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    • 4. 发明专利
    • 炭化珪素半導体装置
    • 硅碳化硅半导体器件
    • JP2016039193A
    • 2016-03-22
    • JP2014160036
    • 2014-08-06
    • 三菱電機株式会社
    • 小山 皓洋纐纈 英典
    • H01L21/822H01L27/04H01L29/47H01L29/872
    • 【課題】高速スイッチング時においても優れた逆回復サージ耐性を有する炭化珪素半導体装置を提供する。 【解決手段】ドリフト層2は、主面MSを部分的になしており、第1導電型を有する。内側不純物領域6Dは、ドリフト層2上に設けられており、主面MS上においてリング形状で延在しており、第2導電型を有する。誘電体層7は、主面MS上で内側不純物領域6Dを部分的に覆っており、内側不純物領域6D上の内縁を有する。アノード電極9に含まれるショットキー電極9aは主面MS上で誘電体層7の内側においてドリフト層2および内側不純物領域6Dに接している。アノード電極9は誘電体層7を介して内側不純物領域6Dと対向する部分を有する。アノード電極9と誘電体層7と内側不純物領域6Dとによって第1MISキャパシタ構造13Aが形成されている。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种在快速切换时具有优异的反向恢复浪涌电阻的碳化硅半导体器件。解决方案:一种碳化硅半导体器件包括:漂移层2,其一部分形成主表面MS,其中 具有第一导电类型; 内部杂质区域6D,其设置在漂移层2上并且在主表面MS上呈环状并且具有第二导电类型; 介电层7,其部分地覆盖主表面MS上的内部杂质区域6D,并且在内部杂质区域6D上具有内部边缘; 以及与主表面MS上的电介质层7内的漂移层2和内部杂质区域6D接触的阳极电极9中包含的肖特基电极9a。 阳极电极9具有与电介质层7的内部杂质区域6D相对的部分。阳极电极9,电介质层7和内部杂质区域6D形成第一MIS电容器结构13A。图1
    • 7. 发明专利
    • 炭化珪素半導体装置
    • 硅碳化硅半导体器件
    • JP2016058466A
    • 2016-04-21
    • JP2014181892
    • 2014-09-08
    • 三菱電機株式会社
    • 小山 皓洋
    • H01L29/12H01L27/04H01L21/822H01L29/78
    • 【課題】高周波スイッチング用途で用いられる半導体素子の活性領域を減らさずに、内蔵ゲート抵抗に大電流が流れた場合の発熱を抑制する技術を提供する。 【解決手段】本発明は、フィールド絶縁膜6と、内蔵ゲート抵抗8と、層間絶縁膜7と、ゲート配線(20)と、ゲート外部接続電極21とを備える。内蔵ゲート抵抗は、フィールド絶縁膜の上面に形成される。層間絶縁膜は、内蔵ゲート抵抗を覆って形成される。層間絶縁膜の厚さは、ゲートコンタクトホール19aとゲートコンタクトホール19bとの間の領域の少なくとも一部が、他の領域よりも薄い。 【選択図】図17
    • 要解决的问题:提供一种在不减少用于高频开关的半导体元件的有源区域的情况下在内置栅极电阻中流过大电流的情况下抑制发热的技术。解决方案:碳化硅半导体 器件包括场绝缘膜6,内置栅极电阻器8,层间绝缘膜7,栅极布线(20)和栅极外部连接电极21.内置栅极电阻器形成在 场绝缘膜。 层间绝缘膜形成为覆盖内置的栅极电阻。 在栅极接触孔19a和栅极接触孔19b之间的区域的至少一部分中的层间绝缘膜的厚度比其他区域薄。选择的图:图17