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1. 发明专利

JP6620670B2 単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法有权
公开(公告)号：JP6620670B2
公开(公告)日：2019-12-18
申请号：JP2016098073
申请日：2016-05-16
申请人：信越半導体株式会社
发明人：高野清隆 , 菅原孝世 , 太田友彦 , 浦野雅彦
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00

2. 发明专利

JP2017206400A 単結晶と原料融液との間の固液界面高さを求める方法及び単結晶の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017206400A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：JP2016098509
申请日：2016-05-17
申请人：信越半導体株式会社
发明人：鎌田洋之 , 高野清隆 , 星亮二
IPC分类号： C30B15/22 , C30B29/06
摘要：【課題】単結晶と原料融液との間の固液界面形状を求める際に、ワイヤーの伸びによる計算結果への影響を防ぐことができる方法を提供する。【解決手段】単結晶を成長させる際の、単結晶と原料融液との間の固液界面高さを求める方法であって、単結晶の引き上げ中において、結晶重量検出手段を用いて単結晶の測定重量を測定する工程と、単結晶の引き上げ中あるいは引き上げ後に、単結晶の結晶長さ及び結晶直径から単結晶の計算重量を計算する工程と、測定重量と計算重量との差に基づいて、固液界面高さを計算により求める工程とを有し、計算重量を計算する工程において、単結晶の結晶長さとして、ワイヤードラムの回転角から求めた単結晶の長さにワイヤーの伸び分を補正して求めた結晶長さ、あるいは、種結晶の位置を直接計測する手段を用いて測定された結晶長さを用いることを特徴とする単結晶と原料融液との間の固液界面高さを求める方法。【選択図】図1

3. 发明专利

JP6222013B2 抵抗率制御方法有权
公开(公告)号：JP6222013B2
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：JP2014175999
申请日：2014-08-29
申请人：信越半導体株式会社
发明人：星亮二 , 鎌田洋之 , 高野清隆
IPC分类号： C30B15/04 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/04 , C30B15/20 , C30B29/06 , H01L29/167 , H01L29/7393

4. 发明专利

JP2017057127A 単結晶引き上げ装置、及び単結晶引き上げ方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017057127A
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2015185654
申请日：2015-09-18
申请人：信越半導体株式会社
发明人：高野清隆
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00
CPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06
摘要：【課題】育成する単結晶中の酸素濃度を低減できるとともに、育成する単結晶中の成長縞を抑制することができる単結晶引き上げ装置を提供する。【解決手段】溶融した単結晶材料が収容される坩堝が配置され中心軸を有する引き上げ炉と、引き上げ炉の周囲に設けられ超電導コイルを有する磁場発生装置とを備えた単結晶引き上げ装置であって、磁場発生装置は、超電導コイルのコイル軸を含む水平面内の中心軸における磁力線方向をX軸としたときにX軸上の磁束密度分布が上に凸の分布であり、水平面内の中心軸における磁束密度を磁束密度設定値とした場合、X軸上の磁束密度は坩堝壁では磁束密度設定値の80%以下となると同時に、水平面内においてX軸と直交し中心軸を通るY軸上の磁束密度分布が下に凸の分布であり、Y軸上の磁束密度は坩堝壁では磁束密度設定値の140%以上となるように、磁場分布を発生させるものであることを特徴とする単結晶引き上げ装置。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2016132580A シリコン単結晶の製造方法有权
标题翻译：生产硅胶单晶的方法
公开(公告)号：JP2016132580A
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：JP2015006708
申请日：2015-01-16
申请人：信越半導体株式会社
发明人：木村明浩 , 菅原孝世 , 小内駿英 , 高野清隆
IPC分类号： C30B29/06
摘要：【課題】石英ルツボにおける育成工程前後での原料融液面の高さ位置の変化量よりも短い発熱部のヒーターを用いた場合でも、シリコン単結晶の有転位化を抑制することができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】ヒーターの発熱部の長さを、育成工程開始時の石英ルツボにおける初期原料融液面位置(初期ML)と、前記育成工程終了時の石英ルツボにおける終了原料融液面位置(終了ML)との間の距離より短くし、熟成工程は、原料融液に磁場を印加しながら前記原料融液を放置する第一熟成工程と、その後、前記原料融液への磁場の印加を止めて、前記原料融液を放置する第二熟成工程を含み、前記第一熟成工程及び前記第二熟成工程を、前記ヒーターの発熱部の移動範囲が、少なくとも前記初期MLから前記終了MLまでの領域となるように、前記ヒーターを石英ルツボに対して相対的に上下に移動させて行うことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种制造硅酮单晶的方法，即使使用具有发热部的加热器，也能够抑制硅酮单晶中的位错的发生，发热部的长度短于变化量在石英坩埚中的生长步骤之前和之后的材料熔融表面的高度位置。提供了制造硅单晶的方法，其中：加热器的发热部分的长度短于初始材料熔体之间的距离在生长步骤完成时石英坩埚中的生长步骤开始时的表面位置（初始ML）和完成材料熔融表面位置（完成ML）; 成熟步骤包括在材料熔体施加磁场的同时使材料熔融物保持原样的第一成熟步骤，以及随后的第二成熟步骤，终止对材料熔体施加磁场并使材料熔化; 第一成熟步骤和第二熟化步骤通过使加热器相对于石英坩埚垂直移动，使加热器的发热部分的运动范围至少在从初始ML到完成ML.SELECTED图：图1

