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1. 发明专利

JP2016033992A 半導体装置の製造方法、接合材および接合材の形成方法审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法，接合材料和接合材料形成方法
公开(公告)号：JP2016033992A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：JP2014156961
申请日：2014-07-31
申请人：富士電機株式会社 , 日産自動車株式会社 , カルソニックカンセイ株式会社 , サンケン電気株式会社 , 株式会社東芝 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人： ▲高▼橋弘樹 , 村上善則 , 安在岳士 , 佐藤伸二 , 谷澤秀和 , 樋山浩平 , 加藤史樹
IPC分类号： B23K35/30 , B23K20/00 , B23K20/24 , H01L21/52
CPC分类号： H01L2224/32225 , H01L2224/8384
摘要：【課題】所望の固相線温度をもつ接合材を用いて金属材同士を接合することができる半導体装置の製造方法、接合材および接合材の形成方法を提供すること。【解決手段】まず、絶縁基板1のおもて面側金属層12の表面に形成した多孔質層22bの上に、金属薄板23を載せる。金属薄板23は、第1金属と全率固溶系合金をなす第2金属と、第1金属と第1共晶点で共晶反応し第1共晶系合金をなす第3金属とにより構成される、第1共晶点よりも低い第2共晶点をもつ第2共晶系合金からなる。次に、金属薄板23の上に半導体チップ2を載せる。次に、第2共晶点よりも高く、かつ第1共晶点よりも低い第1温度で熱処理し金属薄板23を溶融させて多孔質層22bに浸透させる。次に、第1温度よりも高い第2温度で熱処理し多孔質層22bを溶融させ、金属薄板23の溶融物に第1金属を拡散させることにより、第1〜3金属の3元合金の接合層を形成する。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体器件制造方法，接合材料和接合材料形成方法，其可以通过使用具有预期固相线温度的接合材料来接合金属材料。解决方案：半导体器件制造方法包括以下步骤：：首先将金属板23放置在形成在绝缘基板1的表面侧金属层12的表面上的多孔层22b上，其中金属板23由第二共晶合金构成，第二共晶合金由第二金属成形具有第一金属的所有比例固溶体合金和通过在第一共晶点处与第一金属共晶反应形成第一共晶合金的第三金属，并且具有低于第一共晶点的第二共晶点; 随后将半导体芯片2放置在金属片23上; 随后通过在高于第二共晶点的第一温度并低于第一共晶点的热处理熔化金属板23以浸渍多孔层22b; 然后通过在高于第一温度的第二温度下的热处理熔化多孔层22b，并使第一金属分散到金属板23的熔融材料，从而形成第一至第三层的三元合金的接合层金属。图3

3. 发明专利

JP2016025237A 電力用半導体モジュール及びその実装方法审中-公开
标题翻译：功率半导体模块及其安装方法
公开(公告)号：JP2016025237A
公开(公告)日：2016-02-08
申请号：JP2014148849
申请日：2014-07-22
申请人：日産自動車株式会社 , 株式会社東芝 , 富士電機株式会社 , カルソニックカンセイ株式会社 , サンケン電気株式会社
发明人：村上善則 , 樋山浩平 , 高橋弘樹 , 安在岳士 , 佐藤伸二 , 谷澤秀和
IPC分类号： H01L25/18 , H01L21/603 , H01L25/07
CPC分类号： H01L2224/73203
摘要：【課題】2枚の絶縁型配線基板の間に挟み込んだ電力用半導体チップやその他の電気部品を歩留まりよく電気的に接続する。【解決手段】電力用トランジスタチップ4のソース電極41及びゲート電極43に、バンプ61、62の一端を接合する工程と、バンプ61、62の他端を、絶縁基板2上の導体箔21、23に接合する工程と、還流ダイオードチップ5のアノード電極51を絶縁基板2上の導体箔21にバンプ63で接続する工程と、絶縁基板2と、電力用トランジスタチップ4のドレイン電極42及び還流ダイオードチップ5のカソード電極52との間を加圧し、第1主面2aから測ったドレイン電極42及びカソード電極52の電極の高さを揃えるように、バンプ61、62、63を塑性変形させる工程と、ドレイン電極42及びカソード電極52をハンダ7で絶縁基板3上の導体箔31に接合する工程とを備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：将功率半导体芯片和夹在两个绝缘布线板之间的其他电气部件以高产率电连接。解决方案：功率半导体芯片的安装方法包括将凸块61,62的一端到功率晶体管芯片4的源电极41和栅极电极43，将凸块61,62的另一端接合到绝缘板2上的导体箔21,23的步骤，将绝缘板2的阳极电极51 具有通过凸块63在绝缘板2上的导体箔21的回流二极管芯片5，在功率晶体管芯片4的绝缘板2和漏电极42与回流二极管芯片的阴极电极52之间进行压缩的步骤 5，并使凸块61,62,63塑性变形，以便布置从第一主表面2a测得的漏电极42和阴极电极52的高度，以及接合漏电极42和阴极电极通过焊料将52延伸到绝缘板3上的导体箔31上。选择的图示：图1

4. 发明专利

JP6804181B2 電力用半導体モジュール及びその実装方法有权
公开(公告)号：JP6804181B2
公开(公告)日：2020-12-23
申请号：JP2014148849
申请日：2014-07-22
申请人：日産自動車株式会社 , 株式会社東芝 , 富士電機株式会社 , マレリ株式会社 , サンケン電気株式会社
发明人：村上善則 , 樋山浩平 , 高橋弘樹 , 安在岳士 , 佐藤伸二 , 谷澤秀和
IPC分类号： H01L25/18 , H01L21/603 , H01L25/07

5. 发明专利

JP6931869B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6931869B2
公开(公告)日：2021-09-08
申请号：JP2016206964
申请日：2016-10-21
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 富士電機株式会社 , サンケン電気株式会社 , 日産自動車株式会社
发明人：谷澤秀和 , 佐藤伸二 , 加藤史樹 , 佐藤弘 , 孝井健一 , 高橋弘樹 , 村上善則
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/60

7. 发明专利

JP6757006B2 半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6757006B2
公开(公告)日：2020-09-16
申请号：JP2016206965
申请日：2016-10-21
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 富士電機株式会社 , サンケン電気株式会社 , 日産自動車株式会社
发明人：谷澤秀和 , 佐藤伸二 , 岩渕昭夫 , 加藤史樹 , 佐藤弘 , 孝井健一 , 高橋弘樹 , 村上善則
IPC分类号： B23K1/20 , B23K1/00 , B23K101/40 , H01L21/52

9. 发明专利

JP5843535B2 半導体モジュール有权
公开(公告)号：JP5843535B2
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：JP2011200308
申请日：2011-09-14
申请人：サンケン電気株式会社 , 日産自動車株式会社 , 富士電機株式会社
发明人：佐藤伸二 , 図子祐輔 , 村上善則 , 谷本智 , 松井康平
IPC分类号： H02M1/08 , H03K17/04 , H03K17/687

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