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1. 发明专利

JP6544275B2 シリコン単結晶の加工方法有权
公开(公告)号：JP6544275B2
公开(公告)日：2019-07-17
申请号：JP2016054919
申请日：2016-03-18
申请人：信越半導体株式会社
发明人：高野清隆 , 小内駿英 , 菅原孝世 , 鎌田洋之 , 高沢雅紀 , 星亮二 , 太田友彦 , 三木克彦
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/22 , C30B33/00 , B24B5/04 , H01L21/304

2. 发明专利

JP2016223976A 不純物分析方法及びシリコン結晶の評価方法审中-公开
标题翻译：为杂质分析方法评价方法和硅晶体
公开(公告)号：JP2016223976A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：JP2015112351
申请日：2015-06-02
申请人：信越半導体株式会社
发明人：星亮二 , 菅原孝世 , 岡井篤志 , 太田友彦 , 三木克彦
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20 , G01N33/20
摘要：【課題】チョクラルスキー(CZ)法でシリコン結晶を育成した後の残湯から、不純物を高精度に分析することが可能な不純物分析方法を提供することを目的とする。【解決手段】CZ法によってシリコン結晶をルツボに収容されているシリコン溶融液から引上げた後に、ルツボ内のシリコン溶融液の残湯の不純物を分析する方法であって、ルツボにシリコン原料を投入し加熱して溶融し、シリコン溶融液からCZ法を用いてシリコン結晶を育成した後に、シリコン原料をルツボに追加投入して溶融し、再度シリコン結晶を育成することで、一つのルツボから2本以上のシリコン結晶を育成するマルチ操業を実施し、マルチ操業において、ルツボに投入されたシリコン原料の総重量に対するマルチ操業で育成されたシリコン結晶の総重量の割合である総合固化率を0.90以上として、マルチ操業におけるシリコン結晶育成後のルツボ内の残湯の不純物を分析する。【選択図】図6
摘要翻译：从剩余的水中的硅晶体提拉（CZ）方法之后生长的，其目的在于提供一种能够以高准确度分析的杂质的杂质分析方法。拉起后从通过CZ法坩埚中所含的硅熔体中的硅晶体中，在坩埚内的硅熔融液分析所述剩余热水中的杂质的方法，该硅原料装入坩埚加热至熔化，生长使用CZ法从硅熔体硅晶体之后，将硅原料被熔化通过加入装入坩埚中，通过从一个坩埚中再次生长硅晶体，两个或更多进行多操作以促进所述硅晶体，在多操作，整体凝固速率是由多操作生长至硅原料的装入坩埚作为0.90或更高的总重量计的硅晶体的总重量的百分比，在多操作的硅晶体生长后，通过分析在坩埚中的剩余热水杂质。点域6

3. 发明专利

JP6439593B2 不純物分析方法及びシリコン結晶の評価方法有权
公开(公告)号：JP6439593B2
公开(公告)日：2018-12-19
申请号：JP2015112351
申请日：2015-06-02
申请人：信越半導体株式会社
发明人：星亮二 , 菅原孝世 , 岡井篤志 , 太田友彦 , 三木克彦
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20 , G01N33/20

4. 发明专利

JP2017168771A シリコン単結晶の加工方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017168771A
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：JP2016054919
申请日：2016-03-18
申请人：信越半導体株式会社
发明人：高野清隆 , 小内駿英 , 菅原孝世 , 鎌田洋之 , 高沢雅紀 , 星亮二 , 太田友彦 , 三木克彦
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/22 , C30B33/00 , B24B5/04 , H01L21/304
摘要：【課題】CZ法により育成した単結晶シリコンインゴットをスライス用インゴットに加工する際に、単結晶シリコンインゴットの直胴部の周辺部において点欠陥が外方拡散することによる、欠陥分布が湾曲した領域を含まないスライス用インゴットを簡便に加工することができるシリコン単結晶の加工方法を提供することを目的とする。【解決手段】チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶インゴットをスライス用インゴットに加工する方法であって、育成したシリコン単結晶インゴットの直胴部から、円柱状のシリコン単結晶を成長軸方向に同心円状にくり貫いてスライス用インゴットに加工するシリコン単結晶の加工方法。【選択図】図1

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