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1. 发明专利

JP2013232529A Method for diffusing impurity, substrate processing device, and method for manufacturing semiconductor device 有权
标题翻译：用于扩散的方法，基板处理装置以及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2013232529A
公开(公告)日：2013-11-14
申请号：JP2012103767
申请日：2012-04-27
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： TAKAHASHI KAZUYA , FURUSAWA SUMIKAZU , OKADA MITSUHIRO
IPC分类号： H01L21/223 , H01L21/336 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： H01L21/2236 , H01L21/28035
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for diffusing an impurity capable of diffusing an impurity into a thin film with higher concentration and in a shorter time in a vapor-phase fashion.SOLUTION: A method for diffusing an impurity comprises: a step 1 of carrying a workpiece in which a thin film is formed into a processing chamber; a step 3 of raising a temperature of the workpiece in which the thin film is formed to a vapor-phase diffusion temperature in the processing chamber; and a step 4 of supplying an impurity-containing gas into the processing chamber together with an inactive gas and diffusing the impurity into the thin film formed in the workpiece whose temperature was raised to the vapor-phase diffusion temperature. The step 4 supplies a gas for promoting impurity diffusion into the thin film into the processing chamber simultaneously with the impurity-containing gas and the inactive gas.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种扩散杂质的方法，其能够以气相方式将杂质扩散到具有较高浓度和较短时间的薄膜中。解决方案：用于扩散杂质的方法包括：步骤1 将其中形成有薄膜的工件运送到处理室中; 在处理室中将形成有薄膜的工件的温度升高到气相扩散温度的步骤3; 以及将惰性气体与含有惰性气体一起向处理室供给含杂质气体的步骤4，并将杂质扩散到温度升高到气相扩散温度的工件中形成的薄膜中。步骤4将含有杂质的气体和惰性气体同时供给用于促进杂质扩散的气体进入处理室。

2. 发明专利

JP2017085165A シリコン膜の成膜方法有权
公开(公告)号：JP2017085165A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：JP2017009276
申请日：2017-01-23
申请人：東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Electron Ltd
发明人： HASEBE KAZUHIDE , TAKAHASHI KAZUYA , KOMORI KATSUHIKO , FURUSAWA SUMIKAZU , OKADA MITSUHIRO , HAYASHI HIROYUKI , KAKIMOTO AKINOBU
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/24 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/31
摘要：【課題】更なる薄膜化の要求に対しても対応可能であり、かつ、表面ラフネスの精度をも改善することが可能な、被処理面に孔又は溝を有する被処理体上に、シリコン膜を成膜する技術を提供する。【解決手段】被処理面上に、分子式中にシリコンを2つ以上含む高次アミノシラン系ガスを供給し、被処理面上にシリコンを吸着させて第1シード層を形成する工程と、アミノ基を含まない高次シラン系ガスを供給し、第1シード層上にシリコンを堆積させて第2シード層を形成する工程と、アミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、第2シード層上にシリコンを堆積させてシリコン膜を形成する工程と、シリコン膜をエッチングし、孔又は溝の底に、シリコン膜を残す工程と、少なくともシリコンの堆積とエッチングを繰り返し行い、孔又は溝をシリコン膜によって埋め込み、第1シード膜を形成する際に処理温度を350℃以下室温(25℃)以上の範囲とする。【選択図】図22

3. 发明专利

JP2017085164A 薄膜の成膜方法有权
公开(公告)号：JP2017085164A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：JP2017009275
申请日：2017-01-23
申请人：東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Electron Ltd
发明人： HASEBE KAZUHIDE , TAKAHASHI KAZUYA , KOMORI KATSUHIKO , FURUSAWA SUMIKAZU , OKADA MITSUHIRO , HAYASHI HIROYUKI , KAKIMOTO AKINOBU
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/24 , H01L21/28 , H01L21/285
摘要：【課題】更なる薄膜化の要求に対しても対応可能であり、かつ、表面ラフネスの精度をも改善することが可能な、被処理面に孔又は溝を有する被処理体上に、薄膜を成膜する技術を提供する。【解決手段】被処理面上に、分子式中にシリコンを2つ以上含む高次アミノシラン系ガスを供給し、被処理面上にシリコンを吸着させて第1シード層を形成する工程と、第1シード層上に、アミノ基を含まない高次シラン系ガスを供給し、第1シード層上にシリコンを堆積させて第2シード層を形成する工程と、第2シード層上にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給してシリコンを堆積させ、開口部を残しつつシリコン膜を形成する工程と、シリコン膜を、孔又は溝内に残しつつエッチングし、開口部を広げる工程と、シリコン膜上に、開口部を埋め込む薄膜を形成する工程とを備え、第1シード層を形成する際に処理温度を350℃以下室温(25℃)以上の範囲とする。【選択図】図16

