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1. 发明专利

JP2015058896A 書換検出システム、書換検出装置及び情報処理装置有权
标题翻译：重写检测系统，重写检测装置和信息处理装置
公开(公告)号：JP2015058896A
公开(公告)日：2015-03-30
申请号：JP2013195647
申请日：2013-09-20
申请人：国立大学法人名古屋大学 , Nagoya Univ , 株式会社オートネットワーク技術研究所 , Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk , 住友電装株式会社 , Sumitomo Wiring Syst Ltd , 住友電気工業株式会社 , Sumitomo Electric Ind Ltd
发明人： TAKADA HIROAKI , TAKAKURA HIROKI , MIYASHITA YUKIHIRO , HORIBATA HIROSHI , OKADA HIROSHI , ADACHI NAOKI
IPC分类号： B60R16/02 , B60R16/023
CPC分类号： G06F21/64
摘要：【課題】情報処理装置の記憶部に記憶されたプログラム又はデータに対する不正な書き換えが行われたことを検出し得る書換検出システム、書換検出装置及び情報処理装置を提供する。【解決手段】書換検出装置5がランダムシードを生成してECU2及びサーバ装置7へ送信する。ECU2は受信したランダムシードと記憶部の記憶内容とに基づき、所定のハッシュ関数を用いてハッシュ値を算出して書換検出装置5へ送信する。また書換検出装置5からの問い合わせに応じてサーバ装置7が期待値を送信する。書換検出装置5は、サーバ装置7から受信した期待値とECU2から受信したハッシュ値とが一致するか否かに応じて、ECU2のプログラム又はデータに対する不正な書き換えが行われたか否かを判定する。【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：提供一种重写检测系统，重写检测装置和能够检测对存储在信息的存储部分中的程序或数据进行非法重写的信息处理装置处理装置。解决方案：重写检测装置5创建随机种子，并将其发送到ECU2和服务器装置7.ECC 2基于接收的随机种子使用规定的散列函数计算散列值，存储部的存储内容，并将其发送到重写检测装置5.响应于重写检测装置5的询问，服务器装置7发送期望值。根据从服务器装置7接收的期望值是否与从ECU2接收到的散列值一致，重写检测装置5判断是否对程序进行了非法重写， ECU 2。

2. 发明专利

JP2015022499A 運転特徴判定システム审中-公开
标题翻译：驱动特性决定系统
公开(公告)号：JP2015022499A
公开(公告)日：2015-02-02
申请号：JP2013149781
申请日：2013-07-18
申请人：株式会社オートネットワーク技術研究所 , Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk , 住友電装株式会社 , Sumitomo Wiring Syst Ltd , 住友電気工業株式会社 , Sumitomo Electric Ind Ltd
发明人： WATABE MASASHI , OKADA HIROSHI , USAMI AKINORI , ADACHI NAOKI , NAKAJIMA TATSUYA , NODA TETSUYA
IPC分类号： G08G1/16 , B60W40/09 , G06Q40/08 , G08G1/00 , G08G1/09
摘要：【課題】車輌に搭載したカメラが撮像した周辺の画像に基づいて、精度よく運転者の運転の特徴を判定することができる運転特徴判定システムを提供する。【解決手段】車輌1の車載カメラ2が撮像した周辺の画像に基づいて、車輌1に対するユーザの運転の特徴を判定する。車載通信装置10は、車載カメラ2、車速センサ3、加速度センサ4及びGPS受信機5等から得られる情報、並びに、アクセル又はウインカー等に対する操作情報を運転特徴判定装置40へ送信する。運転特徴判定装置40は、車載通信装置10から受信した車載カメラ2の撮像画像に基づいて、車輌1の走行に係るイベントの発生を検出し、このイベントに対して適切な運転操作がなされたか否かを運転特徴として判定する。運転特徴判定装置40は、車載カメラ2の撮像画像に基づいて、例えば加速操作判定、車線変更ウインカー操作判定及び右左折ウインカー操作判定等を行う。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种驱动特性确定系统，其能够基于由装载在车辆上的照相机成像的周围图像，以高精度确定驾驶员的驾驶特性。解决方案：车辆1的驾驶特性为基于由车辆1的车载摄像机2拍摄的周围图像来确定。车载通信设备10发送从车载摄像机2获得的信息; 车速传感器3; 加速度传感器4; 和GPS接收机5等; 以及加速器或方向指示灯等的操作信息提供给驾驶特性确定装置40.驾驶特性确定装置40通过基于成像的图像检测关于车辆1的行驶的事件的发生来确定驾驶特性通过从车载装载通信装置10接收到的车载装载摄像机2，以及基于从车载装载通信装置10接收的车载装载摄像机2的摄像图像是否进行适当的驾驶操作。驾驶特性判定装置40 基于车载装载摄像机2的成像图像，进行加速度运算判定，车道改变方向指示灯操作判定以及左右转弯指示灯操作判定等。

