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1. 发明专利

JP2012072011A Ceramic composite material and method for manufacturing base substrate for semiconductor layer laminated substrate 审中-公开
标题翻译：陶瓷复合材料及制造半导体层叠基板基板的方法
公开(公告)号：JP2012072011A
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：JP2010217664
申请日：2010-09-28
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： YOSHIMURA MASASHI , NAGASAWA MOTOKI , MIZUHARA NAHO , NAKAHATA SEIJI
IPC分类号： C04B35/581 , C04B35/565 , H01L21/02
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique related to a base substrate suppressible of occurrence of peeling and crack between itself and a group III nitride semiconductor layer, in a group III nitride semiconductor layer laminated substrate.SOLUTION: There is provided a ceramic composite material used as a base substrate for a group III nitride semiconductor layer laminated substrate. The ceramic composite material is composed of an oxide ceramic and a non-oxide ceramic and has an average linear thermal expansion coefficient at 20-900°C of (5.9±0.2)×10/°C. There is also provided a method for manufacturing the base substrate used in the group III nitride semiconductor layer laminated substrate using the ceramic composite material. The method includes: a raw material mixing step of mixing an oxide ceramic powder and a non-oxide ceramic powder in a predetermined ratio; a compacting step of compacting a mixed powder obtained in the raw material mixing step into a compact of a predetermined shape; and a firing step of firing the compact in an inert atmosphere to manufacture the sintered compact of the ceramic composite material.
摘要翻译：要解决的问题：在III族氮化物半导体层层压基板中，提供一种与抑制自身与III族氮化物半导体层之间发生剥离和裂纹的基底的技术。解决方案：提供了用作III族氮化物半导体层层叠基板的基底的陶瓷复合材料。陶瓷复合材料由氧化物陶瓷和非氧化物陶瓷组成，并且在（-9.9±0.2）×10 6℃的20-900℃下具有平均线性热膨胀系数， SP> /℃。还提供了使用陶瓷复合材料制造用于III族氮化物半导体层层合基板的基底基板的制造方法。该方法包括：以预定比例混合氧化物陶瓷粉末和非氧化物陶瓷粉末的原料混合步骤; 将在所述原料混合工序中得到的混合粉末压实为规定形状的压坯的压实工序; 以及在惰性气氛中烧结压块的烧成工序，制造陶瓷复合材料的烧结体。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

2. 发明专利

JP2011195923A Conductive oxide, and method for manufacturing the same 有权
标题翻译：导电氧化物及其制造方法
公开(公告)号：JP2011195923A
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：JP2010065882
申请日：2010-03-23
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： MIYANAGA YOSHINORI , SHIBATA KENICHIRO , YOSHIMURA MASASHI , NAGASAWA MOTOKI , OKADA HIROSHI , SOGABE KOICHI
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/00 , H01B1/08 , H01B13/00 , H01L21/203 , H01L29/786
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conductive oxide as a target enabling high deposition rate of an oxide semi-conductor film by the sputtering, and high etching rate of the deposited oxide semi-conductor film.SOLUTION: The conductive oxide contains crystalline substance InGaZnO(0≤m
摘要翻译：要解决的问题：提供一种导电氧化物作为目标，通过溅射提供氧化物半导体膜的高沉积速率，并且沉积氧化物半导体膜的蚀刻速率高。导电氧化物含有结晶物质InGaZnO （0≤m<1,0≤q≤1,0≤p≤3m+ q）和结晶物质GaZnO。

3. 发明专利

JP2011195406A Method for manufacturing conductive oxide sintered compact 有权
标题翻译：制造导电氧化物烧结的方法
公开(公告)号：JP2011195406A
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：JP2010065885
申请日：2010-03-23
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： MIYANAGA YOSHINORI , NAGASAWA MOTOKI , YOSHIMURA MASASHI , OKADA HIROSHI , SOGABE KOICHI
IPC分类号： C04B35/00 , C23C14/34
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a conductive oxide sintered compact, in which the control of kinds or the quantity of crystal phases contained in the conductive oxide sintered compact is facilitated.SOLUTION: The method for manufacturing the conductive oxide sintered compact containing In, Ga and Zn includes a step of forming GaZnOpowder by calcining after preparing a mixture of zinc oxide and gallium oxide; and further preferably includes a step of preparing a second mixture by mixing or pulverizing and mixing powder containing the GaZnOpowder and powder containing In and oxygen after the calcination and molding the mixture to form a molding and sintering the molding.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种导电氧化物烧结体的制造方法，其中导电氧化物烧结体中所含的结晶相的种类或数量的控制是容易的。解决方案：导电氧化物烧结体的制造方法含有In，Ga和Zn的方法包括在制备氧化锌和氧化镓的混合物之后通过煅烧形成GaZnOpowder的步骤; 进一步优选包括通过混合或粉碎和混合含有GaZnO粉末的粉末和在煅烧之后含有In和氧的粉末并模制混合物以形成模制并烧结模制物来制备第二混合物的步骤。

