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1. 发明专利

JP6583054B2 基板処理方法及び記憶媒体有权
公开(公告)号：JP6583054B2
公开(公告)日：2019-10-02
申请号：JP2016036013
申请日：2016-02-26
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：浦野智也 , 野口恭兵 , 横山敦 , 小林岳志 , 若林哲 , 佐久間隆
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/14 , H01L21/285 , H01L21/28 , C23C16/44

2. 发明专利

JP2017150059A 基板処理方法及び記憶媒体审中-公开
公开(公告)号：JP2017150059A
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：JP2016036013
申请日：2016-02-26
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：浦野智也 , 野口恭兵 , 横山敦 , 小林岳志 , 若林哲 , 佐久間隆
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/14 , H01L21/285 , H01L21/28 , C23C16/44
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/08 , C23C16/34 , C23C16/4404 , C23C16/45542 , C23C16/45555 , H01L21/28518 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67393 , H01L21/76843 , H01L21/76862
摘要：【課題】プラズマCVDによりウエハ上にTi膜を成膜するにあたり、膜中へのN原子の取り込みを抑制する技術を提供すること。【解決手段】ウエハWのSi膜101の表面にTi膜103を成膜した後、処理容器20中のTiCl x やCl x を含む成分を除去するにあたってH 2 ガスのプラズマを用いている。そのためTi膜103中におけるNの取り込みを抑制することができる。従ってTi膜103とSi膜101との界面におけるTiのシリサイド化の反応が阻害されない。またウエハWを搬出した後におけるTiCl x やCl x を含む成分の除去をH 2 ガスのプラズマを用いることにより、さらに処理容器20中のNを抑制することができる。また処理容器20の内面に施すプリコートにおいてもTiN膜の表面を覆うようにTi膜を成膜することにより、ウエハのW表面にTi膜103を成膜したときのTi膜103中のNの取り込みを抑制することができる。【選択図】図4

3. 发明专利

JP6426893B2 コンタクト層の形成方法审中-公开
公开(公告)号：JP6426893B2
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：JP2013267707
申请日：2013-12-25
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：村上誠志 , 清水隆也 , 若林哲
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/509 , H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/285 , C23C16/42
CPC分类号： H01L21/76879 , C23C16/045 , C23C16/14 , C23C16/24 , C23C16/42 , H01L21/28518 , H01L21/28556 , H01L21/32053 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/76856

4. 发明专利

JP6389608B2 Ti膜の成膜方法有权
公开(公告)号：JP6389608B2
公开(公告)日：2018-09-12
申请号：JP2013267708
申请日：2013-12-25
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：村上誠志 , 清水隆也 , 若林哲
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/509 , H01L21/285 , H01L21/28 , C23C16/14
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/14 , C23C16/509 , C23C16/56 , H01L21/28518 , H01L21/76843 , H01L21/76855

5. 发明专利

JP2015124398A Ti膜の成膜方法有权
标题翻译：薄膜的薄膜沉积方法
公开(公告)号：JP2015124398A
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：JP2013267708
申请日：2013-12-25
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：村上誠志 , 清水隆也 , 若林哲
IPC分类号： C23C16/509 , H01L21/285 , H01L21/28 , C23C16/14
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/14 , C23C16/509 , C23C16/56 , H01L21/76843 , H01L21/28518 , H01L21/76855
摘要：【課題】低温成膜においても、残留Clが少なく十分に低抵抗なTi膜を成膜することができるTi膜の成膜方法を提供する。【解決手段】チャンバ内に基板を配置し、Ti原料であるTiCl 4 ガス、還元ガスであるH 2 ガスを含む処理ガスを導入しつつ前記チャンバ内にプラズマを生成して基板上にTi膜を成膜するにあたり、チャンバ内に、処理ガスの他にプラズマ生成ガスとしてArガスを導入し、Arガスをプラズマ化してArイオンを生成し、Arイオンを基板上に堆積されたTi膜に作用させ、Ti膜からのClの脱離を促進させる。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够即使在低温膜沉积下也能够使具有少量残留Cl且具有足够低电阻的Ti膜成膜的Ti膜沉积方法。解决方案：将基板布置在室中，从而产生等离子体在引入包含TiCl气体或Ti材料和H气或还原气体的工艺气体的同时在所述室中，从而在衬底上形成Ti膜。作为等离子体产生气体，除了处理气体之外还引入Ar气体，并将Ar气体制成等离子体以产生Ar离子。使Ar离子作用于沉积在基板上的Ti膜，从而促进Cl从Ti膜的解吸附。