3. 发明专利

JP2014193654A On-vehicle communication system and on-vehicle relay device 有权
标题翻译：车载通信系统和车载继电器
公开(公告)号：JP2014193654A
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：JP2013070220
申请日：2013-03-28
申请人： Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk , 株式会社オートネットワーク技術研究所 , Sumitomo Wiring Syst Ltd , 住友電装株式会社 , Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： SHIMOMURA YOSHIKUNI , OKADA HIROSHI
IPC分类号： B60R16/023 , B60R16/02 , H04L12/46
CPC分类号： H04L69/40 , H04L63/12 , H04L67/125
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an on-vehicle communication system and an on-vehicle relay device capable of: appropriately performing an inter-network relay among a plurality of in-vehicle networks when a new on-vehicle device is connected to an in-vehicle network; and preventing connection of an unauthorized on-vehicle device from causing an adverse effect on a whole system.SOLUTION: A gateway 10 which performs an information relay among a plurality of in-vehicle networks NW1 to NW3 stores a routing map necessary for deciding a relay destination of information. When a new ECU 58 is connected to the in-vehicle networks NW1 to NW3, a security controller 30 acquires a new routing map by communicating with a server device 9 and updates the routing map of the gateway 10 after determining whether or not the acquired routing map is authorized. Also, the gateway 10 performs notification when determination result of the relay destination on the basis of the stored routing map shows that the relay destination of the received information does not exist.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种车载通信系统和车载中继设备，其能够：当新的车载设备连接到内部网络中时，适当地执行多个车载网络之间的网络间继电器车网并且防止未经授权的车载设备的连接不会对整个系统造成不利影响。解决方案：在多个车载网络NW1至NW3之间执行信息中继的网关10存储决定中继所需的路由映射信息的目的地。当新的ECU58连接到车内网络NW1至NW3时，安全控制器30通过与服务器设备9通信来获取新的路由图，并且在确定获取的路由之后更新网关10的路由图地图被授权。此外，网关10基于所存储的路由映射表示中继目的地的确定结果示出所接收的信息的中继目的地不存在，进行通知。

4. 发明专利

JP2011195923A Conductive oxide, and method for manufacturing the same 有权
标题翻译：导电氧化物及其制造方法
公开(公告)号：JP2011195923A
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：JP2010065882
申请日：2010-03-23
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： MIYANAGA YOSHINORI , SHIBATA KENICHIRO , YOSHIMURA MASASHI , NAGASAWA MOTOKI , OKADA HIROSHI , SOGABE KOICHI
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/00 , H01B1/08 , H01B13/00 , H01L21/203 , H01L29/786
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conductive oxide as a target enabling high deposition rate of an oxide semi-conductor film by the sputtering, and high etching rate of the deposited oxide semi-conductor film.SOLUTION: The conductive oxide contains crystalline substance InGaZnO(0≤m
摘要翻译：要解决的问题：提供一种导电氧化物作为目标，通过溅射提供氧化物半导体膜的高沉积速率，并且沉积氧化物半导体膜的蚀刻速率高。导电氧化物含有结晶物质InGaZnO （0≤m<1,0≤q≤1,0≤p≤3m+ q）和结晶物质GaZnO。

