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1. 发明专利

JP2020132483A CZシリコン単結晶製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020132483A
公开(公告)日：2020-08-31
申请号：JP2019029442
申请日：2019-02-21
申请人：信越半導体株式会社
发明人：菅原孝世 , 柳瀬和也 , 猪越浩一 , 星亮二
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06
摘要：【課題】 DFS法において、コーン工程時間の長時間化による生産性悪化、コーン重量増加による歩留りを低下させることなくコーン工程を実施するとともに、コーン工程のバラツキによる炉内熱環境バラツキを低減し、ウェーハの品質を向上し、製品歩留り向上するCZシリコン単結晶製造方法を提供する。【解決手段】 DFS法による種付け工程と、結晶径安定化工程と、コーン部を形成するコーン工程と、直胴部を形成する直胴工程とを含むCZシリコン単結晶成長方法であって、前記結晶径安定化工程で引き上げた結晶の結晶径を計測し、予め定められた結晶の基準径に対する前記計測した前記結晶径のズレ量を計算し、前記ズレ量に応じて前記コーン工程におけるヒーター出力の補正量を算出し、前記コーン工程において、前記補正量を用いてヒーター出力値の補正を行ってコーンを形成するCZシリコン単結晶製造方法。【選択図】図2

2. 发明专利

JP2020033217A 単結晶育成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020033217A
公开(公告)日：2020-03-05
申请号：JP2018160522
申请日：2018-08-29
申请人：信越半導体株式会社
发明人：星亮二 , 三原佳祐 , 菅原孝世 , 松本克
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06
摘要：【課題】シリコン原料の高純度化と単結晶育成をひとつのCZ引上げ機で行い、不純物濃度を低減した単結晶を育成する方法を提供する。【解決手段】チョクラルスキー法(CZ法)又は磁場印加CZ法(MCZ法)による単結晶育成方法であって、ルツボ中に装填されたシリコン原料を溶融し溶融液とする第1の工程と、前記溶融液の一部を固化し固化層を形成する第2の工程と、前記固化層と前記溶融液とが共存する状態で、前記溶融液の少なくとも一部を除去する第3の工程と、前記固化層を溶融して溶融液とする第4の工程と、該溶融液からシリコン単結晶を育成する第5の工程とを含む単結晶育成方法。【選択図】図1

3. 发明专利

JP6645409B2 シリコン単結晶製造方法有权
公开(公告)号：JP6645409B2
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：JP2016238943
申请日：2016-12-09
申请人：信越半導体株式会社
发明人：菅原孝世 , 星亮二
IPC分类号： C30B29/06

4. 发明专利

JP6558308B2 シリコンウェーハの高感度欠陥評価方法およびシリコン単結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6558308B2
公开(公告)日：2019-08-14
申请号：JP2016114608
申请日：2016-06-08
申请人：信越半導体株式会社
发明人：菅原孝世 , 星亮二
IPC分类号： G01N21/956 , C30B29/06 , H01L21/324 , H01L21/322 , H01L21/66

