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1. 发明专利

JP5850489B2 SiC単結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP5850489B2
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：JP2011196580
申请日：2011-09-08
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 日立化成株式会社
发明人：三谷武志 , 高橋徹夫 , 加藤智久 , 蔵重和央 , ナチムスセングットバン
IPC分类号： C30B19/00 , C30B29/36

2. 发明专利

JP5850490B2 SiC単結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP5850490B2
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：JP2011196581
申请日：2011-09-08
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 日立化成株式会社
发明人：三谷武志 , 高橋徹夫 , 加藤智久 , 蔵重和央 , ナチムスセングットバン
IPC分类号： C30B19/04 , C30B29/36

3. 发明专利

JP2015110497A 種結晶保持部材、結晶製造装置及び結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：种子晶体保持构件和晶体制造装置及其制造方法
公开(公告)号：JP2015110497A
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：JP2013253482
申请日：2013-12-06
申请人：日立化成株式会社 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：藤井邦治 , 武井康一 , 蔵重和央 , ナチムスセングットバン , 長井一郎 , 加藤智久 , 三谷武志 , 高橋徹夫 , 小松直佳
IPC分类号： C30B29/36 , C30B17/00
摘要：【課題】高品質な結晶を十分な成長速度で得られる種結晶保持部材、結晶製造装置及び結晶の製造方法を提供する。【解決手段】種結晶保持部材6では、固定面8aと保持面8bとが中空部9を挟んで対向する本体部8において、固定面8aと保持面8bとの対向方向から見たときに、中空部9と重なるように保持面8bが設定されている。すなわち、この種結晶保持部材6では、保持面8bに種結晶Cを保持させたときに、種結晶Cの全面が中空部9と対向することとなる。この構成によれば、結晶を成長させる際に種結晶Cの全面にわたって一様に中空部9を介して種結晶Cが有する熱を固定面8a方向へ輻射させることができる。したがって、種結晶Cの面内で均一に種結晶Cと原料溶液Sとの間の温度勾配を形成できるため、高品質な結晶を十分な成長速度で得ることが可能となる。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种晶种保持构件，以及晶体制造装置和制造晶体的方法，使得可以以足够的生长速度获得具有高质量的晶体。解决方案：晶种保持构件6包括主体部分8具有固定表面8a和保持表面8b，该保持表面8b横跨中空部分9彼此相对，使得当从固定表面8a的相反方向观察时，保持表面8b设置成与中空部分9重叠; 保持表面8b。也就是说，当晶种保持构件6将晶种C保持在保持表面8b上时，籽晶C的整个表面与中空部分9相对。在该结构中，可以辐射晶种C具有的热量当晶体生长时，通过中空部分9朝着固定表面8a均匀地在晶种C的整个表面上。因此，晶种C和原料溶液S之间的温度梯度可以在晶种C的平面内均匀地形成，从而可以以足够的生长速度获得具有高质量的晶体。

4. 发明专利

JP6128588B2 SiC単結晶、その製造方法およびその表面清浄化方法有权
公开(公告)号：JP6128588B2
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：JP2013039967
申请日：2013-02-28
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：三谷武志 , 高橋徹夫 , 加藤智久 , 蔵重和央 , ナチムスセングットバン
IPC分类号： C30B19/00 , C30B30/02 , C30B29/36

5. 发明专利

JP2016172677A 炭化珪素単結晶及びその製造方法审中-公开
标题翻译：碳化硅单晶及其生产方法
公开(公告)号：JP2016172677A
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：JP2015054367
申请日：2015-03-18
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：蔵重和央 , ナチムスセングットバン , 青嶌真裕 , 藤井邦治 , 三谷武志 , 小松直佳 , 加藤智久
IPC分类号： C30B19/04 , C30B29/36
摘要：【課題】原料溶液に特定の添加元素を添加することで、炭化珪素単結晶の成長速度及び結晶品質を高めることができ、且つ、炭化珪素単結晶中に添加元素が高濃度で取り込まれることを抑制することができる、炭化珪素単結晶の製造方法を提供すること。【解決手段】珪素融液にバナジウムを0.5at%以上溶解した原料溶液と炭素源とを用いて結晶育成を行う、炭化珪素単結晶の製造方法。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种生产碳化硅单晶的方法，其可以通过向原料溶液中添加特定的附加元素来提高碳化硅单晶的生长速率和晶体质量，并且抑制添加元素以高密度引入碳化硅单晶。解决方案：碳化硅单晶制造方法通过使用将0.5at％的钒溶解在硅熔融液中的原料溶液进行晶体繁殖，并且碳源。选择图：图1

