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1. 发明专利

JP6267624B2 炭化珪素半導体装置有权
公开(公告)号：JP6267624B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2014217534
申请日：2014-10-24
申请人：住友電気工業株式会社 , ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：山田俊介 , 田中聡 , 濱島大輔 , 木村真二 , 小林正幸 , 木島正貴 , 濱田牧
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L21/316 , H01L21/336
CPC分类号： H01L23/53295 , H01L21/043 , H01L23/53223 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

2. 发明专利

JP6075185B2 炭化珪素半導体装置の製造方法有权
标题翻译：用于碳化硅半导体器件的制造方法
公开(公告)号：JP6075185B2
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：JP2013093687
申请日：2013-04-26
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：田中聡 , 山田俊介
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/45 , H01L29/12 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/0485 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/7827

3. 发明专利

JP2016167632A 炭化珪素半導体装置审中-公开
标题翻译：硅碳化硅半导体器件
公开(公告)号：JP2016167632A
公开(公告)日：2016-09-15
申请号：JP2016098501
申请日：2016-05-17
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：山田俊介 , 日吉透 , 増田健良 , 和田圭司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/06
摘要：【課題】オン電流の低下を抑制しつつ耐圧を向上可能な炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置1は、素子領域IRと、ガードリング領域5とを有している。素子領域IRには半導体素子7が設けられている。ガードリング領域5は、平面視において素子領域IRを取り囲みかつ第1導電型を有する。半導体素子7は第1導電型とは異なる第2導電型を有するドリフト領域12を含む。ガードリング領域5は、直線領域Bと直線領域Bと連接する曲率領域Aとを含む。曲率領域Aの内周部2cの曲率半径Rをドリフト領域12の厚みT1で除した値が5以上10以下である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在抑制导通电流劣化的同时提高耐压性的碳化硅半导体器件。解决方案：碳化硅半导体器件1具有元件区域IR和保护环区域5.在元件区域 IR，提供半导体元件7。保护环区域5在平面图中围绕元件区域IR，并且具有第一导电类型。半导体元件7包括具有不同于第一导电类型的第二导电类型的漂移区12。保护环区域5包括直线区域B和连接到直线区域B的曲率区域A.通过将曲率区域A的内周部分2c的曲率半径R除以厚度T1 漂移区域12不小于5并且不大于10.选择的图示：图1

4. 发明专利

JP2015204409A 炭化珪素半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：硅碳化硅半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015204409A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：JP2014083555
申请日：2014-04-15
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：増田健良 , 神原健司 , 山田俊介 , 久保田良輔
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/41 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/78
摘要：【課題】半導体素子の集積度を高めつつ、炭化珪素基板と電極との間の接触抵抗を低減可能な炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】アルミニウムおよびホウ素の少なくともいずれかを含む雰囲気中において、第3不純物領域14上におけるバッファ層17の部分と、第3不純物領域14の一部とを除去することにより、主面10aに連接する側部8aと、側部8aと連接する底部8bとにより形成される凹部8が形成される。凹部8を形成する工程は、凹部8の底部8bと第2不純物領域13とを繋ぎ、かつ第2不純物領域13よりも高い不純物濃度を有する第4不純物領域18を形成する工程を含む。アルミニウムを含み、底部8bにおいて第4不純物領域18と接し、側部18aにおいて第3不純物領域14と接し、かつ主面10aにおいて第3不純物領域14と接しない電極16が形成される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种碳化硅半导体器件及其制造方法，其可以降低碳化硅衬底和电极之间的接触电阻，同时增加半导体元件的集成度。解决方案：一种碳化硅半导体器件制造方法包括在包含铝或硼中的至少一种的气氛中除去第三杂质区域14和第三杂质区域14的一部分上的缓冲层17的一部分以形成由侧部8a形成的凹部8的工序连接到与侧部8a连接的主表面10a和底部8b。形成凹部8的过程包括将凹部8的底部8b和第二杂质区域13连接的工序，以形成杂质浓度高于第二杂质区域13的杂质浓度的第四杂质区域18.碳化硅半导体器件制造方法还包括形成电极16的工艺，该电极含有铝并在底部8b与第四杂质区18接触，并且在侧部18a与第三杂质区14接触，并且在本体处不接触第三杂质区14 表面10a。