4. 发明专利

JP2015007275A 磁石用粉末の製造方法、磁石用粉末、磁石用成形体、磁性部材、及び圧粉磁石审中-公开
标题翻译：制造磁粉用粉末，磁粉用粉末，磁铁成型体，磁性体和压缩粉末磁铁的制造方法
公开(公告)号：JP2015007275A
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：JP2013133190
申请日：2013-06-25
申请人：住友電気工業株式会社 , Sumitomo Electric Ind Ltd
发明人： SHIMAUCHI KAZUMASA , MAEDA TORU , NAGASAWA MOTOKI
IPC分类号： B22F9/04 , B22F1/00 , B22F3/00 , C22C38/00 , H01F1/055 , H01F1/06 , H01F1/08 , H01F41/02
摘要：【課題】粒径のばらつきが小さく、成形性に優れる磁石用粉末を得ることができる磁石用粉末の製造方法を提供する。【解決手段】磁石用粉末の製造方法は、準備工程と水素化工程と粉砕工程とを備える。準備工程は、希土類元素とFeとを含有する希土類−鉄系化合物を主相とする希土類−鉄系合金10を準備する。水素化工程は、前記希土類−鉄系合金10を水素を含む雰囲気中で不均化温度以上の温度で熱処理して水素化処理する。粉砕工程は、前記水素化処理した合金10hを機械的に粉砕する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造磁体用粉末的方法，其能够获得成型性优异，粒径变化小的磁体用粉末。溶解性磁体用粉末的制造方法包括制备工序，氢化步骤和粉碎步骤。在制备步骤中，制备作为主相的含有稀土元素和Fe的稀土 - 铁系化合物的稀土 - 铁基合金10。在氢化工序中，稀土 - 铁系合金10在含有氢的气氛中，在不低于歧化温度的温度下进行热处理。在粉碎步骤中，将氢化合金10h机械粉碎。

5. 发明专利

JP2014210969A Ｓｍ−Ｆｅ系合金、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系合金、及び希土類磁石审中-公开
标题翻译：基于Sm-Fe的合金，Sm-Fe-N基合金和稀土磁体
公开(公告)号：JP2014210969A
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：JP2013088900
申请日：2013-04-19
申请人：住友電気工業株式会社 , Sumitomo Electric Ind Ltd
发明人： MINAGAWA MAKOTO , MAEDA TORU , NAGASAWA MOTOKI
IPC分类号： C22C38/00 , B22F3/00 , H01F1/055
CPC分类号： B22F3/00 , C22C38/00 , H01F1/04
摘要：【課題】Smが酸化し難いSm−Fe系合金、及びSm−Fe−N系合金、並びに、Sm−Fe−N系合金を有する希土類磁石を提供する。【解決手段】Sm−Fe系合金は、Alの含有量をα(質量%)、酸素の含有量をβ(質量%)とするとき、0.9?β≦α≦1.8?β、及び0
摘要翻译：要解决的问题：提供一种几乎不氧化Sm的Sm-Fe系合金，Sm-Fe-N系合金和具有Sm-Fe-N系合金的稀土类磁体。解决方案：Sm-Fe- 基体合金满足0.9×bgr≤α≤1.8×＆bgr; 和0 <α≤0.04，其中α是Al（质量％）和＆bgr的含量; 是氧的含量（质量％），Sm的含量以质量％计为25％〜26.5％。 Sm-Fe基合金可以使Sm难以氧化并抑制磁铁的磁特性的降低。

