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1. 发明专利

JP4146170B2 Magnetic random access memory 有权
公开(公告)号：JP4146170B2
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：JP2002176564
申请日：2002-06-18
申请人：株式会社東芝
发明人：順一宮本 , 佳久岩田 , 吉昭浅尾 , 啓司細谷
IPC分类号： G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08

2. 发明专利

JP3959417B2 Readout circuit of the semiconductor memory 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP3959417B2
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：JP2004316282
申请日：2004-10-29
申请人：株式会社東芝
发明人：賢二土田 , 順一宮本 , 佳久岩田
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/16 , G11C7/06 , G11C7/1051 , G11C7/1069 , G11C7/12 , G11C11/1673 , G11C2207/005

3. 发明专利

JP3373632B2 Non-volatile semiconductor memory device 失效
公开(公告)号：JP3373632B2
公开(公告)日：2003-02-04
申请号：JP1020994
申请日：1994-02-01
申请人：株式会社東芝
发明人：寧夫伊藤 , 順一宮本 , 佳久岩田
IPC分类号： G11C17/00 , G11C7/02 , G11C7/10 , G11C16/02 , G11C16/06 , G11C16/10 , G11C16/34 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： G11C16/3459 , G11C7/02 , G11C7/1006 , G11C7/1048 , G11C16/10 , G11C16/3454
摘要： A non-volatile semiconductor memory device comprises a flip-flop circuit (1) for holding write data in one of first and second states, a bit line (BL) connected to the flip-flop circuit via a switching element (Q4), a transistor (Q3) for charging the bit line, a non-volatile memory cell (2), connected to the bit line and having a MOS transistor structure, for storing data when a threshold thereof is set in one of first and second threshold ranges, wherein at the time of a write mode said threshold of the memory cell is shifted from the first threshold range towards the second threshold range while the flip-flop circuit (1) remains in the first state and the shift of the threshold is not effected while the flip-flop circuit (1) remains in the second state, and at the time of a verify mode following the write mode the bit line (BL) is kept at a charge potential by the charging transistor while the threshold remains in the second threshold range, and a data setting circuit (Q7, Q8) for connecting one of first and second signal nodes of the flip-flop circuit (1) to a predetermined potential when the bit line (BL) is at the charge potential in the verify mode, thereby setting the flip-flop circuit (1) in the second state irrespective of the state prior to the verify mode.

4. 发明专利

JP3643385B2 Semiconductor circuit device 失效
公开(公告)号：JP3643385B2
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：JP11727493
申请日：1993-05-19
申请人：株式会社東芝
发明人：秀子大平 , 順一宮本 , 佳久岩田 , 泰久武山 , 博則番場
IPC分类号： G11C11/407 , H02M3/07 , H03K5/15 , H03K5/151 , H03K5/156
CPC分类号： H02M3/073 , H03K5/15013 , H03K5/1515 , H03K5/1565

5. 发明专利

JP3563604B2 Multi-chip semiconductor device and memory card 失效
公开(公告)号：JP3563604B2
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：JP21388098
申请日：1998-07-29
申请人：株式会社東芝
发明人：康司作井 , 勝弥奥村 , 順一宮本 , 伸夫早坂
IPC分类号： H01L25/18 , G11C5/00 , G11C8/12 , H01L21/8247 , H01L23/48 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L27/10 , H01L27/115
CPC分类号： G11C5/06 , G11C5/04 , G11C8/12 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L2224/05567 , H01L2224/05573 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2224/05599

6. 发明专利

JP3906145B2 Magnetic random access memory 有权
公开(公告)号：JP3906145B2
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：JP2002340043
申请日：2002-11-22
申请人：株式会社東芝
发明人：知正上田 , 実天野 , 順一宮本 , 達也岸 , 健梶山 , 吉昭浅尾 , 尚徳相川 , 博明與田
IPC分类号： G11C11/15 , H01L21/8246 , G11C11/16 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/16

7. 发明专利

JP3898349B2 Semiconductor memory device 失效
公开(公告)号：JP3898349B2
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：JP21276598
申请日：1998-07-28
申请人：株式会社東芝
发明人：賢一今宮 , 康司作井 , 順一宮本 , 圭高野
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/04 , G11C16/06

8. 发明专利

JP4177589B2 Hybridization detection device 有权
公开(公告)号：JP4177589B2
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：JP2002087049
申请日：2002-03-26
申请人：株式会社東芝
发明人：順一宮本 , 幸二橋本 , 友章矢部 , 秀美石内
IPC分类号： C12N15/00 , G01N33/53 , C12M1/00 , G01N27/12 , G01N27/327 , G01N27/416 , G01N37/00

9. 发明专利

JP3999900B2 Non-volatile semiconductor memory 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP3999900B2
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：JP1067699
申请日：1999-01-19
申请人：株式会社東芝
发明人：康司作井 , 順一宮本
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/04 , G11C16/06 , G11C16/10 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： G11C16/10 , G11C16/0433
摘要： A memory cell array (11) has a unit formed from one memory cell and two select transistors sandwiching the memory cell. One block has one control gate line. Memory cells connected to one control gate line form one page. A sense amplifier (13) having a latch function is connected to a bit line. In a data change operation, data of memory cells of one page are read to the sense amplifiers. After new data are written over selected data in the sense amplifiers, and a page erase is performed, data in the sense amplifiers are programmed in the memory cells of one page. Writing over data in the sense amplifiers allows a data change operation for byte data or page data.
摘要翻译：存储单元阵列（11）具有由一个存储单元形成的单元和夹着该存储单元的两个选择晶体管。一个块有一个控制栅极线。连接到一个控制门线的存储单元形成一页。具有锁存功能的读出放大器（13）连接到位线。在数据更改操作中，一页的存储单元的数据被读取到读出放大器。在读取放大器中的所选数据写入新数据之后，执行页擦除时，读出放大器中的数据被编程在一页的存储单元中。写入读出放大器中的数据允许对字节数据或页面数据进行数据更改操作。

10. 发明专利

JP3959335B2 Magnetic storage device and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP3959335B2
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：JP2002324105
申请日：2002-11-07
申请人：株式会社東芝
发明人：知正上田 , 実天野 , 順一宮本 , 達也岸 , 吉昭浅尾 , 啓司細谷 , 博明與田
IPC分类号： G11C11/15 , H01L21/8246 , G11C11/00 , G11C11/16 , H01L21/00 , H01L27/00 , H01L27/105 , H01L27/22 , H01L29/82 , H01L43/00 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/16 , B82Y10/00 , H01L27/228 , H01L43/08

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