5. 发明专利

JP2018101796A 炭化珪素半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018101796A
公开(公告)日：2018-06-28
申请号：JP2018021266
申请日：2018-02-08
申请人：住友電気工業株式会社 , ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：久保田良輔 , 山田俊介 , 堀井拓 , 増田健良 , 濱島大輔 , 田中聡 , 木村真二 , 小林正幸
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/66 , H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/28 , H01L29/12
摘要：【課題】閾値電圧の変動を低減可能な炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置は、炭化珪素基板10と、ゲート絶縁膜15と、ゲート電極27とを備える。炭化珪素基板10は、第1の主面10aと、第1の主面10aと反対側の第2の主面10bとを有する。ゲート絶縁膜15は、炭化珪素基板10の第1の主面10aに接して設けられている。ゲート電極27は、炭化珪素基板10との間にゲート絶縁膜15を挟むようにゲート絶縁膜15上に設けられている。175℃の温度下において、ゲート電極27に対して−5Vのゲート電圧を100時間印加する第1のストレス試験を行う場合に、第1のストレス試験を行う前の閾値電圧を第1の閾値電圧とし、第1のストレス試験を行った後の閾値電圧を第2の閾値電圧とした場合、第1の閾値電圧と第2の閾値電圧との差の絶対値は、0.5V以下である。【選択図】図1

6. 发明专利

JP5939127B2 炭化珪素半導体装置有权
公开(公告)号：JP5939127B2
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：JP2012232604
申请日：2012-10-22
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：山田俊介 , 日吉透 , 増田健良 , 和田圭司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7802 , H01L29/0638

7. 发明专利

JP2016086064A 炭化珪素半導体装置有权
标题翻译：硅碳化硅半导体器件
公开(公告)号：JP2016086064A
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：JP2014217534
申请日：2014-10-24
申请人：住友電気工業株式会社 , ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：山田俊介 , 田中聡 , 濱島大輔 , 木村真二 , 小林正幸 , 木島正貴 , 濱田牧
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L21/316 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L2924/0002
摘要：【課題】閾値電圧の変動を低減可能な炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置1は、炭化珪素基板10と、ゲート絶縁膜15と、ゲート電極27と、層間絶縁膜2とを備えている。層間絶縁膜2は、ゲート電極27を覆うように設けられ、ゲート電極27と接し、珪素原子を含み、かつ、リン原子及びホウ素原子のいずれも含まない第1絶縁膜2aと、第1絶縁膜2a上に設けられ、かつ、珪素原子と、リン原子及びホウ素原子の少なくとも一方とを含む第2絶縁膜2bと、珪素原子を含み、かつ、リン原子及びホウ素原子のいずれも含まない第3絶縁膜2cとを含む。第2絶縁膜2bは、第1絶縁膜2aと接する第1の面2b1と、第1の面2b1の反対側の第2の面2b2と、第1の面2b1と第2の面2b2とを繋ぐ第3の面2b3とを有する。第3絶縁膜2cは、第2の面2b2及び第3の面2b3の少なくとも一方に接している。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种允许减小阈值电压波动的碳化硅半导体器件。解决方案：碳化硅半导体器件1包括碳化硅衬底10，栅极绝缘膜15，栅电极27和层间绝缘层间绝缘膜2设置为覆盖栅电极27并与栅电极27接触。层间绝缘膜2包括：第一绝缘膜2a，其包含硅原子并且不含磷原子和硼原子设置在第一绝缘膜2a上并含有硅原子和磷原子和硼原子中的至少一个的第二绝缘膜2b; 以及含有硅原子且不含磷原子和硼原子的第三绝缘膜2c。第二绝缘膜2b具有与第一绝缘膜2a接触的第一表面2b1和与第一表面2b1相对的一侧的第二表面2b2和连接第一表面2b1和第二表面2b2的第三表面2b3。第三绝缘膜2c接触第二表面2b2和第三表面2b3中的至少一个。选择的图示：图1

