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1. 发明专利

JP2021150572A 構造体及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021150572A
公开(公告)日：2021-09-27
申请号：JP2020050979
申请日：2020-03-23
申请人：株式会社東芝
发明人：佐野光雄 , 小幡進 , 樋口和人
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/306
摘要：【課題】凹部の側壁に凹凸を有し且つ凹部を洗浄し易い構造体を提供する。【解決手段】実施形態の構造体は、半導体材料を含んだ基板CSを備え、前記基板CSには、各々の深さ方向が前記基板CSの厚さ方向と等しい1以上の凹部TRが設けられ、前記1以上の凹部TRの側壁には、前記深さ方向に各々が伸びた複数の溝Gが設けられている。【選択図】図3

2. 发明专利

JP6834017B2 コンデンサ及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6834017B2
公开(公告)日：2021-02-24
申请号：JP2019548751
申请日：2019-01-09
申请人：株式会社東芝
发明人：樋口和人 , 小幡進 , 松尾圭一郎 , 佐野光雄
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/306 , H01L21/308 , H01G4/33 , H01G13/00 , H01L21/822

3. 发明专利

JP2016171281A 半導体発光装置审中-公开
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：JP2016171281A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2015051713
申请日：2015-03-16
申请人：株式会社東芝
发明人：渡元 , 小幡進 , 小島章弘 , 富澤英之
IPC分类号： H01L33/58 , H01L33/62
摘要：【課題】信頼性を向上できる半導体発光装置を提供する。【解決手段】半導体発光装置110は、第1金属ピラー21Pと、第2金属ピラー22Pと、光学層30と、半導体部15と、第1金属層21Lと、第2金属層22Lと、無機絶縁層71と、絶縁部18と、を備える。光学層は、第2金属ピラーから第1金属ピラーに向かう第1方向D1と交差する第2方向D2において第1金属ピラー及び第2金属ピラーと離間する。半導体部は、第1半導体層11と、第2半導体層12と、第3半導体層13と、を含む。無機絶縁層は、第1金属ピラーの第1側面21Psの少なくとも一部、及び、第2金属ピラーの第2側面22Psの少なくとも一部の周りに設けられる。絶縁部の一部は、第2半導体層と第1金属層との間、及び、第3半導体層と第1金属層と、の間に設けられる。絶縁部の別の一部は、光学層の外縁部30rと、無機絶縁層と、の間に設けられる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以提高可靠性的半导体发光器件。解决方案：半导体发光器件110包括第一金属柱21P，第二金属柱22P，光学层30，半导体部15，第一金属柱金属层21L，第二金属层22L，无机绝缘层71和绝缘部分18.光学层将第一金属柱和第二金属柱沿与第二方向D1相交的第二方向D2与第二金属柱朝向第一个金属支柱。半导体部件包括第一半导体层11，第二半导体层12和第三半导体层13.无机绝缘层设置在第一金属支柱的第一侧面21Ps和第二侧面的一部分的至少一部分周围 22Ps的第二个金属柱。绝缘部分的一部分设置在第二半导体层和第一金属层之间以及第三半导体层和第一金属层之间。绝缘部分的另一部分设置在光学层的外边缘30r和无机绝缘层之间。选择的图示：图1

4. 发明专利

JP2020119936A コンデンサ审中-公开
公开(公告)号：JP2020119936A
公开(公告)日：2020-08-06
申请号：JP2019007776
申请日：2019-01-21
申请人：株式会社東芝
发明人：小幡進 , 松尾圭一郎 , 佐野光雄 , 樋口和人 , 下川一生
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/308 , H01L21/822
摘要：【課題】大きな電気容量を達成可能なコンデンサを提供する。【解決手段】実施形態のコンデンサ1は、第1主面S1と第2主面S2とを有し、前記第1主面S1に複数の凹部Rが設けられ、前記複数の凹部Rの隣り合った2つによって各々が挟まれた1以上の部分Pに、前記第1主面S1側の領域が前記第2主面S2側の領域と比較してより大きな多孔度を有するように複数の孔Hが更に設けられた導電基板10と、前記第1主面S1と前記複数の凹部Rの側壁及び底面と前記複数の孔Hの壁面とを覆った導電層20bと、前記導電基板10と前記導電層20bとの間に介在した誘電体層50とを備えている。【選択図】図1

5. 发明专利

JP6072192B2 半導体発光装置、半導体発光装置の製造方法、発光装置の製造方法有权
标题翻译：的半导体发光器件，制造半导体发光器件的方法，制造该发光器件的方法
公开(公告)号：JP6072192B2
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：JP2015208113
申请日：2015-10-22
申请人：株式会社東芝
发明人：杉崎吉昭 , 小島章弘 , 小幡進
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/56 , H01L33/62

