专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP6973422B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6973422B2
公开(公告)日：2021-11-24
申请号：JP2019007846
申请日：2019-01-21
申请人：株式会社デンソー
发明人：河野憲司
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L21/337

3. 发明专利

JP2018014418A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018014418A
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：JP2016143299
申请日：2016-07-21
申请人：株式会社デンソー
发明人：河野憲司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/739 , H01L29/78
摘要：【課題】スイッチング素子の並列駆動に起因する電圧振動の低減とFWDに起因する波形歪の低減を両立する半導体装置を提供する。【解決手段】この半導体装置は、還流ダイオードを備えた複数のIGBT素子が並列に接続されて駆動される。IGBT素子は、トレンチゲートにゲート電圧が印加されるとともに、エミッタ領域が形成されるアクティブセルと、トレンチゲートがエミッタ領域と同電位とされるとともに、エミッタ領域が形成されないダミーセルと、トレンチゲートにゲート電圧が印加されるとともに、エミッタ領域が形成されないアクティブダミーセルと、を有する。そして、アクティブダミーセルは、ボディ領域が電気的にフローティングとされたフロートセルを有する。フロートセルの数は、アクティブセルとアクティブダミーセルの総数に対して、5%以上35%以下とされる。【選択図】図6

4. 发明专利

JP6127421B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6127421B2
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：JP2012209604
申请日：2012-09-24
申请人：株式会社デンソー
发明人：河野憲司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78

5. 发明专利

JP5831598B2 絶縁ゲート型半導体装置有权
公开(公告)号：JP5831598B2
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：JP2014126292
申请日：2014-06-19
申请人：株式会社デンソー , トヨタ自動車株式会社
发明人：田邊広光 , 都築幸夫 , 河野憲司 , 志賀智英
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739

6. 发明专利

JP2021174835A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021174835A
公开(公告)日：2021-11-01
申请号：JP2020076334
申请日：2020-04-22
申请人：株式会社デンソー
发明人：河野憲司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要：【課題】リカバリ損失を十分に低減できる半導体装置を提供する。【解決手段】第1導電型のドリフト層212と、ドリフト層212上に配置された第2導電型のチャネル層213と、チャネル層213を貫通してドリフト層212に達するように形成されたトレンチ214の壁面に配置されたゲート絶縁膜215と、ゲート絶縁膜215上に配置されたゲート電極23とを有するトレンチゲート構造と、チャネル層213の表層部において、トレンチ214に接するように形成され、ドリフト層212よりも高不純物濃度とされた第1導電型のソース層216と、ドリフト層212を挟んでチャネル層213と反対側に配置された第1導電型のドレイン層211とを備える。そして、トレンチ214のうちのドリフト層212に達している部分は、全領域が第2導電型のウェル層223にて覆われ、ウェル層223は、チャネル層213と繋がるようにする。【選択図】図8

7. 发明专利

JP6769458B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6769458B2
公开(公告)日：2020-10-14
申请号：JP2018117317
申请日：2018-06-20
申请人：株式会社デンソー
发明人：河野憲司
IPC分类号： H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L25/07 , H01L25/18 , H02M1/08 , H03K17/567 , H03K17/16

8. 发明专利

JP6277814B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6277814B2
公开(公告)日：2018-02-14
申请号：JP2014061813
申请日：2014-03-25
申请人：株式会社デンソー
发明人：河野憲司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/063 , H01L21/221 , H01L27/0664 , H01L27/0727 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/32 , H01L29/407 , H01L29/6609 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L29/861 , H01L29/8613 , H02M7/003

9. 发明专利

JP2017011171A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JP2017011171A
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2015126786
申请日：2015-06-24
申请人：株式会社デンソー
发明人：河野憲司 , 田邊広光
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/04 , H01L29/06 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/739
摘要：【課題】検査精度の向上を図ることができる半導体装置を提供する。【解決手段】IGBT領域12aとFWD領域12bとをトレンチ23の延設方向に沿って交互に形成すると共に、メッキ膜31のうちの保護膜30側の外縁部の直下にIGBT領域12aを形成する。これによれば、メッキ膜31のうちの外縁部の直下にIGBT領域12aが形成されている。つまり、メッキ膜31が収縮する際、メッキ膜31の変位量が最も大きい部分の直下にIGBT領域12aが形成されている。このため、少なくともメッキ膜31の変位量が最も大きくなる部分が第1電極29に食い込んでいるか否かを高精度に判定でき、検出精度の向上を図ることができる。【選択図】図1
摘要翻译：一种半导体装置，从而可以提高检查精度。和A IGBT区12a和FWD区域12B以沿着沟槽23的延伸方向上交替地形成，以形成立即镀敷膜31的保护膜30侧的外边缘下面IGBT区12a中。根据这一点，IGBT区域12a被立即镀敷膜31的外边缘的下方形成。换句话说，当电镀膜31周的合同，IGBT区域12a被立即镀敷膜31的最高的部分的位移量的下方形成。因此，可确定的位移量是否变为至少镀敷膜31被切割到第一电极29以高精确度最大部分，因此能够提高检测精度。点域1

10. 发明专利

JP5942737B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5942737B2
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：JP2012209603
申请日：2012-09-24
申请人：株式会社デンソー
发明人：河野憲司
IPC分类号： H01L27/04 , H01L29/739 , H01L29/78

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式