专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2021013039A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021013039A
公开(公告)日：2021-02-04
申请号：JP2020177253
申请日：2020-10-22
申请人：株式会社東芝
发明人：東條啓 , 小林竜也 , 下川一生
IPC分类号： H01L21/02 , H01L23/12
摘要：【課題】反りを抑制可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置100は、基体1、デバイス層2及び第1膜31を含む膜3を含む。基体は、第1半導体素子Tr1を含み、第1面1aと、第2面1bと、側面1cと、を有する。第1面から第2面への方向は、Z軸方向に沿う。側面は、Z軸方向に対して垂直なX方向と交差する。デバイス層は、第1半導体素子と電気的に接続された第2半導体素子Tr2を含み、基体の第1面上に設けられる。第1膜を含む膜は、第1領域3ra、第2領域3rb及び第3領域3rcを含む。Z軸方向において第1領域とデバイス層との間に基体が位置し、Z方向と交差するX軸方向において第2領域と第3領域との間に基体が位置する。第1膜は、第2及び側面の凹凸を埋め込む。第1膜を含む膜は、第2膜をさらに含む。第2膜は、基体と第1膜との間に設けられる。第1膜は金属膜であり、第2膜は非金属膜である。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2019161003A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019161003A
公开(公告)日：2019-09-19
申请号：JP2018045555
申请日：2018-03-13
申请人：株式会社東芝 , 東芝メモリ株式会社
发明人：田嶋尚之 , 下川一生
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/12
摘要：【課題】絶縁層と導電部材との密着性が高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、再配線層と、前記再配線層の第1面に接合されたバンプと、前記再配線層の第2面に接合されたチップと、を備える。前記再配線層は、絶縁層と、前記絶縁層内に設けられ、前記バンプを前記チップに接続する導電部材と、前記導電部材と前記バンプとの間に接続された接合電極と、前記絶縁層と前記導電部材との間、及び、前記接合電極と前記導電部材との間に設けられた導電層と、を有する。前記導電部材の抵抗率は前記導電層の抵抗率よりも低い。【選択図】図1

3. 发明专利

JP6430201B2 センサ审中-公开
公开(公告)号：JP6430201B2
公开(公告)日：2018-11-28
申请号：JP2014202632
申请日：2014-09-30
申请人：株式会社東芝
发明人：山田啓壽 , 飯田幹也 , 増西桂 , 下川一生 , 福澤英明 , 原通子
IPC分类号： G01R33/09 , G01L9/16 , G01R33/02
CPC分类号： G01R33/0017 , G01R33/0047 , G01R33/0076 , G01R33/025 , G01R33/093 , H01L2224/48137 , H01L2224/49109 , H01L2924/16152

5. 发明专利

JP2016171251A 立体構造形成装置及び対象物の製造方法有权
标题翻译：三维结构形成装置及其制造方法
公开(公告)号：JP2016171251A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2015051276
申请日：2015-03-13
申请人：株式会社東芝
发明人：浅野佑策 , 下川一生 , 松尾圭一郎
IPC分类号： B81C1/00 , H05K3/00 , H01L21/306
摘要：【課題】半導体材料等の対象物を正確に立体加工することができる立体構造形成装置及び対象物の製造方法を提供すること。【解決手段】実施形態の立体構造形成装置は、保持機構と、転写板と、移動装置と、供給装置と、を備える。保持機構は、対象物を保持する。転写板は、前記保持機構に保持された前記対象物に転写する転写形状に表面が形成されるとともに、前記転写形状の表面に形成された触媒層、及び、前記対象物又は前記保持機構と当接する規制部を有する。移動装置は、前記転写板及び前記対象物を互いに対向する方向で相対的に移動させる。供給装置は、前記触媒と反応することで前記対象物をエッチングするエッチング液を前記対象物及び前記触媒層の間に供給する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种三维结构形成装置，其可以精确地进行半导体材料等物体的三维处理，并提供制造物体的方法。解决方案：三维结构形成装置包括保持机构，转印板，移动装置和供给装置。保持机构保持对象。转印板具有形成为转印形状的表面，以转印到由保持机构保持的物体上，并且具有形成在转印形状的表面上的催化剂层和抵靠物体或保持机构的限制部分。移动装置相对于相反的方向移动传递板和物体。供应装置通过在物体和催化剂层之间的催化剂上反应来提供用于蚀刻物体的蚀刻液。选择的图：图1

