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1. 发明专利

JP6970263B2 エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法有权
公开(公告)号：JP6970263B2
公开(公告)日：2021-11-24
申请号：JP2020169188
申请日：2020-10-06
申请人：株式会社東芝
发明人：松尾圭一郎 , 小幡進 , 佐野光雄 , 樋口和人 , 下川一生
IPC分类号： H01L21/306

2. 发明专利

JP2020129577A コンデンサ及びコンデンサモジュール审中-公开
公开(公告)号：JP2020129577A
公开(公告)日：2020-08-27
申请号：JP2019020614
申请日：2019-02-07
申请人：株式会社東芝
发明人：松尾圭一郎 , 小幡進 , 佐野光雄 , 樋口和人 , 下川一生
IPC分类号： H01G4/38 , H01G2/06 , H01G4/30 , H01G4/33
摘要：【課題】設置面積当たりの電気容量を容易に大きくし得る技術を提供する。【解決手段】実施形態のコンデンサ1は、第1主面と、第2主面と、前記第1主面の縁から前記第2主面の縁まで延びた端面とを有し、前記第1主面に1以上の凹部が設けられた導電基板と、前記第1主面と前記1以上の凹部の側壁及び底面とを覆った導電層と、前記導電基板と前記導電層との間に介在した誘電体層と、前記端面と向き合った第1電極部70c3を含み、前記導電層に電気的に接続された第1外部電極70cと、前記端面と向き合った第2電極部70d3を含み、前記導電基板に電気的に接続された第2外部電極70dとを備えている。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2019140225A エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019140225A
公开(公告)日：2019-08-22
申请号：JP2018021849
申请日：2018-02-09
申请人：株式会社東芝
发明人：松尾圭一郎 , 小幡進 , 佐野光雄 , 樋口和人 , 下川一生
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/301 , H01L21/306
摘要：【課題】エッチング後に残留する部分が多孔質になるのを抑制するエッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法を提供する。【解決手段】貴金属を触媒として用い、シリコンを含む半導体基板をエッチングして、半導体チップへと個片化する方法であって、半導体基板1の表面に、凸部3を含んだ凹凸構造を形成することと、貴金属を含む触媒層6を、表面のうち凸部の上面に対して選択的に形成することと、触媒層へエッチング液7を供給して、貴金属の触媒としての作用のもとで半導体基板をエッチングすることとを含む。【選択図】図6

4. 发明专利

JP2017050378A エッチング方法、物品の製造方法、及びエッチング装置有权
公开(公告)号：JP2017050378A
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：JP2015171913
申请日：2015-09-01
申请人：株式会社東芝
发明人：松尾圭一郎 , 浅野佑策
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/30604 , C23F1/20 , H01L21/30608 , H01L21/32133 , H01L21/67075 , H01L21/67086 , H01L21/78
摘要：【課題】金属層が設けられた半導体基板をMacEtch法によりエッチングするに際し、高い選択比で半導体をエッチング可能とする。【解決手段】実施形態のエッチング方法は、貴金属以外の1以上の金属からなる金属層によって被覆された第1領域と、貴金属からなる触媒層によって被覆された第2領域とを有している半導体基板に、弗化水素酸と酸化剤と緩衝剤とを含有したエッチング剤を、前記エッチング剤が前記触媒層と前記金属層とに接するように供給して、前記触媒層の位置で前記半導体基板のエッチングを生じさせることを含む。【選択図】なし

5. 发明专利

JP2021002689A エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法有权
公开(公告)号：JP2021002689A
公开(公告)日：2021-01-07
申请号：JP2020169188
申请日：2020-10-06
申请人：株式会社東芝
发明人：松尾圭一郎 , 小幡進 , 佐野光雄 , 樋口和人 , 下川一生
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/306
摘要：【課題】エッチング後に残留する部分が多孔質になるのを抑制すること。【解決手段】実施形態のエッチング方法は、半導体基板の表面に、凸部を含んだ凹凸構造を形成することと、貴金属を含む触媒層を、前記表面のうち前記凸部の上面に対して選択的に形成することと、前記触媒層へエッチング液を供給して、前記貴金属の触媒としての作用のもとで前記半導体基板をエッチングすることとを含み、前記凹凸構造の形成は、前記表面に、開口部を有する第1マスク層を形成することと、前記第1マスク層をエッチングマスクとして用いて、前記表面をエッチングすることと、前記第1マスク層を除去することとを含む。【選択図】図6