5. 发明专利

JP2011195406A Method for manufacturing conductive oxide sintered compact 有权
标题翻译：制造导电氧化物烧结的方法
公开(公告)号：JP2011195406A
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：JP2010065885
申请日：2010-03-23
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： MIYANAGA YOSHINORI , NAGASAWA MOTOKI , YOSHIMURA MASASHI , OKADA HIROSHI , SOGABE KOICHI
IPC分类号： C04B35/00 , C23C14/34
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a conductive oxide sintered compact, in which the control of kinds or the quantity of crystal phases contained in the conductive oxide sintered compact is facilitated.SOLUTION: The method for manufacturing the conductive oxide sintered compact containing In, Ga and Zn includes a step of forming GaZnOpowder by calcining after preparing a mixture of zinc oxide and gallium oxide; and further preferably includes a step of preparing a second mixture by mixing or pulverizing and mixing powder containing the GaZnOpowder and powder containing In and oxygen after the calcination and molding the mixture to form a molding and sintering the molding.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种导电氧化物烧结体的制造方法，其中导电氧化物烧结体中所含的结晶相的种类或数量的控制是容易的。解决方案：导电氧化物烧结体的制造方法含有In，Ga和Zn的方法包括在制备氧化锌和氧化镓的混合物之后通过煅烧形成GaZnOpowder的步骤; 进一步优选包括通过混合或粉碎和混合含有GaZnO粉末的粉末和在煅烧之后含有In和氧的粉末并模制混合物以形成模制并烧结模制物来制备第二混合物的步骤。

6. 发明专利

JP2009027049A Light-receiving device 有权
标题翻译：收光装置
公开(公告)号：JP2009027049A
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：JP2007190281
申请日：2007-07-23
申请人： Osaka Prefecture Univ , Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社 , 公立大学法人大阪府立大学
发明人： INOGUCHI YASUHIRO , OKADA HIROSHI , KAWAMURA YUICHI
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/035236 , B82Y20/00 , H01L27/14649 , H01L31/03046 , Y02E10/544
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-receiving device capable of receiving light ranging from near-infrared rays to medium-infrared rays of 1.7 to 3.5 μm in wavelength.
SOLUTION: The light-receiving device includes an InP substrate, and a superlattice light-receiving layer formed by alternatively laminating a sink layer of a group third-fifth compound semiconductor containing In, Ga, As, and N and a raised layer of a group third-fifth compound semiconductor containing Ga, As, and Sb to form a type 2 junction. The sink layer and the raised layer each has a film thickness of 3 nm to 10 nm, the superlattice as a whole has a thickness of 2 μm to 7 μm, and lattice mismatching between the component films of the superlattice and the InP is within a range of ±0.2%.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供能够接收从近红外线到波长为1.7至3.5μm的中红外线的光的光接收装置。光接收装置包括InP衬底和通过交替地层叠包含In，Ga，As和N的第三组合物半导体组合物的沉积层和升高层形成的超晶格光接收层含有Ga，As和Sb的第三第五化合物半导体以形成2型结。沉积层和凸起层各自具有3nm至10nm的膜厚度，超晶格整体具有2μm至7μm的厚度，并且超晶格和InP的组分膜之间的晶格失配在范围±0.2％。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2011195405A Conductive oxide and method for manufacturing the same 有权
标题翻译：导电氧化物及其制造方法
公开(公告)号：JP2011195405A
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：JP2010065883
申请日：2010-03-23
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： MIYANAGA YOSHINORI , SHIBATA KENICHIRO , NAGASAWA MOTOKI , YOSHIMURA MASASHI , OKADA HIROSHI , SOGABE KOICHI
IPC分类号： C04B35/00 , C23C14/34 , H01L21/203 , H01L29/786
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the etching rate of an oxide semiconductor film deposited by sputtering by improving the heat conductivity of a conductive oxide of a target to enable the target to increase the thickness and to prolong the life, and using the target.SOLUTION: The conductive oxide contains a crystalline substance expressed by formula: InGaZnO(0≤m
摘要翻译：要解决的问题：通过提高靶的导电氧化物的导热性来提高通过溅射沉积的氧化物半导体膜的蚀刻速率，以使靶能够增加厚度并延长使用寿命并使用靶。：导电性氧化物含有以式：InGaZnO（0≤m<1,0≤q<1,0≤p≤3m+ q）表示的结晶物质和由式GaZnO表示的结晶物质，其中衍射角2θ（ a）当施加粉末X射线衍射法时，具有最大衍射强度的峰为29.00-30.75°，具有第二衍射强度的（b）峰的衍射角2θ为33.00-36.00°，衍射强度比Ib / （b）峰到（a）峰的Ia为0.1-1.0。