8. 发明专利

JP2016081995A 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置审中-公开
标题翻译：硅碳化硅半导体器件的制造方法和硅碳化物半导体器件
公开(公告)号：JP2016081995A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：JP2014209918
申请日：2014-10-14
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：田中聡 , 山田俊介 , 松井貴宏 , 玉祖秀人
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/28 , H01L29/12 , H01L29/78
摘要：【課題】n型領域およびp型領域の双方にオーミック接触し、かつ接触抵抗の面積依存性が小さい電極層を備える、炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置の製造方法は、n型の導電型を有するn型領域と、p型の導電型を有するp型領域とを含む炭化珪素層を準備する工程と、該n型領域および該p型領域上に、チタン、アルミニウムおよびシリコンを含む材料層を形成する工程と、該材料層を加熱することにより、該n型領域および該p型領域とオーミック接触した電極層を形成する工程と、を備える。材料層を形成する工程では、チタン、アルミニウムおよびシリコンの組成比を表す点(x、y、z)(ただし、x、yおよびzは、いずれも0よりも大きい数値である)が、原点(0、0、0)、点(1、2、2)、点(2、1、2)および点(2、2、1)の4点を頂点とする三角錐領域TP1に含まれるように、該材料層の組成が決定される。【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：提供一种碳化硅半导体器件，其包括与n型区域和p型区域欧姆接触的电极层，并且具有小面积的接触电阻依赖性。解决方案：硅的制造方法碳化物半导体器件包括以下步骤：制备包括n型导电类型的n型区和具有p型导电类型的p型区的氮化硅层; 在n型区域和p型区域上形成含有钛，铝和硅的材料层; 并加热材料层以形成与n型区域和p型区域欧姆接触的电极层。在形成材料层的步骤中，以表示钛，铝和硅（（x），（y）和（x））的组成比的点（x，y，z）（z）是大于0的数值）被包括在具有原点（0,0,0），点（1,2,2），点（2,2,2）的点的三角锥形区域TP1中）和一个点（2，2，1）作为顶点。选择图：图8

9. 发明专利

JP5728954B2 炭化珪素半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP5728954B2
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：JP2011004576
申请日：2011-01-13
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：山田俊介
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L27/098 , H01L29/808 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66068 , H01L21/046 , H01L21/0485 , H01L29/45 , H01L29/66901 , H01L29/7802 , H01L29/808 , H01L29/1608

10. 发明专利

JP2015095479A 炭化珪素半導体装置の製造方法有权
标题翻译：硅碳化硅半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2015095479A
公开(公告)日：2015-05-18
申请号：JP2013232198
申请日：2013-11-08
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：山田俊介 , 増田健良 , 堀井拓
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/0475 , H01L21/046 , H01L21/324 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L29/872
摘要：【課題】反りを低減可能であり、かつ不純物の付着を抑制可能な炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置1の製造方法は以下の工程を備えている。第1の主面10aと、第1の主面10aと反対側の第2の主面10bとを有し、かつ第1の主面10aの最大径が100mmより大きい炭化珪素基板10が準備される。炭化珪素基板10の第1の主面10a側に不純物領域4が形成される。平面視において、少なくとも不純物領域4の全体を覆うように第1の主面10a側にカバー部材2が配置される。炭化珪素基板10の第1の主面10a側にカバー部材2を配置した状態で、カバー部材2の融点未満の温度で炭化珪素基板10がアニールされる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够减少翘曲并抑制杂质粘附的碳化硅半导体器件的制造方法。解决方案：碳化硅半导体器件1的制造方法包括以下步骤：制备碳化硅衬底10，其中，在与第一主表面10a相对的一侧上具有第一主表面10a和第二主表面10b，其中第一主表面10a具有大于100mm的最大直径; 在第一主面10a侧的碳化硅衬底10上形成杂质区域4; 在第一主表面10a侧布置盖构件2，以便在平面图中覆盖杂质区域4的至少整个区域; 并且在覆盖部件2配置在第一主面10a侧的碳化硅基板10上的状态下，以小于盖部件2的熔点的温度退火碳化硅基板10。

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