6. 发明专利

JP5888647B2 結晶成長装置及び結晶成長方法有权
标题翻译：晶体生长装置及晶体生长方法
公开(公告)号：JP5888647B2
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：JP2012038954
申请日：2012-02-24
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：藤井邦治 , 武井康一 , 蔵重和央 , ナチムスセングットバン , 加藤智久 , 三谷武志
IPC分类号： C30B9/06 , C30B29/36

7. 发明专利

JP6249494B2 炭化珪素単結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6249494B2
公开(公告)日：2017-12-20
申请号：JP2015504397
申请日：2014-03-06
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：藤井邦治 , 武井康一 , 蔵重和央 , ナチムスセングットバン , 長井一郎 , 加藤智久 , 三谷武志 , 高橋徹夫 , 小松直佳
IPC分类号： C30B19/04 , C30B29/36
CPC分类号： C30B17/00 , C30B15/00 , C30B29/36

8. 发明专利

JP6230031B2 炭化珪素単結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6230031B2
公开(公告)日：2017-11-15
申请号：JP2015518238
申请日：2014-05-19
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：藤井邦治 , 武井康一 , 蔵重和央 , ナチムスセングットバン , 長井一郎 , 加藤智久 , 三谷武志 , 小松直佳 , 高橋徹夫
IPC分类号： C30B19/10 , C30B29/36
CPC分类号： C30B29/36 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B15/30

9. 发明专利

JP6238249B2 炭化珪素単結晶及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6238249B2
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：JP2015518237
申请日：2014-05-19
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：長井一郎 , 武井康一 , 藤井邦治 , 蔵重和央 , ナチムスセングットバン , 加藤智久 , 三谷武志 , 小松直佳 , 高橋徹夫
IPC分类号： C30B19/04 , C30B29/36
CPC分类号： C30B19/04 , C30B15/00 , C30B29/36

10. 发明专利

JP2016172678A 炭化珪素単結晶有权
标题翻译：硅碳化硅单晶
公开(公告)号：JP2016172678A
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：JP2015054368
申请日：2015-03-18
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：蔵重和央 , ナチムスセングットバン , 青嶌真裕 , 藤井邦治 , 小松直佳 , 三谷武志 , 加藤智久
IPC分类号： C30B19/04 , C30B29/36
摘要：【課題】ホウ素を添加した実用的なキャリア濃度を有するp型炭化珪素単結晶の提供。【解決手段】ホウ素原子を5×10 18 atoms/cm 3 以上、好ましくは1×10 19 atoms/cm 3 以上、より好ましくは2×10 19 atoms/cm 3 以上含有する、4H型炭化珪素単結晶。前記高濃度のホウ素原子を含有する炭化珪素単結晶は、例えば、溶液法によりホウ素を添加した原料溶液を用いて炭化珪素単結晶を育成することにより、育成結晶中に高い活性化率で高濃度のホウ素原子を取り込むことができるので、充分実用的な高いキャリア濃度を有する炭化珪素単結晶を得ることができる。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供具有实际载流子浓度的添加硼的p型碳化硅单晶。解决方案：4H型碳化硅单晶包括5×10原子/厘米或更多的硼原子，优选1×10原子 / cm 2以上，更优选为2×10atom / cm以上。包括高浓度硼原子的碳化硅单晶能够在生长的晶体中以高活化速率获得高浓度的硼原子，例如通过使用添加有硼的原料液生长碳化硅单晶通过液体方法，因此可以获得具有实际上足够高浓度的载体的碳化硅单晶。选择图：无

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