8. 发明专利

JP2008270760A Semiconductor wafer and manufacturing method, and semiconductor element 有权
标题翻译： SEMICONDUCTOR WAFER AND MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR ELEMENT
公开(公告)号：JP2008270760A
公开(公告)日：2008-11-06
申请号：JP2008061866
申请日：2008-03-11
申请人： Osaka Prefecture Univ , Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社 , 公立大学法人大阪府立大学
发明人： MIURA KOHEI , INOGUCHI YASUHIRO , TSUBOKURA MITSUTAKA , OKADA HIROSHI , KAWAMURA YUICHI
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/28 , H01L31/10
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor wafer having satisfactory surface smoothness for GaInNAsSb on an InP substrate and a semiconductor laminated structure with low crystal defect density, and to provide its manufacturing method and a semiconductor element.
SOLUTION: The method for manufacturing a semiconductor wafer comprises the steps of fixing the InP substrate 1 to a substrate-fixing part of an MBE device, and growing Ga
1-x In
x N
y Sb
z As
1-y (0.4≤x≤0.8, 0 490°C and ≤530°C.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：提供一种在InP衬底上具有令人满意的GaInNAS Sb表面平滑度的半导体晶片和具有低晶体缺陷密度的半导体层叠结构，并提供其制造方法和半导体元件。解决方案：制造半导体晶片的方法包括以下步骤：将InP衬底1固定到MBE器件的衬底固定部分，并且生长Ga x SB 1 x x ＆lt; / SB＆gt;＆lt; /＆lt; /＆gt; Sb＆lt; SB＆lt; SB＆lt; SB＆gt;（0.4≤x≤0.8,0≤y≤0.2,0≤z≤ 0.1），InP衬底的InP衬底的晶格常数差不小于-0.5％，不高于+ 0.5％，直至膜厚不小于0.5μm，衬底表面温度由高温计> 490°C，≤530°C。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2015022498A 運転特徴判定システム审中-公开
标题翻译：驱动特性决定系统
公开(公告)号：JP2015022498A
公开(公告)日：2015-02-02
申请号：JP2013149780
申请日：2013-07-18
申请人：株式会社オートネットワーク技術研究所 , Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk , 住友電装株式会社 , Sumitomo Wiring Syst Ltd , 住友電気工業株式会社 , Sumitomo Electric Ind Ltd
发明人： WATABE MASASHI , OKADA HIROSHI , USAMI AKINORI , ADACHI NAOKI , NAKAJIMA TATSUYA , NODA TETSUYA
IPC分类号： G08G1/00 , B60R1/00
摘要：【課題】車輌に搭載したカメラが撮像した周辺の画像に基づいて、精度よく運転者の運転の特徴を判定することができる運転特徴判定システムを提供する。【解決手段】車輌1の車載カメラ2が撮像した周辺の画像に基づいて、車輌1に対するユーザの運転の特徴を判定する。車載通信装置10は、車載カメラ2、車速センサ3、加速度センサ4及びGPS受信機5等から得られる情報を運転特徴判定装置40へ送信する。運転特徴判定装置40は、車載通信装置10から受信した車載カメラ2の撮像画像に基づいて、車輌1の車速に対する条件を決定し、決定した条件を満たすか否かに応じて運転特徴の判定を行う。運転特徴判定装置40は、車載カメラ2の撮像画像に基づいて、例えば法定速度判定、コーナー速度判定、一時停止判定及び車間距離判定等を行う。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种驱动特性确定系统，其能够基于由装载在车辆上的照相机成像的周围图像，以高精度确定驾驶员的驾驶特性。解决方案：车辆1的驾驶特性为基于由车载摄像机2成像的周围图像来确定。车载通信设备10发送从车载摄像机2获得的信息; 车速传感器3; 加速度传感器4; 和GPS接收器5等。驱动特性确定装置40通过基于从车载装置1接收的车载装载摄像机2的成像图像来确定车辆1的车速的条件来确定驾驶特性车载通信装置10，根据确定的条件是否满足判定。驾驶特性确定装置40基于车载装载摄像机2的成像图像执行例如雕像速度确定，角速度确定，临时停止确定和车间距离确定等。