5. 发明专利

JP2018095490A シリコン単結晶製造方法、シリコン単結晶、及びシリコン単結晶ウェーハ审中-公开
公开(公告)号：JP2018095490A
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：JP2016238943
申请日：2016-12-09
申请人：信越半導体株式会社
发明人：菅原孝世 , 星亮二
IPC分类号： C30B29/06
摘要：【課題】高生産性・高歩留まりが可能となるMCZ法においても、結晶変形を抑制して、直径300mm以上の大口径結晶が製造可能となるシリコン単結晶製造方法を提供する。【解決手段】原料融液に磁場を印加してチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を引上げる際、シリコン単結晶の成長軸方位をとし、原料融液表面における中心磁場強度を0.2T以上0.29T以下として磁場を印加しつつシリコン単結晶の成長を行なうシリコン単結晶製造方法。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2016223976A 不純物分析方法及びシリコン結晶の評価方法审中-公开
标题翻译：为杂质分析方法评价方法和硅晶体
公开(公告)号：JP2016223976A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：JP2015112351
申请日：2015-06-02
申请人：信越半導体株式会社
发明人：星亮二 , 菅原孝世 , 岡井篤志 , 太田友彦 , 三木克彦
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20 , G01N33/20
摘要：【課題】チョクラルスキー(CZ)法でシリコン結晶を育成した後の残湯から、不純物を高精度に分析することが可能な不純物分析方法を提供することを目的とする。【解決手段】CZ法によってシリコン結晶をルツボに収容されているシリコン溶融液から引上げた後に、ルツボ内のシリコン溶融液の残湯の不純物を分析する方法であって、ルツボにシリコン原料を投入し加熱して溶融し、シリコン溶融液からCZ法を用いてシリコン結晶を育成した後に、シリコン原料をルツボに追加投入して溶融し、再度シリコン結晶を育成することで、一つのルツボから2本以上のシリコン結晶を育成するマルチ操業を実施し、マルチ操業において、ルツボに投入されたシリコン原料の総重量に対するマルチ操業で育成されたシリコン結晶の総重量の割合である総合固化率を0.90以上として、マルチ操業におけるシリコン結晶育成後のルツボ内の残湯の不純物を分析する。【選択図】図6
摘要翻译：从剩余的水中的硅晶体提拉（CZ）方法之后生长的，其目的在于提供一种能够以高准确度分析的杂质的杂质分析方法。拉起后从通过CZ法坩埚中所含的硅熔体中的硅晶体中，在坩埚内的硅熔融液分析所述剩余热水中的杂质的方法，该硅原料装入坩埚加热至熔化，生长使用CZ法从硅熔体硅晶体之后，将硅原料被熔化通过加入装入坩埚中，通过从一个坩埚中再次生长硅晶体，两个或更多进行多操作以促进所述硅晶体，在多操作，整体凝固速率是由多操作生长至硅原料的装入坩埚作为0.90或更高的总重量计的硅晶体的总重量的百分比，在多操作的硅晶体生长后，通过分析在坩埚中的剩余热水杂质。点域6

7. 发明专利

JP6634962B2 シリコンエピタキシャルウェーハのエピタキシャル層の評価方法及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法有权
公开(公告)号：JP6634962B2
公开(公告)日：2020-01-22
申请号：JP2016118497
申请日：2016-06-15
申请人：信越半導体株式会社
发明人：木村明浩 , 菅原孝世
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/02 , H01L21/66

8. 发明专利

JP6439593B2 不純物分析方法及びシリコン結晶の評価方法有权
公开(公告)号：JP6439593B2
公开(公告)日：2018-12-19
申请号：JP2015112351
申请日：2015-06-02
申请人：信越半導体株式会社
发明人：星亮二 , 菅原孝世 , 岡井篤志 , 太田友彦 , 三木克彦
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20 , G01N33/20

9. 发明专利

JP2017224695A シリコンエピタキシャルウェーハのエピタキシャル層の評価方法及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017224695A
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：JP2016118497
申请日：2016-06-15
申请人：信越半導体株式会社
发明人：木村明浩 , 菅原孝世
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/02 , H01L21/66
摘要：【課題】フォトルミネッセンス測定において、エピタキシャル層のドーパント濃度、欠陥、及び汚染などを正確かつ簡便に評価することができるシリコンエピタキシャルウェーハのエピタキシャル層の評価方法を提供する。【解決手段】単結晶シリコンからなるベース基板と埋め込み絶縁膜とシリコンエピタキシャルウェーハから移設されたシリコンエピタキシャル層のみから成るSOI層とを有するSOIウェーハを作製する工程と、作製したSOIウェーハのシリコンエピタキシャル層のみから成るSOI層の表面から励起光を照射してフォトルミネッセンス測定を行うことにより、シリコンエピタキシャル層の評価を行う工程とを有する。【選択図】図1

10. 发明专利

JP2017168771A シリコン単結晶の加工方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017168771A
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：JP2016054919
申请日：2016-03-18
申请人：信越半導体株式会社
发明人：高野清隆 , 小内駿英 , 菅原孝世 , 鎌田洋之 , 高沢雅紀 , 星亮二 , 太田友彦 , 三木克彦
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/22 , C30B33/00 , B24B5/04 , H01L21/304
摘要：【課題】CZ法により育成した単結晶シリコンインゴットをスライス用インゴットに加工する際に、単結晶シリコンインゴットの直胴部の周辺部において点欠陥が外方拡散することによる、欠陥分布が湾曲した領域を含まないスライス用インゴットを簡便に加工することができるシリコン単結晶の加工方法を提供することを目的とする。【解決手段】チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶インゴットをスライス用インゴットに加工する方法であって、育成したシリコン単結晶インゴットの直胴部から、円柱状のシリコン単結晶を成長軸方向に同心円状にくり貫いてスライス用インゴットに加工するシリコン単結晶の加工方法。【選択図】図1

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