6. 发明专利

JP2020183334A 単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020183334A
公开(公告)日：2020-11-12
申请号：JP2019088473
申请日：2019-05-08
申请人：信越半導体株式会社
发明人：高野清隆 , 矢島渉 , 菅原孝世 , 鎌田洋之 , 太田友彦
IPC分类号： C30B15/00
摘要：【課題】単結晶引き上げ装置の解体・セット時に磁場発生装置を移動させる必要がなく、育成する単結晶中の酸素濃度を低減できるとともに、育成する単結晶中の成長縞を抑制することができる単結晶引き上げ装置を提供する。【解決手段】加熱ヒーター及び坩堝が配置され中心軸を有する引き上げ炉と、超電導コイルを有する磁場発生装置とを備える単結晶引き上げ装置であって、磁場発生装置は、超電導コイルを4個有し、4個の超電導コイルの全てのコイル軸が含まれる水平面内の中心軸における磁力線方向であるX軸と引き上げ炉の中心軸を含む断面で分けられる両領域に、それぞれ2個ずつの超電導コイルが断面に対して線対称に配置されており、4個の超電導コイルは、いずれもコイル軸がY軸に対して−30°超30°未満の角度の範囲となるよう配置されており、その磁力線の方向は、断面に対して線対称であり、領域のそれぞれにおいて、2個の超電導コイルは、発生する磁力線の方向が逆である単結晶引き上げ装置。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2019196289A 単結晶の製造方法及び単結晶引き上げ装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019196289A
公开(公告)日：2019-11-14
申请号：JP2018092144
申请日：2018-05-11
申请人：信越半導体株式会社
发明人：鎌田洋之 , 高野清隆
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20
摘要：【課題】低酸素濃度でかつ面内分布のよい単結晶を得るための方法の提供。【解決手段】水平磁場印加チョクラルスキー法を用いた単結晶3の製造方法であって、回転可能に坩堝6が配置された引き上げ炉1の周囲に設けられた水平磁場を発生させるコイル4のコイル軸12を含む水平面11と、坩堝6の回転中心軸9との交点における磁力線7方向をX軸としたとき、X軸と坩堝内周との交点のいずれか1つを始点(θ=0°)として、回転中心軸9周りに85° 【選択図】図1

8. 发明专利

JP6547677B2 単結晶と原料融液との間の固液界面高さを求める方法及び単結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6547677B2
公开(公告)日：2019-07-24
申请号：JP2016098509
申请日：2016-05-17
申请人：信越半導体株式会社
发明人：鎌田洋之 , 高野清隆 , 星亮二
IPC分类号： C30B15/22 , C30B29/06

9. 发明专利

JP6544275B2 シリコン単結晶の加工方法有权
公开(公告)号：JP6544275B2
公开(公告)日：2019-07-17
申请号：JP2016054919
申请日：2016-03-18
申请人：信越半導体株式会社
发明人：高野清隆 , 小内駿英 , 菅原孝世 , 鎌田洋之 , 高沢雅紀 , 星亮二 , 太田友彦 , 三木克彦
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/22 , C30B33/00 , B24B5/04 , H01L21/304

10. 发明专利

JP6308138B2 シリコン単結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6308138B2
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：JP2015006708
申请日：2015-01-16
申请人：信越半導体株式会社
发明人：木村明浩 , 菅原孝世 , 小内駿英 , 高野清隆
IPC分类号： C30B29/06

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