6. 发明专利

JP6970263B2 エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法有权
公开(公告)号：JP6970263B2
公开(公告)日：2021-11-24
申请号：JP2020169188
申请日：2020-10-06
申请人：株式会社東芝
发明人：松尾圭一郎 , 小幡進 , 佐野光雄 , 樋口和人 , 下川一生
IPC分类号： H01L21/306

7. 发明专利

JP2021150552A 構造体及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021150552A
公开(公告)日：2021-09-27
申请号：JP2020050534
申请日：2020-03-23
申请人：株式会社東芝
发明人：佐野光雄 , 小幡進 , 樋口和人 , 下川一生
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/306
摘要：【課題】面内方向へのエッチングの進行を抑制可能とする。【解決手段】実施形態の構造体は、半導体材料を含んだ導電基板CSを備え、前記導電基板CSの一主面S1は、第1領域A1と、前記第1領域A1に隣接し、前記第1領域A1と比較して高さがより低い第2領域A2とを含み、前記第1領域A1には、底部の位置が前記第2領域A2と比較してより低い1以上の凹部TRが設けられ、前記導電基板CSのうち前記主面S1側の表面領域は、前記1以上の凹部TRと前記第2領域A2との間の位置に多孔質構造を含む。【選択図】図3

8. 发明专利

JP2020129577A コンデンサ及びコンデンサモジュール审中-公开
公开(公告)号：JP2020129577A
公开(公告)日：2020-08-27
申请号：JP2019020614
申请日：2019-02-07
申请人：株式会社東芝
发明人：松尾圭一郎 , 小幡進 , 佐野光雄 , 樋口和人 , 下川一生
IPC分类号： H01G4/38 , H01G2/06 , H01G4/30 , H01G4/33
摘要：【課題】設置面積当たりの電気容量を容易に大きくし得る技術を提供する。【解決手段】実施形態のコンデンサ1は、第1主面と、第2主面と、前記第1主面の縁から前記第2主面の縁まで延びた端面とを有し、前記第1主面に1以上の凹部が設けられた導電基板と、前記第1主面と前記1以上の凹部の側壁及び底面とを覆った導電層と、前記導電基板と前記導電層との間に介在した誘電体層と、前記端面と向き合った第1電極部70c3を含み、前記導電層に電気的に接続された第1外部電極70cと、前記端面と向き合った第2電極部70d3を含み、前記導電基板に電気的に接続された第2外部電極70dとを備えている。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2019140225A エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019140225A
公开(公告)日：2019-08-22
申请号：JP2018021849
申请日：2018-02-09
申请人：株式会社東芝
发明人：松尾圭一郎 , 小幡進 , 佐野光雄 , 樋口和人 , 下川一生
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/301 , H01L21/306
摘要：【課題】エッチング後に残留する部分が多孔質になるのを抑制するエッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法を提供する。【解決手段】貴金属を触媒として用い、シリコンを含む半導体基板をエッチングして、半導体チップへと個片化する方法であって、半導体基板1の表面に、凸部3を含んだ凹凸構造を形成することと、貴金属を含む触媒層6を、表面のうち凸部の上面に対して選択的に形成することと、触媒層へエッチング液7を供給して、貴金属の触媒としての作用のもとで半導体基板をエッチングすることとを含む。【選択図】図6

10. 发明专利

JP2018170333A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018170333A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：JP2017064974
申请日：2017-03-29
申请人：株式会社東芝
发明人：東條啓 , 小林竜也 , 下川一生
IPC分类号： H01L23/14 , H01L21/301
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/78
摘要：【課題】反りを抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、基体と、デバイス層と、第1膜を含む膜と、を含む。前記基体は、第1半導体素子を含み、第1面と、第2面と、前記第1面と、前記第2面と、の間にある側面と、を有する。前記デバイス層は、前記第1半導体素子と電気的に接続された第2半導体素子を含み、前記基体の第1面の上に設けられる。前記第1膜を含む膜は、第1領域、第2領域及び第3領域を含む。第1方向において前記第1領域とデバイス層との間に前記基体が位置する。前記第1方向と交差する第2方向において前記第2領域と前記第3領域との間に前記基体が位置する。前記第1膜は、前記第2面、及び、前記側面の凹凸を埋め込む。【選択図】図1

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式