4. 发明专利

JP2010192757A Method of operating heat treatment device 有权
标题翻译：操作热处理装置的方法
公开(公告)号：JP2010192757A
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：JP2009036831
申请日：2009-02-19
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： FURUSAWA SUMIKAZU , OKADA MITSUHIRO
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/24 , C23C16/42 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/4405 , C23C16/24 , C23C16/28 , Y02C20/30 , Y02P70/605
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent contamination when forming a thin film where germanium becomes a contaminant after forming the thin film containing germanium.
SOLUTION: The method of operating a heat treatment device 1 for forming a film by making a holder 25 hold a workpiece W to be carried in a reaction container 2 includes the steps of: supplying a treatment gas into the reaction container 2 and heating the inside of the reaction container 2 to form a thin film containing germanium on the workpiece W; supplying a cleaning gas in a state in which the workpiece W is not carried in the reaction container 2 to remove the thin film containing germanium formed in the reaction container 2; supplying an oxidizing gas and hydrogen gas into the reaction container 2 to remove germanium present in the reaction container 2 by a heated and activated gas; and thereafter carrying the workpiece W in the reaction container 2, supplying a treatment gas to be heated to form, on the workpiece W, a thin film where germanium becomes a contaminant.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：在形成含有锗的薄膜之后，当形成锗成为污染物的薄膜时，防止污染。解决方案：通过使保持器25保持要在反应容器2中携带的工件W来操作用于形成膜的热处理装置1的方法包括以下步骤：将处理气体供应到反应容器2和加热反应容器2的内部以在工件W上形成含有锗的薄膜; 在反应容器2中不携带工件W的状态下供给清洗气体，除去反应容器2内形成的含有锗的薄膜; 向反应容器2供给氧化气体和氢气，通过加热活性气体除去存在于反应容器2内的锗; 然后在反应容器2中承载工件W，供给待加热的处理气体，在工件W上形成锗成为污染物的薄膜。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2005123532A Deposition system and deposition method 审中-公开
标题翻译：沉积系统和沉积方法
公开(公告)号：JP2005123532A
公开(公告)日：2005-05-12
申请号：JP2003359634
申请日：2003-10-20
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： KUROKAWA MASATAKE , KOMORI KATSUHIKO , KIMURA NORIFUMI , HASEBE KAZUHIDE , FUJITA TAKEHIKO , TAMURA AKITAKE , FURUSAWA SUMIKAZU
IPC分类号： C23C16/42 , C23C16/22 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/265 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/22 , C23C16/45578
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a deposition system and a deposition method in which high in-plane uniformity is attained with regard to the film thickness or the concentration of germanium in a film when a silicon germanium film is deposited on the surface of a substrate.
SOLUTION: Three injectors 51-53 having different heights are provided in a treatment vessel of a vertical treatment system. Monosilane gas and monogerman gas are mixed previously and supplied into the treatment vessel 2 from each injector 51-53. In place of three injectors, distributed injectors each having a gas supply hole in the longitudinal direction may be provided in the treatment vessel.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供一种沉积系统和沉积方法，其中当硅锗膜沉积在表面上时，其中膜的厚度或锗的浓度达到高的面内均匀性的基底。解决方案：在垂直处理系统的处理容器中设置具有不同高度的三个喷射器51-53。将单硅烷气体和单甘醇气体先前混合并从每个注射器51-53供应到处理容器2中。代替三个喷射器，可以在处理容器中设置在长度方向上具有气体供给孔的分配喷射器。版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

