基本信息:
- 专利标题： シリコン膜の成膜方法、薄膜の成膜方法および断面形状制御方法
- 专利标题（英）：Silicon film deposition method, thin film deposition method, and cross section shape controlling method
- 专利标题（中）：硅膜沉积法，薄膜沉积法和交叉形状控制方法
- 申请号：JP2014104835 申请日：2014-05-21
- 公开(公告)号：JP2015045082A 公开(公告)日：2015-03-12
- 发明人： HASEBE KAZUHIDE , TAKAHASHI KAZUYA , KOMORI KATSUHIKO , FURUSAWA SUMIKAZU , OKADA MITSUHIRO , HAYASHI HIROYUKI , KAKIMOTO AKINOBU
- 申请人： 東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Electron Ltd
- 专利权人： 東京エレクトロン株式会社,Tokyo Electron Ltd
- 当前专利权人： 東京エレクトロン株式会社,Tokyo Electron Ltd
- 优先权： JP2013159604 2013-07-31; JP2014104835 2014-05-21
- 主分类号： C23C16/24
- IPC分类号： C23C16/24 ; H01L21/205
摘要：
【課題】更なる薄膜化の要求に対しても対応可能であり、かつ、表面ラフネスの精度をも改善することが可能なシリコン膜の成膜方法を提供すること。【解決手段】被処理面上に、分子式中にシリコンを2つ以上含む高次アミノシラン系ガスを供給し、被処理面上にシリコンを吸着させてシード層を形成する工程(ステップ1)と、シード層上に、アミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、シード層上にシリコンを堆積させてシリコン膜を形成する工程(ステップ2)と、を備え、ステップ1工程における処理温度を350℃以下室温(25℃)以上の範囲とする。【選択図】図1
摘要（中）：
要解决的问题：提供一种能够应对较薄膜的要求并提高表面粗糙度精度的硅膜沉积方法。方法包括：提供高级氨基硅烷基的步骤（步骤1） 在分子式中含有两个以上硅的气体，并且在处理面上吸附硅以形成种子层; 以及向种子层供给不含氨基的硅烷基气体的步骤（步骤2），并且在种子层上积聚硅以形成硅膜。 步骤1中的加工温度为350℃以下且不低于室温（25℃）。
公开/授权文献:
- JP6082712B2 シリコン膜の成膜方法および薄膜の成膜方法 公开/授权日：2017-02-15