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1. 发明专利

JP2016039193A 炭化珪素半導体装置有权
标题翻译：硅碳化硅半导体器件
公开(公告)号：JP2016039193A
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：JP2014160036
申请日：2014-08-06
申请人：三菱電機株式会社
发明人：小山皓洋 , 纐纈英典
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/47 , H01L29/872
摘要：【課題】高速スイッチング時においても優れた逆回復サージ耐性を有する炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】ドリフト層2は、主面MSを部分的になしており、第1導電型を有する。内側不純物領域6Dは、ドリフト層2上に設けられており、主面MS上においてリング形状で延在しており、第2導電型を有する。誘電体層7は、主面MS上で内側不純物領域6Dを部分的に覆っており、内側不純物領域6D上の内縁を有する。アノード電極9に含まれるショットキー電極9aは主面MS上で誘電体層7の内側においてドリフト層2および内側不純物領域6Dに接している。アノード電極9は誘電体層7を介して内側不純物領域6Dと対向する部分を有する。アノード電極9と誘電体層7と内側不純物領域6Dとによって第1MISキャパシタ構造13Aが形成されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在快速切换时具有优异的反向恢复浪涌电阻的碳化硅半导体器件。解决方案：一种碳化硅半导体器件包括：漂移层2，其一部分形成主表面MS，其中具有第一导电类型; 内部杂质区域6D，其设置在漂移层2上并且在主表面MS上呈环状并且具有第二导电类型; 介电层7，其部分地覆盖主表面MS上的内部杂质区域6D，并且在内部杂质区域6D上具有内部边缘; 以及与主表面MS上的电介质层7内的漂移层2和内部杂质区域6D接触的阳极电极9中包含的肖特基电极9a。阳极电极9具有与电介质层7的内部杂质区域6D相对的部分。阳极电极9，电介质层7和内部杂质区域6D形成第一MIS电容器结构13A。图1

2. 发明专利

JP6611943B2 炭化珪素半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6611943B2
公开(公告)日：2019-11-27
申请号：JP2018528417
申请日：2017-05-19
申请人：三菱電機株式会社
发明人：小山皓洋 , 海老原洪平
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/739 , H01L29/06

3. 发明专利

JP2019161195A 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019161195A
公开(公告)日：2019-09-19
申请号：JP2018050233
申请日：2018-03-16
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 富士電機株式会社 , 三菱電機株式会社
发明人：小山皓洋 , 水島智教 , 米澤喜幸
IPC分类号： H01L29/41 , H01L21/28
摘要：【課題】従来例では実現できない電極とp型SiC層との間の低抵抗なオーミックコンタクト抵抗と表面荒れの抑制が両立することができる炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置は、第1導電型の炭化珪素基板1と、炭化珪素基板1の主面側、または、炭化珪素基板の主面とは反対側に設けられた第2導電型の炭化珪素半導体層3と、炭化珪素半導体層1に接触して配置される第2導電型のオーミックコンタクト電極6と、を備える。オーミックコンタクト電極6はチタンおよびアルミニウムを含む層の厚さが20nm以上150nm以下であり、かつチタンおよびアルミニウムを含む層全体に対して、アルミニウムの含有率が50原子%〜75原子%の間である。【選択図】図1

4. 发明专利

JP6065154B2 炭化珪素半導体装置有权
标题翻译：碳化硅半导体器件
公开(公告)号：JP6065154B2
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：JP2016500009
申请日：2014-12-15
申请人：三菱電機株式会社
发明人：海老原洪平 , 小山皓洋 , 纐纈英典 , 長江明美 , 川原洸太朗 , 渡邊寛 , 田口健介 , 日野史郎
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/872

5. 发明专利

JP2016058466A 炭化珪素半導体装置审中-公开
标题翻译：硅碳化硅半导体器件
公开(公告)号：JP2016058466A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014181892
申请日：2014-09-08
申请人：三菱電機株式会社
发明人：小山皓洋
IPC分类号： H01L29/12 , H01L27/04 , H01L21/822 , H01L29/78
摘要：【課題】高周波スイッチング用途で用いられる半導体素子の活性領域を減らさずに、内蔵ゲート抵抗に大電流が流れた場合の発熱を抑制する技術を提供する。【解決手段】本発明は、フィールド絶縁膜6と、内蔵ゲート抵抗8と、層間絶縁膜7と、ゲート配線(20)と、ゲート外部接続電極21とを備える。内蔵ゲート抵抗は、フィールド絶縁膜の上面に形成される。層間絶縁膜は、内蔵ゲート抵抗を覆って形成される。層間絶縁膜の厚さは、ゲートコンタクトホール19aとゲートコンタクトホール19bとの間の領域の少なくとも一部が、他の領域よりも薄い。【選択図】図17
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在不减少用于高频开关的半导体元件的有源区域的情况下在内置栅极电阻中流过大电流的情况下抑制发热的技术。解决方案：碳化硅半导体器件包括场绝缘膜6，内置栅极电阻器8，层间绝缘膜7，栅极布线（20）和栅极外部连接电极21.内置栅极电阻器形成在场绝缘膜。层间绝缘膜形成为覆盖内置的栅极电阻。在栅极接触孔19a和栅极接触孔19b之间的区域的至少一部分中的层间绝缘膜的厚度比其他区域薄。选择的图：图17