6. 发明专利

JP2014045168A Method of diffusing impurity 审中-公开
标题翻译：弥补损失的方法
公开(公告)号：JP2014045168A
公开(公告)日：2014-03-13
申请号：JP2013101309
申请日：2013-05-13
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： TAKAHASHI KAZUYA , FURUSAWA SUMIKAZU , OKADA MITSUHIRO
IPC分类号： H01L21/223
CPC分类号： H01L21/22 , H01L21/223 , H01L21/67109
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for diffusing impurities capable of achieving stability in impurity introduction quantities between batch process units even when a dummy substrate to be processed is used.SOLUTION: A method for diffusing impurities includes the steps of: (1) mounting a substrate to be processed and a dummy substrate DW (SiO) to be processed on a substrate mounting jig; (2) storing the substrate mounting jig, on which the substrate to be processed and the dummy substrate DW (SiO) to be processed are mounted, in a processing chamber of a processing apparatus; and (3) allowing impurities to be vapor phase diffused relative to a site to be diffused of the substrate to be processed in the processing chamber where the substrate mounting jig is stored. In the step (3), when the impurities to be vapor phase-diffused are boron, such the dummy substrate DW (SiO) to be processed that the external surface of the dummy substrate to be processed is made of a material (silicon oxide film 12) having properties adsorbing no boron is used.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种扩散杂质的方法，即使在使用待处理的虚设基板时，也可以在分批处理单元之间实现杂质导入量的稳定性。解决方案：扩散杂质的方法包括以下步骤：（1）在基板安装夹具上安装待加工的基板和待加工的虚设基板DW（SiO）; （2）将待处理基板和待处理的虚设基板DW（SiO）的基板安装夹具安装在处理装置的处理室中; 和（3）相对于存储基板安装夹具的处理室中相对于要被处理基板扩散的部位，使杂质气相扩散。在步骤（3）中，当气相扩散的杂质为硼时，要被处理的虚设基板DW（SiO），被处理的虚设基板的外表面由材料（氧化硅膜 12）使用具有不吸附硼的性质。

7. 发明专利

JP2010034580A Film forming apparatus and method 有权
标题翻译：电影形成装置和方法
公开(公告)号：JP2010034580A
公开(公告)日：2010-02-12
申请号：JP2009252329
申请日：2009-11-02
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： KUROKAWA MASATAKE , KIMURA NORIFUMI , FUJITA TAKEHIKO , FURUSAWA SUMIKAZU , KOMORI KATSUHIKO , HASEBE KAZUHIDE
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/02 , C23C16/24 , C23C16/42 , C23C16/56 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/324 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC分类号： C23C16/0272 , C23C16/24 , C23C16/42 , C23C16/56 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/2807 , H01L21/324 , H01L29/4966
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress the migration of a silicon-germanium film when forming the silicon-germanium film having a high dopant activating factor, in a film forming method.
SOLUTION: The film forming method includes a process (P4) for forming a silicon-germanium film on a substrate by feeding a processing gas to the inside of a reacting vessel and by setting the temperature of its processing atmosphere to a predetermined temperature, a process (P5) for annealing the silicon-germanium film next by feeding a hydrogen gas to the inside of the reacting vessel, a process (P6) for exhausting the inside of the reacting vessel vacuum-wise thereafter and for performing a purging process by a purging gas a time sequentially or repeating the purging process many times, and a process (P7) for carrying out the substrate from the reacting vessel thereafter.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了抑制在形成具有高掺杂剂活化因子的硅 - 锗膜时硅 - 锗膜的迁移，以成膜方法。＆lt; P＆gt;解决方案：成膜方法包括：通过在反应容器的内部供给处理气体并将其处理气氛的温度设定在规定温度的方式，在基板上形成硅锗膜的工序（P4），然后通过向反应容器的内部供给氢气而使硅锗层退火的工序（P5），然后对反应容器的内部抽真空并进行清洗处理的工序（P6）通过吹扫气体顺次或重复清洗过程多次，以及用于从反应容器中进行基板的处理（P7）。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2015045082A シリコン膜の成膜方法、薄膜の成膜方法および断面形状制御方法有权
标题翻译：硅膜沉积法，薄膜沉积法和交叉形状控制方法
公开(公告)号：JP2015045082A
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：JP2014104835
申请日：2014-05-21
申请人：東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Electron Ltd
发明人： HASEBE KAZUHIDE , TAKAHASHI KAZUYA , KOMORI KATSUHIKO , FURUSAWA SUMIKAZU , OKADA MITSUHIRO , HAYASHI HIROYUKI , KAKIMOTO AKINOBU
IPC分类号： C23C16/24 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/045 , C23C16/24 , H01L21/28556 , H01L21/32055 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L2221/1089
摘要：【課題】更なる薄膜化の要求に対しても対応可能であり、かつ、表面ラフネスの精度をも改善することが可能なシリコン膜の成膜方法を提供すること。【解決手段】被処理面上に、分子式中にシリコンを2つ以上含む高次アミノシラン系ガスを供給し、被処理面上にシリコンを吸着させてシード層を形成する工程(ステップ1)と、シード層上に、アミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、シード層上にシリコンを堆積させてシリコン膜を形成する工程(ステップ2)と、を備え、ステップ1工程における処理温度を350℃以下室温(25℃)以上の範囲とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够应对较薄膜的要求并提高表面粗糙度精度的硅膜沉积方法。方法包括：提供高级氨基硅烷基的步骤（步骤1）在分子式中含有两个以上硅的气体，并且在处理面上吸附硅以形成种子层; 以及向种子层供给不含氨基的硅烷基气体的步骤（步骤2），并且在种子层上积聚硅以形成硅膜。步骤1中的加工温度为350℃以下且不低于室温（25℃）。

