基本信息:
- 专利标题: Magnetic random access memory
- 申请号:JP2002176564 申请日:2002-06-18
- 公开(公告)号:JP4146170B2 公开(公告)日:2008-09-03
- 发明人: 順一 宮本 , 佳久 岩田 , 吉昭 浅尾 , 啓司 細谷
- 申请人: 株式会社東芝
- 专利权人: 株式会社東芝
- 当前专利权人: 株式会社東芝
- 优先权: JP2002176564 2002-06-18; JP2001390670 2001-12-21
- 主分类号: G11C11/15
- IPC分类号: G11C11/15 ; H01L21/8246 ; H01L27/105 ; H01L43/08
公开/授权文献:
- JP2003249072A MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY 公开/授权日:2003-09-05
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
--G11C11/02 | .应用磁性元件的 |
----G11C11/14 | ..应用薄膜元件的 |
------G11C11/15 | ...应用多层磁性层的 |