6. 发明专利

JP2013018687A Nitride film production method 审中-公开
标题翻译：硝酸盐膜生产方法
公开(公告)号：JP2013018687A
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：JP2011155148
申请日：2011-07-13
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： MAEDA TORU , NAGASAWA MOTOKI , SOGABE KOICHI , KATO TAKESHI
IPC分类号： C01B21/06 , C23C24/08 , H01F41/16
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nitride film production method and apparatus each of which can produce a nitride film such as an α"FeNfilm with good productivity and to provide a nitride film.SOLUTION: In the nitride film production apparatus 1, a raw material powder is aerosolized by an aerosol generation part 10, the aerosol is injected at a high speed into a chamber 100 and is allowed to collide against a substrate B to fragmentize the raw material, and the fragments are deposited on the substrate B to form a film. The production apparatus 1 is further equipped with a plasma generation part 20 that irradiates the aerosol with nitrogen plasma and a superconducting magnet 30 that applies a magnetic field to the formed nitride or the like. The nitrogen plasma makes it possible to efficiently form a nitride such as α"FeNat ordinary temperature, and the applied magnetic field makes it possible both to regulate the penetration direction of N atoms to thereby efficiently form e.g., α"FeNand to orientate the nitride constituting the fragments to thereby deposit a high-orientation nitride film. Accordingly, the production apparatus 1 can produce a nitride film such as an α"FeNfilm with good productivity.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种氮化物膜的制造方法和装置，其可以制造氮化物膜，例如α“Fe 2 膜，并提供氮化物膜。解决方案：在氮化膜生产设备1中，原料粉末由气溶胶发生部分10雾化，将气溶胶喷射在高速进入室100并允许与基板B碰撞以破碎原料，并将碎片沉积在基板B上以形成膜，制造装置1还配备有等离子体产生部20，其等于用氮等离子体照射气溶胶，向形成的氮化物等施加磁场的超导磁体30，能够有效地形成氮化物，例如α“Fe 16” / SB> N 2 ，施加的磁场使其成为可能以调节N原子的穿透方向，从而有效地形成例如α“Fe 2 并且使氮化物构成片，从而沉积高取向氮化物膜。因此，制造装置1能够以良好的生产率制造诸如α“Fe 2 膜的氮化物膜。 P>版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2013001590A Conductive oxide, method of manufacturing the same and oxide semiconductor film 审中-公开
标题翻译：导电氧化物，其制造方法和氧化物半导体膜
公开(公告)号：JP2013001590A
公开(公告)日：2013-01-07
申请号：JP2011132845
申请日：2011-06-15
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： MIYANAGA YOSHINORI , YOSHIMURA MASASHI , SOGABE KOICHI , OKADA HIROSHI , NAGASAWA MOTOKI
IPC分类号： C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conductive oxide desirable as target for sputtering and its manufacturing method.SOLUTION: The conductive oxide includes crystalline InOand crystalline GaZnO. For the conductive oxide, with the atomic concentration ratio of Zn as 1, the atomic concentration ratio of In is 0.4-1.8, and the atomic concentration ratio of Ga is 0.4-1.8. The conductive oxide is used as a target for sputtering of In-Ga-Zn-O oxides.
摘要翻译：要解决的问题：提供希望作为溅射靶的导电氧化物及其制造方法。
解决方案：导电氧化物包括结晶In 2 和结晶Ga 2 ZnO 4 。对于导电氧化物，原子浓度比为Zn为1，In的原子浓度比为0.4〜1.8，Ga的原子浓度比为0.4〜1.8。导电氧化物用作溅射In-Ga-Zn-O氧化物的靶。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2015026795A 磁石用粉末、希土類磁石、磁石用粉末の製造方法及び希土類磁石の製造方法审中-公开
标题翻译：磁铁用粉末，稀土磁铁，制造磁铁用粉末的方法及制造稀土磁铁的方法
公开(公告)号：JP2015026795A
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：JP2013157161
申请日：2013-07-29
申请人：住友電気工業株式会社 , Sumitomo Electric Ind Ltd
发明人： MAEDA TORU , NAGASAWA MOTOKI
IPC分类号： H01F1/055 , B22F1/00 , B22F3/00 , B22F3/14 , B22F9/04 , C22C38/00 , H01F1/08 , H01F41/02
摘要：【課題】結晶粒の配向度が高く、磁気特性に優れる磁石用粉末を提供する。【解決手段】希土類元素とFeとを含有する希土類−鉄系化合物を主相とする希土類−鉄系合金の磁性粒子からなる磁石用粉末であって、前記磁性粒子は、多数の前記主相の結晶粒が集合した集合組織を有し、前記結晶粒の最大結晶粒径が1μm未満で、かつ、前記結晶粒の配向度が60%以上であり、前記磁石用粉末に占める粒子径が3μm以上10μm以下の前記磁性粒子の割合が60質量%以上である。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供晶粒取向性高，磁性优异的磁体用粉末。磁铁粉末包含由稀土 - 铁基合金制成的磁性粒子，该合金的主相包括稀有包含稀土元素和铁的土 - 铁基化合物。磁性颗粒具有通过主相许多晶粒聚集形成的聚集体结构。在晶粒中，最大晶粒直径小于1μm，晶粒的取向度为60％以上。在磁铁用粉末中，粒径为3-10μm的磁性粒子的比例为60质量％以上。