9. 发明专利

JP2013179352A Method for operating thermal treatment equipment 有权
标题翻译：操作热处理设备的方法
公开(公告)号：JP2013179352A
公开(公告)日：2013-09-09
申请号：JP2013117894
申请日：2013-06-04
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： FURUSAWA SUMIKAZU , OKADA MITSUHIRO
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44 , H01L21/3065
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cleaning method of thermal treatment equipment for suppressing germanium contamination in post thermal treatment.SOLUTION: In a cleaning method of thermal treatment equipment 1 for performing thermal treatment by carrying a workpiece W in a reaction vessel 2, it includes a process of supplying oxidation gas, hydrogen gas to the reactor vessel 2 at a state that the workpiece W is not carried in a reactor vessel W contaminated with germanium by a fact that thermal treatment for depositing a thin film containing germanium is performed to the workpiece W, and removing germanium existing in the reaction vessel 2 by gas activated by being heated.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于抑制后热处理中的锗污染的热处理设备的清洁方法。解决方案：在用于通过在反应容器2中承载工件W进行热处理的热处理设备1的清洁方法中，包括以下步骤：将工件W不携带在被锗污染的反应器容器W中的状态下，向反应容器2供给氧化气体的方法，其特征在于，进行用于沉积含有锗的薄膜的热处理工件W，并且通过被加热而活化的气体除去反应容器2中存在的锗。

10. 发明专利

JP2012238885A Thermal treatment apparatus operation method 有权
标题翻译：热处理装置操作方法
公开(公告)号：JP2012238885A
公开(公告)日：2012-12-06
申请号：JP2012168445
申请日：2012-07-30
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： FURUSAWA SUMIKAZU , OKADA MITSUHIRO
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for operating a thermal treatment apparatus which restricts germanium contamination in a subsequent deposition process when, after a germanium-containing thin film is deposited, a thin film deposition process where germanium could be a contaminant follows.SOLUTION: An operation method for a thermal treatment apparatus 1 where a workpiece W, while being held by a holding jig 25, is carried into a reaction vessel 2 before being subjected to thermal treatment comprises the steps of: heating the inside of the reaction vessel 2 while also supplying process gas thereinto and depositing a germanium-containing thin film on the workpiece W; removing the thin film deposited inside the reaction vessel 2 by supplying cleaning gas thereto when no workpieces W have been carried thereinto; supplying oxygen and hydrogen gases to the inside of the reaction vessel 2 and also removing residual germanium from inside the reaction vessel 2 by gases activated by heating; carrying a workpiece W into the reaction vessel 2, and supplying process gas thereto while also heating to deposit on the workpiece a thin film where germanium becomes a contaminant.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种操作热处理设备的方法，该热处理设备在沉积锗含量薄膜之后，在锗可能是污染物的薄膜沉积工艺中，限制后续沉积工艺中的锗污染如下。解决方案：一种用于热处理设备1的操作方法，其中工件W被保持夹具25保持在经受热处理之前被运送到反应容器2中包括以下步骤：加热内部反应容器2同时还将工艺气体供应到工件W上并沉积含锗薄膜; 当没有工件W被携带时，通过向其提供清洁气体来除去沉积在反应容器2内的薄膜; 向反应容器2的内部供应氧气和氢气，并通过加热活化的气体从反应容器2内部除去剩余的锗; 将工件W携带到反应容器2中，并且向其提供处理气体，同时加热以在工件上沉积锗成为污染物的薄膜。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

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