专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2016151042A 基板処理装置及び基板処理方法並びに記憶媒体有权
标题翻译：基板处理装置，基板处理方法和存储介质
公开(公告)号：JP2016151042A
公开(公告)日：2016-08-22
申请号：JP2015028939
申请日：2015-02-17
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：山▲崎▼ 英亮 , 浦野智也
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/683 , C23C16/52
CPC分类号： C23C14/24 , H01L21/28562 , H01L21/76843
摘要：【課題】真空雰囲気にて基板に処理ガスを供給して処理を行うにあたり、圧力変動に伴う載置台上の基板の滑りを抑制すること。【解決手段】載置台3上に載置されたウエハWに処理ガスを供給すると共に真空容器2内の設定圧力を第1の圧力に設定し、その後、設定圧力を第1の圧力よりも低い第2の圧力に変更する。そして設定圧力の変更と同時に昇降ピン41によりウエハWを載置台3から上昇させる。第1の圧力から第2の圧力に設定圧力を変更すると、載置台3表面とウエハWとの間に入り込んだ処理ガスが排出され、この処理ガスの流れの作用により載置台3表面のウエハWが滑る。このため設定圧力を変更するときに昇降ピン41によりウエハWを載置台3から上昇させてウエハWを3本の昇降ピン41の先端にて支持する。これにより静止摩擦力が増大し、処理中における載置台3上のウエハWの滑りが抑制される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了抑制在真空气氛中向基板上提供处理气体时的压力变化，抑制基板在安装台上的滑动，以处理基板。解决方案：将处理气体供应到安装在基板上的晶片W上安装台3并将真空容器2中的设定压力设定为第一压力，然后变为低于第一压力的第二压力。在设定压力改变的同时，晶片W通过提升销41从安装台3升高。一旦设定压力从第一压力变为第二压力，则处理气体在安装台3，晶片W排出。排出的处理气体的流动作用在安装台3的表面上的晶片W上，从而导致晶片W的滑动。因此，当设定压力变化时，晶片W从安装台3升起通过升降销41并由三个提升销41的尖端支撑。这增加了静摩擦力，从而抑制了晶片W在安装台3上的滑动。选择的图示：图1

2. 发明专利

JP5829926B2 タングステン膜の成膜方法有权
标题翻译：形成钨膜的方法
公开(公告)号：JP5829926B2
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：JP2012009452
申请日：2012-01-19
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：村上誠志 , 田中満雄 , 堀越桐子 , 佐藤耕一 , 饗場康 , 浦野智也 , 石川麻由子
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/285 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/3065 , C23C16/14

3. 发明专利

JP2017150059A 基板処理方法及び記憶媒体审中-公开
公开(公告)号：JP2017150059A
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：JP2016036013
申请日：2016-02-26
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：浦野智也 , 野口恭兵 , 横山敦 , 小林岳志 , 若林哲 , 佐久間隆
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/14 , H01L21/285 , H01L21/28 , C23C16/44
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/08 , C23C16/34 , C23C16/4404 , C23C16/45542 , C23C16/45555 , H01L21/28518 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67393 , H01L21/76843 , H01L21/76862
摘要：【課題】プラズマCVDによりウエハ上にTi膜を成膜するにあたり、膜中へのN原子の取り込みを抑制する技術を提供すること。【解決手段】ウエハWのSi膜101の表面にTi膜103を成膜した後、処理容器20中のTiCl x やCl x を含む成分を除去するにあたってH 2 ガスのプラズマを用いている。そのためTi膜103中におけるNの取り込みを抑制することができる。従ってTi膜103とSi膜101との界面におけるTiのシリサイド化の反応が阻害されない。またウエハWを搬出した後におけるTiCl x やCl x を含む成分の除去をH 2 ガスのプラズマを用いることにより、さらに処理容器20中のNを抑制することができる。また処理容器20の内面に施すプリコートにおいてもTiN膜の表面を覆うようにTi膜を成膜することにより、ウエハのW表面にTi膜103を成膜したときのTi膜103中のNの取り込みを抑制することができる。【選択図】図4

4. 发明专利

JP6583054B2 基板処理方法及び記憶媒体有权
公开(公告)号：JP6583054B2
公开(公告)日：2019-10-02
申请号：JP2016036013
申请日：2016-02-26
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：浦野智也 , 野口恭兵 , 横山敦 , 小林岳志 , 若林哲 , 佐久間隆
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/14 , H01L21/285 , H01L21/28 , C23C16/44

5. 发明专利

JP6492736B2 基板処理装置及び基板処理方法並びに記憶媒体有权
公开(公告)号：JP6492736B2
公开(公告)日：2019-04-03
申请号：JP2015028939
申请日：2015-02-17
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：山▲崎▼ 英亮 , 浦野智也
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/683 , C23C16/52

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式