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1. 发明专利

JP6873273B2 炭化珪素半導体装置および電力変換装置有权
公开(公告)号：JP6873273B2
公开(公告)日：2021-05-19
申请号：JP2019561117
申请日：2018-12-18
申请人：三菱電機株式会社
发明人：日野史郎 , 永久雄一 , 貞松康史 , 八田英之 , 川原洸太朗
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/872 , H01L29/78

2. 发明专利

JP6641488B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6641488B2
公开(公告)日：2020-02-05
申请号：JP2018535492
申请日：2017-06-26
申请人：三菱電機株式会社
发明人：中尾之泰 , 海老原洪平 , 日野史郎
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/872 , H01L29/41 , H01L29/78

3. 发明专利

JP6498363B2 炭化珪素半導体装置および電力変換装置有权
公开(公告)号：JP6498363B2
公开(公告)日：2019-04-10
申请号：JP2018536897
申请日：2018-02-22
申请人：三菱電機株式会社
发明人：八田英之 , 日野史郎 , 貞松康史 , 永久雄一
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L29/78

4. 发明专利

JPWO2018037701A1 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018037701A1
公开(公告)日：2019-02-14
申请号：JP2017023349
申请日：2017-06-26
申请人：三菱電機株式会社
发明人：中尾之泰 , 海老原洪平 , 日野史郎
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/872 , H01L29/41 , H01L29/78
摘要：ゲート絶縁膜の破壊を抑制可能な技術を提供することを目的とする。半導体装置は、MOSFETであって、ショットキーバリアダイオードを内蔵する複数の半導体スイッチング素子と、ウェル領域のうち規定領域と逆側の第1領域上方に配設され、当該第1領域と電気的に接続された第1オーミック電極と、ウェル領域の第1領域において露出された半導体層上に配設された第1ショットキー電極と、第1オーミック電極及び第1ショットキー電極と電気的に接続されるとともに、ソース電極と電気的に接続された配線とを備える。

5. 发明专利

JP6289600B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6289600B2
公开(公告)日：2018-03-07
申请号：JP2016249358
申请日：2016-12-22
申请人：三菱電機株式会社
发明人：三浦成久 , 中田修平 , 大塚健一 , 渡辺昭裕 , 日野史郎 , 今泉昌之
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/78

6. 发明专利

JPWO2017010164A1 電力用半導体装置有权
公开(公告)号：JPWO2017010164A1
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：JP2017528315
申请日：2016-05-17
申请人：三菱電機株式会社
发明人：田口健介 , 香川泰宏 , 田中梨菜 , 福井裕 , 菅原勝俊 , 日野史郎
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/872
CPC分类号： H01L21/28 , H01L27/04 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/872
摘要：第1の導電型の第1の半導体領域(11)上に第2の導電型の第2の半導体領域(12)が設けられ、その上に第1の導電型の第3の半導体領域(13)が設けられている。第2の導電型の第4の半導体領域(14)は、第2の半導体領域(12)よりも深く設けられた部分を有している。ゲート電極(30)は第1のトレンチ(TR1)内でゲート絶縁膜(20)上に設けられている。第1の主電極(31)は第1の半導体領域(11)に電気的に接続されている。第2の主電極(32)は、第3の半導体領域(13)にオーミック接続されており、第2のトレンチ(TR2)の底部上で第4の半導体領域(14)にオーミック接続されている。ショットキー電極(34)は第2のトレンチ(TR2)の底部上で第1の半導体領域(11)にショットキー接続されている。

7. 发明专利

JP6173924B2 電力用半導体装置有权
公开(公告)号：JP6173924B2
公开(公告)日：2017-08-02
申请号：JP2014001303
申请日：2014-01-08
申请人：三菱電機株式会社
发明人：日野史郎 , 三浦成久 , 中田修平 , 大塚健一 , 渡辺昭裕 , 古川彰彦 , 中尾之泰 , 今泉昌之
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/1095 , H01L29/66068 , H01L29/7805 , H01L29/7811 , H01L29/8611 , H01L29/0615 , H01L29/0638 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/402 , H01L29/42372 , H01L29/7395

8. 发明专利

JP2016004955A 炭化珪素半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：硅碳化硅半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016004955A
公开(公告)日：2016-01-12
申请号：JP2014125922
申请日：2014-06-19
申请人：三菱電機株式会社
发明人：貞松康史 , 日野史郎
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/266 , H01L21/265 , H01L29/78
摘要：【課題】本発明は、チャネル抵抗の低減とJFET抵抗の低減を両立する炭化珪素半導体装置及びその製造方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明の炭化珪素半導体装置は、第1導電型の炭化珪素基板と、炭化珪素基板の主面上の第1導電型のドリフト層と、ドリフト層の表層に、互いに離間して設けられた第2導電型のウェル領域と、を備え、ウェル領域は、その第2導電型不純物濃度が深さ方向に400nm以下の範囲で1×10 18 cm −3 からドリフト層における第1導電型不純物濃度に等しい濃度まで減少するレトログレードプロファイルを有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种碳素硅半导体器件及其制造方法，其同时支持沟道电阻的降低和JFET电阻的降低。本发明的碳化硅半导体器件包括：a 第一导电型碳化硅衬底; 在碳化硅衬底的主表面上的第一导电型漂移层; 以及在漂移层的表面层中彼此间隔设置的第二导电类型阱区。阱区具有逆向剖面，其中第二导电类型杂质浓度在深度方向上从高达400nm的范围减小到1×10cm至在漂移层中具有第一导电类型杂质浓度的等效浓度。

9. 发明专利

JP5815882B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5815882B2
公开(公告)日：2015-11-17
申请号：JP2014534155
申请日：2013-04-11
申请人：三菱電機株式会社
发明人：日野史郎 , 三浦成久 , 今泉昌之
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L21/28 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/04
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L29/0878 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7806 , H01L29/7813 , H01L29/872 , H01L29/0696

10. 发明专利

JP5750948B2 炭化珪素半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP5750948B2
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：JP2011054398
申请日：2011-03-11
申请人：三菱電機株式会社
发明人：谷岡寿一 , 古橋壮之 , 渡辺友勝 , 香川泰宏 , 日野史郎 , 今泉昌之
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/78

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