6. 发明专利

JP2016062940A 発光ユニット及び半導体発光装置有权
标题翻译：发光单元和半导体发光
公开(公告)号：JP2016062940A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2014187250
申请日：2014-09-16
申请人：株式会社東芝
发明人：小幡進 , 小島章弘
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/486 , H01L25/0753 , H01L33/62 , H01L2224/13 , H01L2924/0002 , H01L33/50 , H01L33/54 , H01L33/58
摘要：【課題】マルチチップパッケージにおける複数の発光素子間を簡単な構造で接続可能な発光ユニット及び半導体発光装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、それぞれが2つの外部端子を有する複数の発光素子と、複数の発光素子を一体に支持する樹脂層とを有する。複数の発光素子は第1方向に並んだn個の発光素子を含む。n個の発光素子の(2×n)個の外部端子は第1方向に並んでいる。(2×n)個の外部端子のうち、第1方向の一方の端の外部端子は第1パッドに接合され、第1方向の他方の端の外部端子は第2パッドに接合され、一方の端の外部端子と他方の端の外部端子との間の外部端子は第3パッドに接合されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够通过简单的结构连接多芯片封装中的多个发光元件的发光单元，并提供半导体发光器件。解决方案：半导体发光器件具有多个发光元件，每个发光元件均具有两个外部端子，以及一个支承多个发光元件的树脂层。多个发光元件包括沿第一方向布置的n个发光元件。 n个发光元件的（2×n）个外部端子沿第一方向排列。在（2×n）个外部端子中，将第一方向一端的外部端子接合到第一焊盘，将另一端的第一方向的外部端子接合到第二焊盘，并且外部端子在一端的外部端子与另一端的外部端子之间接合到第三个焊盘。选择的图示：图1

7. 发明专利

JP2015195332A 半導体発光装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015195332A
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：JP2014187093
申请日：2014-09-12
申请人：株式会社東芝
发明人：小幡進 , 小島章弘 , 島田美代子
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/38 , H01L33/54 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/0079 , H01L33/44 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , H01L33/505 , H01L33/54
摘要：【課題】信頼性の高い半導体発光装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1の電極及び第2の電極が、半導体層の第2の側において半導体層に設けられている。第1の電極の一部と第2の電極の一部とを露出するように第1の電極及び前記第2の電極を覆い、かつ半導体層の第2の側を第1の絶縁膜が覆っている。第1の絶縁膜と第1の配線部との間に、第1の配線部と第2の配線部との間に設けられた第2の絶縁膜の一部が設けられている。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有高可靠性的半导体发光器件; 并提供半导体发光器件的制造方法。解决方案：半导体发光器件包括：第一电极和第二电极，设置在半导体层的第二侧上的半导体层上; 第一绝缘膜，其覆盖所述第一电极和所述第二电极，以暴露所述第一电极的一部分和所述第二电极的一部分并且覆盖所述半导体层的第二侧; 以及第二绝缘膜，设置在第一布线部和第二布线部之间，并且具有设置在第一绝缘膜和第一布线部之间的部分。

8. 发明专利

JP2021147699A 触媒層の形成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021147699A
公开(公告)日：2021-09-27
申请号：JP2020052021
申请日：2020-03-24
申请人：株式会社東芝
发明人：小幡進 , 佐野光雄 , 松尾圭一郎 , 樋口和人 , 下川一生
IPC分类号： B01J37/02 , C23C18/42 , B01D53/88 , B01D53/94 , H01M4/90 , H01M4/92 , H01M4/88 , H01M4/86 , C23C18/16
摘要：【課題】見かけ上の面積に対する触媒金属の表面積の比が大きな触媒層を形成可能とする技術を提供する。【解決手段】実施形態の触媒層の形成方法は、半導体からなる表面を有し、前記表面が複数の凸部10Rを有する基材10に対して置換めっきを行って、前記複数の凸部10Rの位置で触媒金属を析出させることを含む。【選択図】図3

9. 发明专利

JP2021048344A コンデンサ及びエッチング方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021048344A
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：JP2019171157
申请日：2019-09-20
申请人：株式会社東芝
发明人：樋口和人 , 下川一生 , 小幡進 , 佐野光雄
IPC分类号： H01G4/08 , H01G4/10 , H01G4/14 , H01G4/00 , H01G4/30 , H01L21/308 , H01G4/33
摘要：【課題】大きな電気容量を達成可能なコンデンサを提供する。【解決手段】実施形態のコンデンサ1は、第1主面S1と第2主面S2とを有し、第1主面S1の一部の領域に1以上の第1凹部R1が設けられ、第2主面S2のうち、第1主面S1の上記一部の領域と第1主面S1の他の一部の領域とに対応した領域に1以上の第2凹部R2が設けられた導電基板CSと、第1主面S1と第2主面S2と第1凹部R1の側壁及び底面と第2凹部R2の側壁及び底面とを覆った導電層20bと、導電基板CSと導電層20bとの間に介在した誘電体層30と、第1主面S1の上記一部の領域上に設けられ、導電層20bと電気的に接続された第1内部電極70aと、第1主面S1の上記他の一部の領域上に設けられ、導電基板CSと電気的に接続された第2内部電極70bとを備えている。【選択図】図2

10. 发明专利

JP2021048343A コンデンサ审中-公开
公开(公告)号：JP2021048343A
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：JP2019171151
申请日：2019-09-20
申请人：株式会社東芝
发明人：佐野光雄 , 小幡進 , 樋口和人 , 下川一生
IPC分类号： H01G4/30 , H01G4/33
摘要：【課題】大きな電気容量を達成可能であり、反りを生じ難いコンデンサを提供する。【解決手段】実施形態のコンデンサは、第1主面と第2主面とを有し、前記第1主面は複数のサブ領域A1a,A1bを含み、前記複数のサブ領域A1a,A1bの各々には、一方向に伸びた形状を各々が有し、幅方向に配列した複数の凹部TR1a,TR1b又は凸部W M 1a,W M 1bが設けられ、前記複数のサブ領域の1以上A1aと、前記複数のサブ領域の他の1以上A1bとは、前記複数の凹部又は凸部の長さ方向が異なる導電基板CSと、前記複数の凹部の側壁及び底面又は前記複数の凸部の側壁及び上面を覆った導電層と、前記導電基板と前記導電層との間に介在した誘電体層とを備えている。【選択図】図3

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