9. 发明专利

JP2013016750A Method for producing iron nitride powder 有权
标题翻译：生产氮化铁粉的方法
公开(公告)号：JP2013016750A
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：JP2011150472
申请日：2011-07-06
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： NAGASAWA MOTOKI , MAEDA TORU
IPC分类号： H01F1/06 , B22F1/00 , B22F9/22 , C01B21/06
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide iron nitride powder mainly comprising iron nitride: α"-FeNexcellent in magnetic characteristics and a production method by which the iron nitride powder can be produced with high productivity.SOLUTION: Iron powder is dissolved in a carboxylic acid solution to prepare a gel while a magnetic field is applied, and the gel is dried to produce an iron complex from the gel. An organic component of the iron complex is removed to produce iron oxide. Further, by performing reduction/nitridation to the iron oxide to produce iron nitride: α"-FeN, iron nitride powder comprising an iron nitride particle can be obtained. Since iron powder of micron order can be utilized for a raw material, deterioration is hardly caused with time, handleability of raw material powder is excellent, and iron nitride can be stably produced with excellent productivity. The obtained iron nitride particle is fine, has a large aspect ratio, and excellent in magnetic characteristics due to shape magnetic anisotropy.
摘要翻译：要解决的问题：提供主要包含氮化铁的氮化铁粉末：α“-Fe 2 优良磁性特性的制造方法和能够以高生产率制造氮化铁粉末的制造方法。解决方案：在施加磁场的同时，将铁粉溶解在羧酸溶液中以制备凝胶，并将凝胶干燥从凝胶中制造铁络合物，除去铁配合物的有机成分，生成氧化铁，进而，通过对氧化铁进行还原/氮化，生成氮化铁：α“-Fe 16 N 2 ，可以获得包含氮化铁颗粒的氮化铁粉末。由于可以将原料的微粉末用于微粉，因此几乎不会随时间劣化，原料粉末的处理性优异，能够以优异的生产率稳定地生产氮化铁。所得到的氮化铁粒子细小，纵横比大，磁性各向异性特性优异。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2012253247A Composite magnetic material and method for manufacturing the same 审中-公开
标题翻译：复合磁性材料及其制造方法
公开(公告)号：JP2012253247A
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：JP2011125799
申请日：2011-06-03
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： MAEDA TORU , WATANABE ASAKO , NAGASAWA MOTOKI , ISHIMINE ASAYUKI , KATO TAKESHI
IPC分类号： H01F41/02 , B22F1/00 , B22F3/00 , B22F3/02 , B22F3/24 , C22C33/02 , C22C38/00 , H01F1/055 , H01F1/08
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composite magnetic material which excels in magnetic properties and is suitable as a material for magnets, and to provide a method for manufacturing the same.SOLUTION: Granulated powders made by mixing nano iron powders, multiphase powders containing a hydrogen compound of a rare earth element and an iron-containing material, and a binder are pressure-molded. The pressure molding is carried out while performing exhaust at 0.9 atmospheres or less and a temperature of ±20°C of a decomposition temperature of the binder. Heat treatment (dehydrogenation) of the obtained first molded body is performed under a reduced-pressure atmosphere at a temperature equal to or higher than a recombination temperature to form a recombination alloy containing a rare earth element and Fe from the multiphase powders, and heat treatment (nitriding) of the obtained second molded body is performed under a nitrogen atmosphere at a temperature of 200°C to 450°C to form α''FeNfrom the nano iron powders and a rare earth-iron-nitrogen alloy from the recombination alloy. Both heat treatments are performed by applying a strong magnetic field. A magnetic field is applied in the nitriding treatment to form α''FeN, and orientation directions of easy axes of magnetization in the rare earth-iron-nitrogen alloy and α''FeNare uniformed.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种磁性能优异且适合作为磁体材料的复合磁性材料，并提供其制造方法。解决方案：将纳米铁粉末，含有稀土元素的氢化合物的多相粉末和含铁材料和粘合剂混合制成的造粒粉末进行加压成型。进行压力成型，同时在0.9大气压以下，粘合剂的分解温度为±20℃的温度下进行排气。所得到的第一成型体的热处理（脱氢）在等于或高于复合温度的减压气氛下进行，以从多相粉末中形成含有稀土元素和Fe的复合合金，并进行热处理（氮化）在氮气氛下，在200℃〜450℃的温度下进行，形成α“Fe”SB POS =“POST”> 16 < 来自复合合金的纳米铁粉和稀土 - 铁 - 氮合金的“POST”> 2 。通过施加强磁场来进行两种热处理。在氮化处理中施加磁场，形成α“Fe 2 ，容易轴的取向方向稀土 - 铁 - 氮合金中的磁化和α'Fe 2 均匀化。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

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