6. 发明专利

JPWO2019171750A1 コンデンサ及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019171750A1
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：JP2019000351
申请日：2019-01-09
申请人：株式会社東芝
发明人：樋口和人 , 小幡進 , 松尾圭一郎 , 佐野光雄
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/306 , H01L21/308 , H01G4/33 , H01G13/00 , H01L21/822
摘要：大きな電気容量を達成可能なコンデンサを提供する。実施形態のコンデンサ(1A)は、第1面と第2面とを有し、前記第1面から前記第2面まで各々が延びた1以上の貫通孔(TH1)が設けられた基板(10)と、前記第1面と前記第2面と前記1以上の貫通孔(TH1)の側壁とを覆った第1導電層(20a)と、前記第1導電層(20a)を間に挟んで、前記第1面と前記第2面と前記1以上の貫通孔(TH1)の側壁とに向き合った第2導電層(20b)と、前記第1導電層(20a)と前記第2導電層(20b)との間に介在した誘電体層(50)とを含んでいる。

7. 发明专利

JP6444805B2 半導体チップの製造方法有权
公开(公告)号：JP6444805B2
公开(公告)日：2018-12-26
申请号：JP2015097629
申请日：2015-05-12
申请人：株式会社東芝
发明人：浅野佑策 , 松尾圭一郎 , 下川一生 , 樋口和人 , 伊藤寿
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/301

8. 发明专利

JP6246956B1 エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法有权
公开(公告)号：JP6246956B1
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：JP2017006148
申请日：2017-01-17
申请人：株式会社東芝
发明人：松尾圭一郎 , 浅野佑策 , 樋口和人 , 下川一生
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/306
摘要：【課題】針状残留部が生じ難いエッチング方法を提供する。【解決手段】実施形態のエッチング方法は、半導体を含む表面上に、貴金属を含む触媒層であって、前記表面を少なくとも部分的に被覆し、不連続部を有している第1部分と、前記第1部分上に位置し、前記第1部分へのエッチング剤の供給を妨げず、エッチングの進行に応じた前記触媒層の移動に伴い、前記不連続部に対応した位置に残留する未エッチング部と接触する第2部分とを含む触媒層を形成することと、その後、前記触媒層へ前記エッチング剤を供給して、前記触媒層の触媒としての作用のもとで、前記表面をエッチングすることとを含む。【選択図】図3

9. 发明专利

JP6834017B2 コンデンサ及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6834017B2
公开(公告)日：2021-02-24
申请号：JP2019548751
申请日：2019-01-09
申请人：株式会社東芝
发明人：樋口和人 , 小幡進 , 松尾圭一郎 , 佐野光雄
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/306 , H01L21/308 , H01G4/33 , H01G13/00 , H01L21/822

10. 发明专利

JP2016171251A 立体構造形成装置及び対象物の製造方法有权
标题翻译：三维结构形成装置及其制造方法
公开(公告)号：JP2016171251A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2015051276
申请日：2015-03-13
申请人：株式会社東芝
发明人：浅野佑策 , 下川一生 , 松尾圭一郎
IPC分类号： B81C1/00 , H05K3/00 , H01L21/306
摘要：【課題】半導体材料等の対象物を正確に立体加工することができる立体構造形成装置及び対象物の製造方法を提供すること。【解決手段】実施形態の立体構造形成装置は、保持機構と、転写板と、移動装置と、供給装置と、を備える。保持機構は、対象物を保持する。転写板は、前記保持機構に保持された前記対象物に転写する転写形状に表面が形成されるとともに、前記転写形状の表面に形成された触媒層、及び、前記対象物又は前記保持機構と当接する規制部を有する。移動装置は、前記転写板及び前記対象物を互いに対向する方向で相対的に移動させる。供給装置は、前記触媒と反応することで前記対象物をエッチングするエッチング液を前記対象物及び前記触媒層の間に供給する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种三维结构形成装置，其可以精确地进行半导体材料等物体的三维处理，并提供制造物体的方法。解决方案：三维结构形成装置包括保持机构，转印板，移动装置和供给装置。保持机构保持对象。转印板具有形成为转印形状的表面，以转印到由保持机构保持的物体上，并且具有形成在转印形状的表面上的催化剂层和抵靠物体或保持机构的限制部分。移动装置相对于相反的方向移动传递板和物体。供应装置通过在物体和催化剂层之间的催化剂上反应来提供用于蚀刻物体的蚀刻液。选择的图：图1

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