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1. 发明专利

JP4157707B2 Magnetic memory 有权
公开(公告)号：JP4157707B2
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：JP2002007877
申请日：2002-01-16
申请人：株式会社東芝
发明人：知正上田 , 実天野 , 佳久岩田 , 達也岸 , 好昭斉藤 , 吉昭浅尾 , 博明與田 , 勝哉西山 , 茂樹高橋
IPC分类号： G11C11/14 , H01L21/8246 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/16

2. 发明专利

JP3959335B2 Magnetic storage device and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP3959335B2
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：JP2002324105
申请日：2002-11-07
申请人：株式会社東芝
发明人：知正上田 , 実天野 , 順一宮本 , 達也岸 , 吉昭浅尾 , 啓司細谷 , 博明與田
IPC分类号： G11C11/15 , H01L21/8246 , G11C11/00 , G11C11/16 , H01L21/00 , H01L27/00 , H01L27/105 , H01L27/22 , H01L29/82 , H01L43/00 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/16 , B82Y10/00 , H01L27/228 , H01L43/08

3. 发明专利

JP3544795B2 Display device 失效
公开(公告)号：JP3544795B2
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：JP24530096
申请日：1996-09-17
申请人：株式会社東芝
发明人：知正上田 , 修一内古閑 , 光志池田
IPC分类号： G09F9/35 , H01L29/786

4. 发明专利

JP5639514B2 表示装置有权
公开(公告)号：JP5639514B2
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：JP2011065272
申请日：2011-03-24
申请人：株式会社東芝
发明人：信美斉藤 , 信美斉藤 , 上田　知正 , 知正上田 , 山口　一 , 一山口 , 健太郎三浦 , 健太郎三浦 , 慎太郎中野 , 慎太郎中野 , 竜則坂野 , 竜則坂野
IPC分类号： G09G3/30 , G09F9/30 , G09G3/20 , H01L27/32 , H01L51/50 , H05B33/02
CPC分类号： H01L27/1225 , G09G3/3233 , G09G2300/0408 , G09G2300/08

5. 发明专利

JP5458102B2 Manufacturing method of a thin film transistor 有权
公开(公告)号：JP5458102B2
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：JP2011529757
申请日：2009-09-04
申请人：株式会社東芝
发明人：知正上田 , 慎太郎中野 , 信美斉藤 , 雄二郎原 , 修一内古閑
IPC分类号： H01L29/786 , C23C14/58 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC分类号： H01L29/7869 , B82Y10/00 , H01L29/66969

6. 发明专利

JP4516004B2 Method for manufacturing a magnetic storage device 有权
公开(公告)号：JP4516004B2
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：JP2005339208
申请日：2005-11-24
申请人：株式会社東芝
发明人：知正上田 , 英二北川 , 将寿吉川 , 実天野 , 吉昭浅尾
IPC分类号： H01L43/12 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08

7. 发明专利

JP4095498B2 Magnetic random access memory, electronic card and electronic equipment 有权
公开(公告)号：JP4095498B2
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：JP2003178417
申请日：2003-06-23
申请人：株式会社東芝
发明人：知正上田 , 将寿吉川 , 達也岸 , 俊彦永瀬 , 正甲斐 , 尚徳相川 , 博明與田
IPC分类号： G06K19/077 , H01L21/8246 , G11C11/14 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/16

8. 发明专利

JP4000000B2 Magnetic random access memory and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP4000000B2
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：JP2002118215
申请日：2002-04-19
申请人：株式会社東芝
发明人：知正上田 , 実天野 , 佳久岩田 , 達也岸 , 好昭斉藤 , 吉昭浅尾 , 博明與田 , 茂樹高橋
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08

9. 发明专利

JP5674707B2 表示装置有权
公开(公告)号：JP5674707B2
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：JP2012116835
申请日：2012-05-22
申请人：株式会社東芝
发明人：慎太郎中野 , 慎太郎中野 , 上田　知正 , 知正上田 , 健太郎三浦 , 健太郎三浦 , 信美斉藤 , 信美斉藤 , 竜則坂野 , 竜則坂野 , 山口　一 , 一山口
IPC分类号： H05B33/04 , G09F9/30 , H01L27/32 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5203 , H01L27/1248 , H01L27/3262 , H01L51/5253 , H01L51/5256

10. 发明专利

JP5330585B2 Display device 有权
公开(公告)号：JP5330585B2
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：JP2012231373
申请日：2012-10-19
申请人：株式会社東芝
发明人：信美斉藤 , 知正上田 , 慎太郎中野 , 修一内古閑
IPC分类号： G09F9/30 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/12 , H05B33/22 , H05B33/28
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device using an oxide semiconductor whose characteristic variation due to a heat treatment is suppressed. SOLUTION: There are provided a thin-film transistor comprising: an insulating layer; a gate electrode on the insulating layer; a semiconductor layer which is disposed on the gate electrode through a gate insulating layer and is formed by an oxide layer; and a source electrode and a drain electrode which are disposed on the semiconductor layer apart from each other across the gate electrode, and a display device comprising: a pixel electrode having an electric resistance lower than that of the semiconductor layer which are connected to any one of the source electrode and the drain electrode and are formed by the oxide layer; an optical element which causes at least either a change in optical characteristics or light emission by an electric signal supplied to the pixel electrode; and a film disposed below the pixel electrode and is formed by the same material as the gate insulating layer, wherein the surface on the side of the semiconductor layer of the gate insulating film on the gate electrode has higher smoothness than the surface on the side of the pixel electrode of a film disposed below the pixel electrode. COPYRIGHT: (C)2013,JPO&INPIT

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