10. 发明专利

JP2015022124A 運転特徴判定システム审中-公开
标题翻译：驱动特性决定系统
公开(公告)号：JP2015022124A
公开(公告)日：2015-02-02
申请号：JP2013149782
申请日：2013-07-18
申请人：株式会社オートネットワーク技術研究所 , Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk , 住友電装株式会社 , Sumitomo Wiring Syst Ltd , 住友電気工業株式会社 , Sumitomo Electric Ind Ltd
发明人： WATABE MASASHI , OKADA HIROSHI , USAMI AKINORI , ADACHI NAOKI , NAKAJIMA TATSUYA , NODA TETSUYA
IPC分类号： G09B19/00 , G06Q40/08 , G06Q50/30 , G08G1/00 , G08G1/13 , H04N7/18
摘要：【課題】車輌に搭載したカメラが撮像した周辺の画像に基づいて、精度よく運転者の運転の特徴を判定することができる運転特徴判定システムを提供する。【解決手段】車輌1の車載カメラ2が撮像した周辺の画像に基づいて、車輌1に対するユーザの運転の特徴を判定する。車載通信装置10は、車載カメラ2、車速センサ3、加速度センサ4及びGPS受信機5等から得られる情報を運転特徴判定装置40へ送信する。運転特徴判定装置40は、車載通信装置10から受信した車載カメラ2の撮像画像に基づいて車輌1の挙動を検出し、車輌1が所定挙動を行ったか否かを運転特徴として判定する。運転特徴判定装置40は、車載カメラ2の撮像画像に基づいて、例えば車線変更禁止判定、車線変更頻度判定、白線跨ぎ判定、赤信号進入判定、停車距離判定及び急ブレーキ判定等を行う。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种驱动特性确定系统，其能够基于由装载在车辆上的照相机成像的周围图像，以高精度确定驾驶员的驾驶特性。解决方案：车辆1的驾驶特性是基于由车载摄像机2拍摄的周围图像来确定。车载通信设备10发送从车载摄像机2获得的信息; 车速传感器3; 加速度传感器4; 和GPS接收器5等。驱动特性判定装置40基于从车载装载通信装置10接收到的车载摄像机2的成像图像来检测车辆1的行为，并且确定车辆1是否执行规定的行为作为驾驶特性。驾驶特性确定装置40执行例如车道变更禁止判定，车道变换频率判定，白线交叉判定，红色信号进行判定，停止距离判定和紧急制动判定等。

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