接合する複数の回路側接点と、回路側接点、MEMS側接点、貫通電極を介して駆動電極および可動電極に電気的に接続する駆動回路と、回路側接点、MEMS側接点、貫通電極を介して診断電極および可動電極に電気的に接続し、診断電極と可動電極との接触を検知可能な診断回路と、を備えている。少なくとも2つのMEMS装置の診断電極が互いに電気的に接続されて同一の貫通電極を介して同一のMEMS側接点に接続されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：通过减少MEMS器件中的接触点来有助于提高屈服百分比，其中至少两个MEMS器件和电路板在接触点处连接。解决方案：每个MEMS器件包括：基板; 具有可动电极的可动部; 驱动电极和诊断电极，固定在基板的表面上; 多个穿透电极，从所述基板的表面延伸到所述反面; 以及设置在所述基板的背面的多个MEMS侧接触点，并且通过所述贯通电极与所述驱动电极，所述可动电极和所述诊断电极中的任一个电连接。电路板包括：接触MEMS侧接触点的多个电路侧接触点; 驱动电路，通过电路侧接触点，MEMS侧接触点和穿透电极与驱动电极和可动电极电连接; 以及诊断电路，通过电路侧接触点，MEMS侧接触点和穿透电极与诊断电极和可动电极电连接，并且检测诊断电极和可动电极的接触。两个MEMS器件中的至少一个的诊断电极彼此电连接，并且通过相同的穿透电极连接到相同的MEMS侧接触点。

3. 发明专利

JP5952850B2 MEMSデバイス有权
公开(公告)号：JP5952850B2
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：JP2014072206
申请日：2014-03-31
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社
发明人：尾崎貴志 , 太田則一 , 藤塚徳夫 , 浅岡和也
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： G02B26/0841 , B81B7/008 , B81B2201/042 , B81B2203/04 , B81B2203/058

4. 发明专利

JP2015216257A 半導体装置の製造方法及び半導体装置有权
标题翻译：半导体器件制造方法和半导体器件
公开(公告)号：JP2015216257A
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：JP2014098753
申请日：2014-05-12
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：藤塚徳夫 , 尾崎貴志 , 浅岡和也 , 青建一
IPC分类号： H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/60
CPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00 , H01L21/302 , H01L23/3157 , H01L23/481 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/89 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0311 , H01L2224/0331 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/08111 , H01L2224/08146 , H01L2224/10145 , H01L2224/10175 , H01L2224/13021 , H01L2224/131 , H01L2224/13138 , H01L2224/1601 , H01L2224/16145 , H01L2224/16147 , H01L2224/16148 , H01L2224/26145 , H01L2224/26175 , H01L2224/29011 , H01L2224/29013 , H01L2224/29021 , H01L2224/291 , H01L2224/29138 , H01L2224/30131 , H01L2224/30135 , H01L2224/30136 , H01L2224/30177 , H01L2224/3201 , H01L2224/32145 , H01L2224/32147 , H01L2224/32148 , H01L2224/73103 , H01L2224/73204 , H01L2224/80001 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81365 , H01L2224/81385 , H01L2224/81801 , H01L2224/81805 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83365 , H01L2224/83385 , H01L2224/83801 , H01L2224/83805 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06555 , H01L23/3171 , H01L24/05 , H01L2924/163
摘要：【課題】 2個の半導体ウェハの接合時に接合材料を水平方向に広がりにくくする技術を提供すること。【解決手段】表面に保護膜を備える相補型金属酸化膜半導体ウェハと、別の半導体ウェハと、を備える半導体装置の製造方法は、開口部形成工程と、導通孔形成工程と、配置工程と、接合工程と、を備える。開口部形成工程では、相補型金属酸化膜半導体ウェハの第1の部分と、半導体ウェハの第2の部分と、のうち、少なくとも一方の部分の内側及び外側に及ぶ範囲に非貫通の開口部を形成する。第1の部分は、相補型金属酸化膜半導体ウェハのうち、保護膜が位置する表面の一部分及びその下方に位置する部分を含み、第2の部分は、半導体ウェハのうち、半導体ウェハの表面の一部分及びその下方に位置する部分を含む。導通孔形成工程では、相補型金属酸化膜半導体ウェハ内の金属材料に通じる導通孔を第1の部分の内側に形成する。配置工程では、第1の接合材料を導通孔内及び第1の部分に配置し、第2の接合材料を第2の部分に配置する。接合工程では、配置された第1の接合材料と、配置された第2の接合材料と、を接合する。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在接合两个半导体晶片时防止接合材料在水平方向上扩展的技术。解决方案：一种包括具有保护膜的互补金属氧化物半导体晶片的半导体器件的制造方法在一个表面上，另一个半导体晶片包括开口形成工艺，导电孔形成工艺，布置工艺和粘结工艺。在开口形成过程中，在互补金属氧化物半导体晶片的第一部分和半导体晶片的第二部分的至少一部分的内部和外部延伸的范围内形成非穿透开口。第一部分包括互补金属氧化物半导体晶片的表面的保护膜所在的部分和位于该部分下方的部分，并且第二部分包括半导体晶片的一部分表面和位于下方的部分半导体晶片的部分。在导通孔形成工序中，在第一部分的内部形成有在互补金属氧化物半导体晶片内通向金属材料的导通孔。在布置处理中，第一接合材料布置在导电孔和第一部分上，第二接合材料布置在第二部分上。在接合处理中，布置的第一接合材料和布置的第二接合材料被接合。