6. 发明专利

JP2021042445A ガス供給装置、基板処理装置及びガス供給装置の制御方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021042445A
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：JP2019166327
申请日：2019-09-12
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：若林哲 , 木元大寿 , 松本淳志 , 川口拓哉
IPC分类号： H01L21/285 , C23C16/455
摘要：【課題】原料ガス供給量を精度よく検出するガス供給装置、基板処理装置及びガス供給装置の制御方法を提供する。【解決手段】原料容器と、キャリアガス供給源と、前記キャリアガス供給源から前記原料容器にキャリアガスを供給するキャリアガス供給路と、前記キャリアガス供給路に設けられる第1のマスフローコントローラと、前記原料容器から処理容器にキャリアガスとともに原料ガスを供給する原料ガス供給路と、前記原料ガス供給路に設けられるマスフローメータと、前記キャリアガス供給路の前記第1のマスフローコントローラよりも下流に設けられる第1のエバックラインと、前記キャリアガス供給源から供給されるキャリアガスを、前記原料容器に供給するか、前記第1のエバックラインに供給するかを切り替える第1の切替部と、を備える、ガス供給装置。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2020059910A 原料ガス供給装置、成膜装置及び原料ガス供給方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020059910A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：JP2018193767
申请日：2018-10-12
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：若林哲
IPC分类号： C23C16/14 , C23C16/448 , C23C16/455
摘要：【課題】小流量の原料ガスを精度良く安定して供給できる技術を提供する。【解決手段】本開示の一態様による原料ガス供給装置は、処理容器内に原料ガスを供給する原料ガス供給装置であって、固体又は液体の原料を収容し、前記原料を気化させる原料容器と、前記原料容器内で気化した原料を含む原料ガスを前記処理容器内に供給する原料ガス供給流路と、前記原料ガス供給流路に設けられ、原料ガスの流量を測定する流量測定部と、前記原料ガス供給流路における前記流量測定部の下流側で合流し、原料ガスを希釈する希釈ガスを供給する希釈ガス供給流路と、前記原料ガス供給流路と前記希釈ガス供給流路との合流部に設けられ、前記原料ガスをベンチュリ効果により前記希釈ガスと混合するガス混合部と、を有する。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2019218593A 金属膜の形成方法及び成膜装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019218593A
公开(公告)日：2019-12-26
申请号：JP2018116215
申请日：2018-06-19
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：若林哲 , 中込素子 , 山▲崎▼ 英亮
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/14
摘要：【課題】基板に成膜される金属膜の膜厚の面内分布を制御することができる技術を提供する。【解決手段】本開示の一態様による金属膜の形成方法は、基板を収容する処理容器内に、金属原料ガスとプラズマ励起ガスとを含む第1のガスと、還元ガスとプラズマ励起ガスとを含む第2のガスと、を供給し、プラズマCVD法により、前記基板の上に第1の金属膜を形成する工程と、前記第1の金属膜を形成する工程の後、前記処理容器内に、前記金属原料ガスと前記プラズマ励起ガスとを含む第3のガスと、前記還元ガスと前記プラズマ励起ガスとを含む第4のガスと、を供給し、プラズマCVD法により、前記第1の金属膜の上に第2の金属膜を形成する工程と、を有する。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2021181601A 成膜方法及び成膜装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021181601A
公开(公告)日：2021-11-25
申请号：JP2020087635
申请日：2020-05-19
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：若林哲 , 後藤夕佳 , 北條大介
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/455 , H01L21/285 , H01L21/28 , C23C16/14
摘要：【課題】酸化アルミニウム層の上に直接モリブデン膜を形成する。【解決手段】(a)酸化アルミニウム層が形成された基板を準備する工程と、(b)加熱手段により加熱した前記基板に窒素を含むガスを供給する工程と、(c)前記(b)の後、モリブデンを含む原料ガスと還元ガスとを複数回交互に供給し、前記酸化アルミニウム層の上にモリブデン膜を形成する工程と、を有する成膜方法が提供される。【選択図】図3

10. 发明专利

JP2021017625A 成膜装置及びガス供給方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021017625A
公开(公告)日：2021-02-15
申请号：JP2019134075
申请日：2019-07-19
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：若林哲
IPC分类号： H01L21/285 , C23C16/52
摘要：【課題】プロセス開始時の原料ガスの流量を安定化させることができる成膜装置の提供。【解決手段】貯留タンク及び第1の開閉弁を介して第1のガスを供給可能な第1のガス供給部と、第2の開閉弁を介して貯留タンク内を排気可能な排気ラインと、排気ラインに第2のガスを供給可能な第2のガス供給部と制御部とを備え、制御部は第1の開閉弁を閉じ第2の開閉弁の開閉を繰り返しながら第1のガスを第1の流量で供給し、且つ流量が異なる複数の条件で第2のガスを供給したときの第2のガスの流量と貯留タンク内の圧力である第2の圧力との相関データを生成する工程と、第2の開閉弁を閉じ第1の開閉弁の開閉を繰り返しながら第1のガス供給部から第1のガスを第1の流量で供給したときの貯留タンク内の圧力である第1の圧力と、相関データとに基づいて第2の圧力が第1の圧力と等しくなるような第2のガスの流量を算出する工程とを実行する成膜装置。【選択図】図2

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