6. 发明专利

JP2021015880A 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021015880A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：JP2019129407
申请日：2019-07-11
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 富士電機株式会社 , 三菱電機株式会社 , 一般財団法人電力中央研究所
发明人：中山浩二 , 染谷満 , 小山皓洋 , 木内祐治 , 俵武志 , 水島智教 , 松永慎一郎 , 竹中研介 , 武井学 , 米澤喜幸 , 土田秀一 , 村田晃一
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/74 , H01L29/739
摘要：【課題】p型半導体基板を用いたバイポーラ型炭化珪素半導体素子において、素子端部のキャリアの再結合を減少させ、順方向電圧増大を抑制することができる炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置60は、活性領域51と、前記活性領域の外側に配置された終端構造部52と、を有する。炭化珪素半導体装置60は、第2導電型の半導体基板1、第2導電型の第1半導体層2と、第1導電型の第2半導体層4と、第2導電型の第1半導体領域6と、第1導電型の第2半導体領域7と、ゲート絶縁膜9と、ゲート電極10と、第1電極11と、第2電極12と、を備える。終端構造部52における第2半導体層4の端部Tの通電時の電子密度または正孔の密度の小さい方の密度は、1×10 15 /cm 3 以下である。【選択図】図1

7. 发明专利

JPWO2018016165A1 炭化珪素半導体装置およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018016165A1
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：JP2017018816
申请日：2017-05-19
申请人：三菱電機株式会社
发明人：小山皓洋 , 海老原洪平
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/739 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/872
摘要：半導体層(2)は、炭化珪素から作られており、素子領域(RE)と素子領域(RE)の外側の終端領域(RT)とを有しており、n型を有している。複数のフィールドリミッティングリング領域(5)は、半導体層(2)の終端領域(RT)に設けられており、p型を有しており、互いに離れて配置されている。フィールド絶縁膜(7)は、半導体層(2)の終端領域(RT)上に設けられており、フィールドリミッティングリング領域(5)および半導体層(2)に接している。フィールドリミッティングリング領域(5)の各々は、フィールド絶縁膜(7)に接しかつハロゲン族原子を含有するハロゲン含有フィールドリミッティングリング部(5h)を含む。

8. 发明专利

JP6238854B2 炭化珪素半導体装置有权
公开(公告)号：JP6238854B2
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：JP2014160036
申请日：2014-08-06
申请人：三菱電機株式会社
发明人：小山皓洋 , 纐纈英典
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/47 , H01L29/872

9. 发明专利

JP2020205295A 炭化珪素半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020205295A
公开(公告)日：2020-12-24
申请号：JP2019110870
申请日：2019-06-14
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 富士電機株式会社 , 三菱電機株式会社
发明人：松永慎一郎 , 木内祐治 , 小山皓洋 , 米澤喜幸
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/06
摘要：【課題】活性化アニール前後での不純物のドーズ量の減少を抑制することができる炭化珪素半導体装置を提供すること。【解決手段】n - 型炭化珪素層内にp型領域を形成するにあたって、SiC基板のおもて面からn - 型炭化珪素層に、1段もしくは異なる加速電圧で複数段に分けて所定の総ドーズ量となるようにp型不純物であるアルミニウムをイオン注入する。このイオン注入は、SiC基板のおもて面から0.18μm以上0.35μm未満の深さ位置を飛程として行う。このイオン注入によるp型不純物の総ドーピング濃度分布60は、上記飛程の深さ位置の範囲内でピーク濃度を示す。その後の活性化アニールにおいてSiC基板中のp型不純物はほぼ移動しない。活性化アニール後のp型領域の、イオン注入面から0.1μm以下の部分60a中に存在するp型ドーパントのドーズ量は、n - 型炭化珪素層にイオン注入されたp型不純物の総ドーズ量の10%未満である。【選択図】図3

10. 发明专利

JP6104363B2 炭化珪素半導体装置の製造方法および通電検査装置有权
公开(公告)号：JP6104363B2
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：JP2015506707
申请日：2014-03-10
申请人：三菱電機株式会社
发明人：渡辺昭裕 , 小山皓洋 , 山本茂久 , 中尾之泰 , 小西和也
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/329 , G01R31/26
CPC分类号： G01R31/2632 , G01R31/2648 , G01R31/2855 , G01R31/2877 , H01L21/565 , H01L22/14 , H01L29/1608 , H01L29/32 , H01L29/66068 , H01L29/7805 , H01L2924/0002

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