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1. 发明专利

JP6752336B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6752336B2
公开(公告)日：2020-09-09
申请号：JP2019132446
申请日：2019-07-18
申请人：三菱電機株式会社
发明人：日野史郎 , 貞松康史 , 八田英之 , 永久雄一 , 海老原洪平
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/872 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/47 , H01L29/78

2. 发明专利

JP6611960B2 炭化珪素半導体装置および電力変換装置有权
公开(公告)号：JP6611960B2
公开(公告)日：2019-11-27
申请号：JP2018548948
申请日：2017-10-24
申请人：三菱電機株式会社
发明人：山城祐介 , 須賀原和之 , 渡邊寛 , 海老原洪平
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/06 , H01L29/872 , H01L29/47 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L21/822 , H01L27/04 , H02M7/48 , H01L29/78

3. 发明专利

JPWO2018016165A1 炭化珪素半導体装置およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018016165A1
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：JP2017018816
申请日：2017-05-19
申请人：三菱電機株式会社
发明人：小山皓洋 , 海老原洪平
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/739 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/872
摘要：半導体層(2)は、炭化珪素から作られており、素子領域(RE)と素子領域(RE)の外側の終端領域(RT)とを有しており、n型を有している。複数のフィールドリミッティングリング領域(5)は、半導体層(2)の終端領域(RT)に設けられており、p型を有しており、互いに離れて配置されている。フィールド絶縁膜(7)は、半導体層(2)の終端領域(RT)上に設けられており、フィールドリミッティングリング領域(5)および半導体層(2)に接している。フィールドリミッティングリング領域(5)の各々は、フィールド絶縁膜(7)に接しかつハロゲン族原子を含有するハロゲン含有フィールドリミッティングリング部(5h)を含む。

4. 发明专利

JP2016100455A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016100455A
公开(公告)日：2016-05-30
申请号：JP2014236248
申请日：2014-11-21
申请人：三菱電機株式会社
发明人：田口健介 , 海老原洪平
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要：【課題】半導体装置のターンオフ時に、活性領域と終端領域の接続部で引き起こされる熱破壊を抑制させた半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】炭化珪素基板30を用いた半導体装置であって、炭化珪素基板30の一部であり、炭化珪素基板30内に形成されたpn接合を含み、半導体装置に電圧を印加したときに電流が流れる活性領域15と、炭化珪素基板30の一部であり、活性領域15の周囲に沿って形成された終端領域16とを備え、活性領域15内の少数キャリアのライフタイムが、終端領域16内の少数キャリアのライフタイムよりも長いことを特徴とする。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在半导体器件关断时抑制在有源区和终端区的连接部处发生热破坏的半导体器件。解决方案：使用碳化硅衬底30的半导体器件包括：有源区15，其是碳化硅衬底30的一部分并且包括形成在碳化硅衬底30中的pn结，并且当电压施加到半导体器件时电流流动; 以及终止区域16，其是碳化硅衬底30的沿着有源区域15的周边形成的一部分，其中有源区域15中的少数载流子寿命长于终止区域中的少数载流子寿命图2

5. 发明专利

JPWO2020157815A1 半導体装置および電力変換装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020157815A1
公开(公告)日：2021-09-30
申请号：JP2019002855
申请日：2019-01-29
申请人：三菱電機株式会社
发明人：海老原洪平 , 日野史郎 , 宮崎光介 , 高木保志
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/12
摘要：半導体基板の厚み方向に主電流が流れる半導体装置に関し、半導体基板は、第1導電型の半導体層と、半導体層の上層部に設けられた第2の導電型のウェル領域とを有し、半導体装置は、第1の主面とは反対側の第2の主面上に設けられた表面電極と、第1の主面上に設けられた裏面電極と、表面電極の端縁部および半導体基板の外側領域の少なくとも一部を覆う上面膜と、を備え、ウェル領域は、表面電極の端面よりも外側の外側領域の方に延在する部分と、表面電極の前記端面よりも内側の内側領域の方に延在する部分とを有し、表面電極は、内側領域の少なくとも一部を覆うと共にウェル領域に電気的に接続され、上面膜は、外側領域の表面電極から離れ、表面電極の外周に沿って設けられた少なくとも1つの外周開口部を有する。

6. 发明专利

JP6621925B2 半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6621925B2
公开(公告)日：2019-12-18
申请号：JP2018528439
申请日：2017-06-05
申请人：三菱電機株式会社
发明人：濱田憲治 , 小西和也 , 海老原洪平
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/12 , H01L21/265 , H01L21/263 , H01L21/336

7. 发明专利

JPWO2017212773A1 半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017212773A1
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：JP2017014675
申请日：2017-04-10
申请人：三菱電機株式会社
发明人：濱田憲治 , 海老原洪平
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/78
摘要：本発明は、スーパージャンクション構造においてセル領域だけでなく終端領域でも良好に耐圧を確保することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。本発明による半導体装置は、セル領域(CL)と終端領域(ET)とを有する半導体装置(1)であって、SiC基板(2)上において厚さ方向に延在しかつ厚さ方向に対して垂直方向にセル領域(CL)から終端領域(ET)に渡って交互に形成された第1導電型のドリフト領域(3)および第2導電型のピラー領域(4)と、終端領域(ET)において複数のピラー領域(4)にまたがって形成されドリフト領域(3)およびピラー領域(4)の表面から厚さ方向に形成されたリサーフ層(10)と、リサーフ層(10)の表面内に形成された、リサーフ層(10)よりも不純物濃度が高い第2導電型の高濃度領域(11)とを備え、高濃度領域(11)の厚さ方向の下方にはピラー領域(4)が形成されていない。

8. 发明专利

JP6241572B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6241572B2
公开(公告)日：2017-12-06
申请号：JP2017512488
申请日：2015-04-14
申请人：三菱電機株式会社
发明人：海老原洪平 , 渡邊寛
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/402 , H01L29/78 , H01L29/8611 , H01L29/7395

9. 发明专利

JP6611943B2 炭化珪素半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6611943B2
公开(公告)日：2019-11-27
申请号：JP2018528417
申请日：2017-05-19
申请人：三菱電機株式会社
发明人：小山皓洋 , 海老原洪平
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/739 , H01L29/06

10. 发明专利

JPWO2018016208A1 半導体装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018016208A1
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：JP2017020812
申请日：2017-06-05
申请人：三菱電機株式会社
发明人：濱田憲治 , 小西和也 , 海老原洪平
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/12 , H01L21/265 , H01L21/263 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78
摘要：ラッチアップ破壊耐量を向上させることが可能な技術を提供することを目的とする。半導体装置は、エミッタ領域と、ベースコンタクト領域と、埋め込み領域と、キャリアトラップ領域とを備える。エミッタ領域及びベースコンタクト領域は、互いに隣接された状態で、ベース領域の上面内に選択的に配設されている。埋め込み領域は、ベースコンタクト領域またはエミッタ領域の下方のドリフト領域内に配設されている。キャリアトラップ領域は、埋め込み領域とベース領域との間に配設され、キャリア寿命がドリフト領域よりも低い。

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