5. 发明专利

JP6599213B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6599213B2
公开(公告)日：2019-10-30
申请号：JP2015220457
申请日：2015-11-10
申请人：株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：水野健太朗 , 尾崎貴志 , 藤塚徳夫 , 勝間田卓
IPC分类号： G02B26/08 , H01L23/12 , B81B3/00

6. 发明专利

JP6234750B2 静電容量型アクチュエータアレイの駆動回路有权
公开(公告)号：JP6234750B2
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：JP2013189309
申请日：2013-09-12
申请人：株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：太田則一 , 藤塚徳夫 , 尾崎貴志 , 牧野泰明
IPC分类号： G09G3/20 , G09G3/34 , H03K19/0175

7. 发明专利

JP2016152516A 検出装置审中-公开
标题翻译：探测器
公开(公告)号：JP2016152516A
公开(公告)日：2016-08-22
申请号：JP2015029019
申请日：2015-02-17
申请人：株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：太田則一 , 藤塚徳夫 , 尾崎貴志 , 西井孝仁 , 牧野泰明
IPC分类号： B81B7/04 , H03K17/945
摘要：【課題】電極の電位の変化を検出する検出装置において、回路構成をより簡素化し、検出装置を小型化することが可能な技術を提供する。【解決手段】本明細書では、電極の電位の変化を検出する検出装置を開示する。その検出装置は、電流出力のオン/オフを切り替える第1スイッチング素子と、電極と第1スイッチング素子のゲート端子の間に設けられたキャパシタと、第1スイッチング素子のゲート端子とリセット信号線の間の導通/非導通を切り換える第2スイッチング素子を備える検出回路を備えている。【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够简化电路结构以便使检测电极小型化的技术，该检测器检测电极的电位变化。解决方案：公开了一种用于检测电极电位变化的检测器。检测器包括检测电路，该检测电路具有：用于接通和关断电流输出的第一开关元件; 设置在所述电极和所述第一开关元件的栅极端子之间的电容器; 以及用于在第一开关元件的栅极端子和复位信号线之间切换导通和不导通的第二开关元件。图8

8. 发明专利

JP5751206B2 光偏向装置有权
标题翻译：光偏转装置
公开(公告)号：JP5751206B2
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：JP2012097066
申请日：2012-04-20
申请人：株式会社豊田中央研究所
发明人：藤塚徳夫 , 尾崎貴志 , 島岡敬一 , 野々村裕
IPC分类号： B81B3/00 , G02B26/10
CPC分类号： G02B26/0841

9. 发明专利

JP6668126B2 MEMS装置有权
公开(公告)号：JP6668126B2
公开(公告)日：2020-03-18
申请号：JP2016055594
申请日：2016-03-18
申请人：株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー , 株式会社デンソーウェーブ
发明人：青柳勲 , 藤塚徳夫 , 島岡敬一 , 明石照久 , 田中秀幸 , 北角善美 , 松川将磨
IPC分类号： G02B26/08 , B81B3/00 , G01S7/481 , G02B26/10

10. 发明专利

JP2017181956A 光偏向器审中-公开
公开(公告)号：JP2017181956A
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：JP2016072439
申请日：2016-03-31
申请人：株式会社豊田中央研究所
发明人：井口紘子 , 青柳勲 , 藤塚徳夫 , 島岡敬一
IPC分类号： G02B26/08 , B81B5/00 , G02B26/10
摘要：【課題】可動部の周縁を基準面上で転がしながら可動部を回転させる光偏向器において、可動部の状態を特定することが可能な技術を提供する。【解決手段】本明細書が開示する光偏向器は、基準面を有する基部と、光を反射する反射部と、光を透過する少なくとも2つの透光部を備える可動部であって、周縁を基準面上で転がしながら回転可能に基部に支持された可動部と、可動部を回転駆動する駆動装置と、少なくとも2つの透光部で回折した回折光のパターンを検出する検出装置と、回折光のパターンに基づいて可動部の状態を特定する処理装置を備えている。【選択図】図1

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